MXD1210非易失RAM控制器技術(shù)手冊(cè)
概述
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標(biāo)準(zhǔn)（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器。它還會(huì)持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時(shí)提供RAM寫保護(hù)。當(dāng)電源開始出現(xiàn)故障時(shí)，RAM受到寫保護(hù)，并且器件切換到電池備用模式。
數(shù)據(jù)表：*附件：MXD1210非易失RAM控制器技術(shù)手冊(cè).pdf
應(yīng)用
- μP控制系統(tǒng)
- 計(jì)算機(jī)：臺(tái)式機(jī)、工作站和服務(wù)器
- 嵌入式系統(tǒng)
特性
- 備用電池
- 存儲(chǔ)器寫保護(hù)
- 工作模式靜態(tài)電流：230μA
- 備用模式靜態(tài)電流：2nA
- 電池保鮮密封
- 可選冗余電池
- VCC 電源開關(guān)具有低正向壓降
- 5%或10%電源故障檢測(cè)選項(xiàng)
- 在上電期間測(cè)試電池狀況
- 采用8引腳SO封裝
引腳配置
非易失性RAM控制器
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