概述
ADRF5026 是一款利用硅工藝制造的非反射單刀雙擲 (SPDT) 射頻 (RF) 開關。

ADRF5026 的工作頻率范圍為 100 MHz 至 44 GHz，具有優于 3.8 dB 的插入損耗和 45 dB 隔離。ADRF5026 采用全關閉控制，兩個射頻端口均處于隔離狀態。ADRF5026 采用非反射設計，兩個射頻端口均在內部端接到 50 Ω。

ADRF5026 需要 +3.3 V 和 ?3.3 V 的雙電源電壓。此器件使用互補金屬氧化物半導體/低電壓晶體管-晶體管邏輯 (CMOS/LVTTL) 邏輯兼容控制。

ADRF5026 的引腳與 [ADRF5027] 低頻截止版本兼容，可在 9 kHz 至 44 GHz 的頻度范圍內工作。

ADRF5026 射頻端口旨在匹配 50 Ω 的特性阻抗。對于超寬帶產品，射頻發射線路上的阻抗匹配可以進一步優化高頻插入損耗和回路損耗特性。有關在 28 GHz 至 43 GHz 頻率范圍內實現 2.4 dB 平坦插入損耗響應的匹配電路的示例，請參閱“窄帶阻抗匹配”部分。

ADRF5026 采用符合 RoHS 標準的 20 端子 3 mm × 3 mm 岸面柵格陣列 (LGA) 封裝，并可在 ?40°C 至 +105°C 的溫度范圍內工作。
數據表：*附件：ADRF5026 100MHz至44GHz硅SPDT非反射開關技術手冊.pdf

應用

• 工業掃描儀
• 測試和儀器儀表
• 蜂窩基礎設施：5G 毫米波
• 軍用無線電、雷達和電子對抗措施 (ECM)
• 微波無線電和甚小孔徑終端 (VSAT)
  特性
• 超寬帶頻率范圍：100 MHz 到 44 GHz
• 非反射設計
• 低插入損耗：
  • 18 GHz 時為 1.2 dB
  • 26 GHz 時為 1.7 dB
  • 40 GHz 時為 2.4 dB
  • 44 GHz 時為 3.8 dB
• 高隔離
  • 18 GHz 時為 55 dB
  • 26 GHz 時為 53 dB
  • 40 GHz 時為 50 dB
  • 44 GHz 時為 45 dB
• 高輸入線性度
  • P1dB：27 dBm（典型值）
  • IP3：53 dBm（典型值）
• 高功率處理能力
  • 24 dBm 插入損耗路徑
  • 24 dBm 隔離路徑
• 全關閉狀態控制
• 無低頻雜散信號
• 0.1 dB 射頻建立時間：40 ns（典型值）
• 20 端子 3 mm × 3 mm LGA 封裝
• 引腳兼容 [ADRF5027]，低頻截止版本

框圖

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  引腳配置
  

ADRF5026-EVALZ評估板是一款4層評估板。外層銅(Cu)層厚度為0.5盎司(0.7密耳)，厚度為1.5盎司(2.2密耳)，由電介質材料隔開。圖15顯示了ADRF5026-EVALZ評估板的層疊圖。

所有RF和dc走線都布設在頂層銅層上，而內層和底層是接地層，為RF傳輸線路提供堅實的接地。頂部電介質材料為8密耳Rogers RO4003，具有最佳高頻性能。中間和底部介電材料提供機械強度。整個電路板的厚度為62密耳，允許在電路板邊緣連接2.4毫米射頻發射器。