近日，唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術領導者——納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 宣布將參加APEC 2025，展示氮化鎵和碳化硅技術在AI數據中心、電動汽車和移動設備領域的應用新突破。

APEC 2025將于3月16-20日在亞特蘭大喬治亞世界會議中心（Georgia World Congress Center）盛大舉辦。納微誠邀觀眾參觀“納微芯球”展臺（展位號1107），共同探索納微用清潔能源的氮化鎵和碳化硅半導體技術，為高增長市場所打造的最高效和最高功率密度應用設計，進而實現(xiàn)對傳統(tǒng)硅基半導體替代，達成Electrify our World的終極使命。預計到至2050年，從硅基向第三代功率半導體的轉換每年可減少超過60億噸碳排放。

亮點展品和技術：

雙向無界，超越極限

解鎖電力電子新范式的下一代技術

納微2025開年力作，即將觸發(fā)多個行業(yè)的顛覆性變革，全球直播亮劍進入倒計時！鎖定納微芯球公眾號，3月13日解鎖完整技術細節(jié)。

全新中壓GaNFast FETs

為48V AI數據中心電源、下一代電動汽車平臺及AI機器人系統(tǒng)而生，打造高頻、高效、高功率密度轉換系統(tǒng)。

全球首款8.5kW AI數據中心服務器電源

見證全球首個為AI和超大規(guī)模數據中心打造的8.5kW OCP電源解決方案，其效率達98%。該方案采用大功率GaNSafe氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs，分別用于三相LLC拓撲結構和三相交錯CCM TP-PFC結構，可實現(xiàn)最高效率、性能以及最少的元件數量。

全球功率密度最高的AI數據中心服務器電源

采用納微大功率GaNSafe氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs打造，為最新的AI GPUs打造了體積最小的4.5kW電源，滿足搭載最新AI GPUs機柜增長了3倍的功率需求，可實現(xiàn)137W/in3的全球最高功率密度以及超過97%的效率。

搭載IntelliWeave專利數字控制技術的

AI數據中心服務器電源

采用了高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs的混合設計，PFC的峰值效率高達99.3%，相較現(xiàn)有方案降低30%的功率損耗。

GaNSlim氮化鎵功率芯片

全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片，以最高水平的集成度和散熱性能，將進一步簡化并加速小型化、高功率密度應用的開發(fā)。目標應用包括移動設備和筆記本電腦充電器、電視電源以及高達500W的照明系統(tǒng)。

獲AEC-Q101車規(guī)認證的

第三代快速碳化硅MOSFETs

憑借著超20年的碳化硅創(chuàng)新領導地位，GeneSiC推出全球領先的第三代快速碳化硅功率器件，基于納微專有的“溝槽輔助平面柵”技術研發(fā)，為實現(xiàn)最快的開關速度、最高的效率和功率密度的增進進行優(yōu)化，為AI數據中心提升三倍功率并加速電動汽車充電。

為耐久性和性能而生的

高功率SiCPAK模塊

采用行業(yè)領先的“溝槽輔助平面柵”技術和環(huán)氧樹脂灌封，提高功率循環(huán)次數和持久可靠性，碳化硅封裝模塊外形緊湊，為電動汽車充電、驅動器、太陽能和儲能系統(tǒng)（ESS）等應用提供具有成本效益、高功率密度的解決方案。

領先的GaNFast和GeneSiC技術新進展

專門針對電動汽車牽引模塊優(yōu)化的GeneSiC MOSFET裸片，經過額外篩選和鍍金金屬化處理以用于燒結。

為馬達驅動打造的GaNSense功率芯片，具備雙向無損電流感測、電壓感測和溫度保護功能，進一步提升性能和穩(wěn)健性，是任何分立氮化鎵或分立硅器件無法企及的水平。

此外，來自納微半導體的技術專家們還將發(fā)表多場精彩工業(yè)報告和技術分享，展示前沿研究成果，具體議程如下：

3月19日，星期三

1. GaNSlim Power IC & DPAK-4L Package Enables 100W, 100cc, PD3.1 Continuous Power Solution with 95% Efficiency

時間：2:20 pm

地點：IS14.3, A411

演講者：高級戰(zhàn)略市場總監(jiān)Tom Ribarich

2. 500kHz Inverter Design Using Bidirectional GaN Switches

時間：8:30 am

地點：IS11.1, A403

演講者：應用與技術營銷副總裁Jason Zhang（張炬）

3. Advancing Power Solutions: Integrating Wide Bandgap Technologies for Next-Generation Applications

時間：1:30 pm – 4:55 pm

地點：ET, IS14

論壇主席：企業(yè)營銷及產品管理高級總監(jiān)Llew Vaughan-Edmunds

4. WBG Converter Design

時間：8:30 am – 11:55 am

地點：ET, IS11.1

論壇主席：Jason Zhang（張炬）

3月20日，星期四

1. Marketing & Technology Trends in Power Electronics

時間：10:10 am – 11:50 am

地點：ET

論壇主席：Stephen Oliver（史立維）

關于納微半導體

納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專注下一代功率半導體事業(yè)的公司，于2024年迎來了成立十周年。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅動、控制、感應及保護集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產品。性能互補的GeneSiC碳化硅功率器件是經過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設備、消費電子、數據中心、電動汽車、太陽能、風力、智能電網和工業(yè)市場。納微半導體擁有超過300項已經獲頒或正在申請中的專利。納微半導體于業(yè)內率先推出唯一的氮化鎵20年質保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral認證的半導體公司。