概述

ADRF5345是一款高線性度、反射式、單刀四擲(SP4T)開關(guān)，采用硅工藝制造。

ADRF5345的工作頻率范圍為1.8 GHz至3.8 GHz，具有低于0.40 dB的典型插入損耗以及84 dBm的典型輸入IP3。針對(duì)長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)信號(hào)，該器件具有39 dBm（連續(xù)波信號(hào)）、39 dBm（平均值）和49 dBm（峰值）的RF輸入功率處理能力。

ADRF5345集成負(fù)電壓發(fā)生器(NVG)，可采用施加于VDD引腳的5 V (VDD)單正電源供電，同時(shí)消耗2 mA的電源電流。該器件利用低壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(LVCMOS)/低壓晶體管對(duì)晶體管邏輯(LVTTL)兼容控制。

ADRF5345采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的4 mm × 4 mm、22引腳、基板柵格陣列(LGA)封裝，工作溫度范圍為?40°C至+105°C。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADRF5345高線性度硅SP4T開關(guān)，1.8 GHz至3.8 GHz技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 5G天線傾斜
• 無線基礎(chǔ)設(shè)施
• 軍事和高可靠性應(yīng)用
• 測(cè)試設(shè)備
• 引腳二極管替代器件
  特性
• 反射式設(shè)計(jì)
• 低插入損耗
  • 0.35 dB 至 2.8 GHz（典型值）
  • 0.40 dB 至 3.8 GHz（典型值）
• TCASE = 105°C 時(shí)具有高功率處理能力
• 長(zhǎng)期（>10 年）平均值
• 連續(xù)波功率：39 dBm
• 長(zhǎng)期演進(jìn)信號(hào)
• 平均功率：39 dBm
• 峰值功率：49 dBm
• 高輸入線性度，IP3：84 dBm（典型值）
• ESD 額定值
  • HBM：2000 伏，2 級(jí)
  • CDM：1000 V，C3 級(jí)
• 單電源運(yùn)行，集成 NVG
• 正控制，兼容 LVCMOS-/LVTTL
• 4 毫米 x 4 毫米、22 端子 LGA 封裝

框圖

引腳配置和功能描述

接口示意圖

將ADRF5345的RF端口連接到特性阻抗為50ω的傳輸線路，封裝接地引腳和背面接地片必須直接連接到接地層。ADRF5345有一個(gè)電源引腳(VDD)和三個(gè)控制引腳(V1、V2和LS)。電源引腳必須用100 pF和4.7 uF電容去耦，而控制引腳必須用100 pF電容去耦。