進入2025年以來，全行業出現SiC碳化硅MOSFET價格開始低于傳統IGBT的現象，比行業認知提前十幾年見證功率半導體歷史拐點：SiC碳化硅MOSFET價格開始低于IGBT！主要源于技術突破、產能擴張與市場需求的共同作用。以下從原因和影響兩方面展開分析：

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### **一、價格下降的原因**
1. **產能釋放與技術成熟**
- 中國本土SiC產業鏈在2024年迎來產能集中釋放期，多家企業完成6英寸和8英寸晶圓產線建設，產能從2022年的46萬片（折合6英寸）激增至2025年的390萬片，全球有效產能同步增長至300萬片。
- 8英寸晶圓量產加速，單位芯片成本顯著降低。例如，6英寸外延片價格在2024年下半年暴跌60.47%，推動整體成本下降。

2. **本土化競爭與價格戰**
- 中國SiC廠商通過政策支持和規?；a快速降低成本，打破國際廠商壟斷。2025年國產SiC芯片價格預計較全球均價低約30%，并通過價格戰搶占市場份額。
- 供需格局逆轉：2025年全球SiC襯底需求量約250萬-300萬片，而有效產能達657萬片，供過于求加劇價格競爭。

3. **技術迭代與成本優化**
- SiC MOSFET技術逐漸成熟，良率提升。例如，溝道遷移率提高和柵氧化層可靠性增強，降低了研發與生產成本。
- 應用端成本優勢顯現：SiC器件的高頻、低損耗特性減少外圍元件（如散熱器和電感）需求，系統整體成本下降。2024年上半年，采用SiC的電動汽車成本已降低15%-20%。

4. **電動汽車市場驅動**
- 特車企大規模采用SiC模塊，推動需求激增。
- 中國車企認證本土供應商，降低進口依賴。預計2025年底國產SiC芯片在電動汽車市場滲透率將顯著提升。

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### **二、對行業的影響**
1. **加速替代IGBT**
- SiC MOSFET在導通損耗、開關頻率和高溫性能上優于IGBT，價格低于IGBT后，其在新能源汽車、光伏逆變器等高頻高功率場景的替代速度加快。
- 例如，SiC MOSFET的開關損耗僅為IGBT的1/4，且無電流拖尾現象，系統效率提升顯著。

2. **產業鏈重構與整合**
- 價格戰導致行業毛利率驟降，部分企業6英寸外延片毛利率從55%跌至5.7%，行業進入出清階段，預計2025年中期將迎來整合潮。
- 國際廠商如Wolfspeed因成本壓力調整戰略，而中國本土企業憑借成本優勢加速搶占市場份額。

3. **推動電動汽車普及**
- SiC價格下降使中低端車型采用碳化硅成為可能。例如，2025年SiC器件成本預計與IGBT相當，推動電動汽車續航提升和售價下探。
- 高頻特性支持更緊湊的電驅系統設計，進一步降低整車重量和能耗。

4. **技術路線競爭加劇**
- IGBT廠商面臨轉型壓力，只能依靠降價維持份額。
- 氮化鎵（GaN）等其他寬禁帶半導體技術可能因SiC價格下降面臨差異化競爭。

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### **總結**
SiC MOSFET價格低于IGBT的拐點，標志著第三代半導體技術從高端市場向大眾化應用的跨越。這一變革由產能擴張、本土化競爭和技術突破共同驅動，其影響不僅限于功率半導體行業，更將重塑新能源汽車、能源基礎設施等領域的格局。未來，隨著8英寸晶圓普及和產業鏈整合完成，SiC有望成為電力電子領域的“新常態”，而IGBT則需在特定場景中尋求差異化生存空間。

審核編輯 黃宇