概述

ADRF5049是一款非反射式SP4T開(kāi)關(guān)，采用絕緣硅(SOI)工藝制造。

該器件的工作頻率范圍為9 kHz至45 GHz，具有低于3.3 dB的插入損耗，以及高于35 dB的隔離性能。ADRF5049的直通路徑、端接路徑和RF公共端口熱切換分別具有30 dBm、18 dBm和30 dBm的RF輸入功率處理能力。

ADRF5049需采用+3.3 V和?3.3 V雙電源供電。該器件采用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)/低壓晶體管對(duì)晶體管邏輯(LVTTL)邏輯兼容控制。

ADRF5049具有使能和邏輯選擇控制特性，可分別提供全部關(guān)斷狀態(tài)和鏡像端口選擇功能。

ADRF5049與ADRF5042和ADRF5043引腳兼容。

ADRF5049采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的24引腳、3 mm × 3 mm、基板柵格陣列(LGA)封裝，工作溫度范圍為?40°C至+105°C。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADRF5049硅SP4T開(kāi)關(guān)，非反射式，9 kHz至45 GHz技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 工業(yè)掃描儀
• 測(cè)試儀器儀表
• 蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施——毫米波5G
• 軍用無(wú)線電、雷達(dá)和電子對(duì)抗(ECM)
• 微波無(wú)線電和甚小孔徑終端(VSAT)
  特性
• 超寬帶頻率范圍：9 kHz 至 45 GHz
• 非反射式 50 Ω 設(shè)計(jì)
• 低插入損耗
  • 1.3 dB 至 18 GHz（典型值）
  • 2.2 dB 至 40 GHz（典型值）
  • 3.3 dB 至 45 GHz（典型值）
• 高隔離
• 44 dB 至 18 GHz（典型值）
• 40 dB 至 40 GHz（典型值）
• 35 dB 至 45 GHz（典型值）
• 高輸入線性度
• P0.1dB：>30 dBm（典型值）
• IP3：50 dBm（典型值）
• 高 RF 輸入功率
  • 30 dBm 直通路徑
  • 18 dBm 終止路徑
• 無(wú)低頻雜散信號(hào)
• ESD 額定值
• HBM：所有引腳為 ±2000 V
• CDM：所有引腳為 ±500 V
• 開(kāi)啟和關(guān)閉時(shí)間（50% VCTRL 至 90% 的最終 OUT ）：2.7 μs
• 0.1 dB RF 建立時(shí)間（50% VCTRL 至 0.1 dB 的最終 RF 輸出）：3.4 μs
• 3 mm x 3 mm，24 端子 LGA 封裝
• 與 ADRF5042 和 ADRF5043 引腳兼容

功能框圖

引腳配置

接口示意圖

ADRF5049有兩個(gè)電源引腳(VDD和VSS)和四個(gè)控制引腳(V1、V2、LS和EN)。圖24顯示了電源和控制引腳的外部元件和連接。VDD引腳和VSS引腳通過(guò)100 pF多層陶瓷電容去耦。ADRF5049引腳排列允許去耦電容靠近器件放置。偏置和工作不需要其他外部元件，但當(dāng)RF線路偏置電壓不同于0v時(shí)，RFx引腳上的DC隔直電容除外，詳情參見(jiàn)“引腳配置和功能描述”部分。

RF端口內(nèi)部匹配50ω，引腳排列設(shè)計(jì)用于匹配PCB上具有50ω特性阻抗的共面波導(dǎo)(CPWG)。圖25顯示了采用8密耳厚RogersRO4003電介質(zhì)材料的RF基板的referencedCPWG RF走線設(shè)計(jì)。對(duì)于2.2密耳的成品銅厚度，建議使用14密耳寬、7密耳間隙的RF走線。

圖26顯示了ADRF5049的RF走線、電源和控制信號(hào)的布線。接地層通過(guò)盡可能多的填充通孔連接，以實(shí)現(xiàn)最佳RF和散熱性能。ADRF5049的主要熱路徑是底部。