概述
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內置實時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態，寫保護將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數據被破壞。

隱含時鐘提供百分之一秒、秒、分、時、星期、日、月、年等時間信息。對少于31天的月份，月終日期可自動調節，包括對閏年的修正。隱含時鐘格式可配置為24小時制或配合AM/PM指示的12小時制。
數據表：*附件：DS1251 4096k NV SRAM，帶有隱含時鐘技術手冊.pdf
特性

• 實時時鐘保持跟蹤百分之一秒、秒、分、時、星期、日、月和年
• 512k x 8 NV SRAM可直接替代易失靜態RAM或EEPROM
• 內置鋰電池維持日歷運行及保存RAM數據
• 時鐘功能對RAM操作完全透明
• 月和年決定每個月的天數，有效期至2100年
• 無外部電源時可保存數據10年以上
• 10%工作范圍
• 第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態
• 提供DIP模塊
  • 標準32引腳JEDEC引腳排列
  • 與DS1248引腳兼容
• PowerCap模板
  • 表面貼裝可直接與帶有電池和晶振的PowerCap連接
  • 電池可更換(PowerCap)
  • 與其它存儲容量的DS124xP隱含時鐘引腳兼容
• 提供無引線封裝

引腳配置

包裝
DS1251有兩種封裝：32針DIP和34針PowerCap模塊。32針DIP式模塊將晶體、鋰能源和硅集成在一個封裝中。34針PowerCap模塊板設計有觸點，用于連接到包含晶體和電池的單獨PowerCap（DS9034PCX）。這種設計允許在表面安裝過程完成后將PowerCap安裝在DS1251P的頂部。在表面安裝過程后安裝PowerCap可以防止因回流焊所需的高溫而損壞晶體和電池。PowerCap采用鍵控設計，可防止反向插入。PowerCap模塊板和PowerCap單獨訂購，并裝在單獨的容器中運輸。
幻影時鐘操作
與幻影時鐘的通信是通過對64位串行比特流進行模式識別來建立的，必須通過執行包含DQ0上正確數據的64個連續寫入周期來匹配。在識別64位模式之前發生的所有訪間都指向內存。在識別建立后，接下來的64個讀取或寫入周期提取或更新幻影時鐘中的數據，并禁止存儲器訪間。
在芯片啟用、輸出啟用和寫入啟用的控制下，通過串行比特流實現與計時功能的數據傳輸。最初，使用幻影時鐘的CE和OE控制對任何存儲位置的讀取循環通過將指針移動到64位比較寄存器的第一位來啟動模式識別序列。接下來，使用SmartWatch的cE和wE控制執行64個連續的寫入周期。這64個寫入周期僅用于訪間幻影時鐘。因此，套接字中內存的任何地址都是可以接受的。然而，為訪間幻影時鐘而生成的寫入周期也在將數據寫入配套RAM中的一個位置。管理這一要求的首選方法是在RAM中只留出一個地址位置作為幻影時鐘暫存區。當執行第一寫入周期時，將其與64位比較寄存器的位0進行比較。如果找到匹配，指針將遞增到比較寄存器的下一個位置，并等待下一個寫入周期。如果未找到匹配項，指針將不會前進，所有后續寫入周期都將被忽略。如果在模式識別過程中的任何時候發生讀取循環，則當前序列將中止，比較寄存器指針將重置。如上所述，模式識別持續了總共64個寫入周期，直到比較寄存器中的所有位都匹配為止（圖1)。正確匹配64位后，幻影時鐘啟用，數據傳輸到或