LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，針對(duì)開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>

LMG342xR030 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結(jié)合，可在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_關(guān)和最小的振鈴。可調(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度允許控制 20V/ns 至 150V/ns 的轉(zhuǎn)換速率，可用于主動(dòng)控制 EMI 并優(yōu)化開關(guān)性能。LMG3426R030包括零電壓檢測 （ZVD） 功能，當(dāng)實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)時(shí)，該功能可從 ZVD 引腳提供脈沖輸出。LMG3427R030 包括零電流檢測 （ZCD） 功能，當(dāng)檢測到正漏源電流時(shí)，該功能從 ZCD 引腳提供脈沖輸出。
*附件：LMG342xR030 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的 600 V 30 mΩ GaN FET 數(shù)據(jù)表.pdf

高級(jí)電源管理功能包括數(shù)字溫度報(bào)告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出報(bào)告，從而簡化了器件負(fù)載管理。報(bào)告的故障包括過流、短路、過熱、VDD UVLO 和高阻抗 RDRV 引腳。

特性

• 符合 JEDEC JEP180 硬開關(guān)拓?fù)涞囊?/li>
• 600V 硅基氮化鎵 FET，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 集成高精度柵極偏置電壓
  • 200V/ns FET 抑制
  • 2.2MHz 開關(guān)頻率
  • 20V/ns 至 150V/ns 轉(zhuǎn)換速率，用于優(yōu)化開關(guān)性能和 EMI 抑制
  • 采用 7.5V 至 18V 電源供電
• 強(qiáng)大的保護(hù)
  • 逐周期過流和鎖存短路保護(hù)，具有 < 100ns 響應(yīng)
  • 在硬開關(guān)時(shí)可承受 720V 浪涌
  • 針對(duì)內(nèi)部過熱和 UVLO 監(jiān)控進(jìn)行自我保護(hù)
• 高級(jí)電源管理
  • 數(shù)字溫度 PWM 輸出
  • LMG3426R030 包括零電壓檢測 （ZVD） 功能，便于軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器
  • LMG3427R030 包括零電流檢測 （ZCD） 功能，有助于軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

• ?型號(hào)?：LMG342xR030
• ?類型?：600V，30mΩ GaN FET，集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能
• ?系列?：包括LMG3422R030、LMG3426R030、LMG3427R030
• ?應(yīng)用?：開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器、服務(wù)器和電信網(wǎng)絡(luò)電源、太陽能逆變器、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等

2. 主要特性

• ?高集成度?：集成硅驅(qū)動(dòng)器，支持高達(dá)150V/ns的開關(guān)速度
• ?高效率?：零反向恢復(fù)電荷，超低輸出電容
• ?保護(hù)功能?：過流保護(hù)、短路保護(hù)、過溫保護(hù)、欠壓鎖定（UVLO）監(jiān)測、高阻抗RDRV引腳保護(hù)
• ?溫度管理?：通過PWM信號(hào)報(bào)告GaN FET溫度
• ?特殊功能?：LMG3426R030具有零電壓檢測（ZVD）功能，LMG3427R030具有零電流檢測（ZCD）功能

3. 電氣特性

• ?最大漏源電壓?：600V
• ?漏源導(dǎo)通電阻?（典型值）：26.35mΩ（VIN = 5V, TJ = 25°C）
• ?最大漏極電流?：55A（RMS），120A（脈沖）
• ?柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍?：7.5V至18V
• ?最大開關(guān)頻率?：2.2MHz

4. 保護(hù)功能

• ?過流保護(hù)?：閾值電流60A至80A，響應(yīng)時(shí)間<250ns
• ?短路保護(hù)?：閾值電流80A至110A，響應(yīng)時(shí)間<180ns
• ?過溫保護(hù)?：GaN FET過溫閾值175°C，驅(qū)動(dòng)器過溫閾值185°C
• ?欠壓鎖定?（UVLO）：VDD正向閾值電壓6.5V至7.5V，負(fù)向閾值電壓6.1V至6.5V

5. 溫度報(bào)告

• ?溫度輸出?：通過PWM信號(hào)報(bào)告GaN FET溫度，典型頻率9kHz
• ?溫度計(jì)算?：使用PWM占空比計(jì)算結(jié)溫

6. 特殊功能

• ? 零電壓檢測（ZVD） ?：LMG3426R030在零電壓開關(guān)（ZVS）時(shí)提供脈沖輸出
• ? 零電流檢測（ZCD） ?：LMG3427R030在檢測到正漏源電流時(shí)提供脈沖輸出

7. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：VQFN 54引腳
• ?尺寸?：12.00mm × 12.00mm

8. 推薦工作條件

• ?供電電壓?：VDD 7.5V至18V
• ?輸入電壓?：IN 0V至18V
• ?漏極RMS電流?：32A
• ?正源電流?：LDO5V 25mA

9. 應(yīng)用指南

• ?布局建議?：使用四層板設(shè)計(jì)，最小化電源環(huán)路電感
• ?旁路電容?：使用小尺寸、表面貼裝電容
• ?信號(hào)隔離?：在高側(cè)和低側(cè)信號(hào)路徑之間使用高速數(shù)字隔離器