概述
HMC199AMS8和HMC199AMS8E均為低成本通用型雙通道SPDT GaAs“旁路”開關,采用8引腳MSOP封裝,頻率范圍為DC至2.5 GHz。 這四個RF端口部件將兩個SPDT開關和一條直通線集成到單個IC上。 這些設計提供小于0.5 dB的低插入損耗,同時在信號路徑內外切換無源或有源外部電路元件。 端口間隔離通常為25至30 dB。 片內電路在極低直流電流時采用正電壓控制工作,且控制輸入兼容CMOS和大多數TTL邏輯系列。 此類應用包括LNA或濾波器旁路開關和單位衰減器開關。 HMC199AMS8E產品符合RoHS標準。
數據表:*附件:HMC199A雙通道單刀雙擲開關,DC-2.5GHz技術手冊.pdf
應用
- 蜂窩
- ISM基站
- PCS
特性
- 產品符合RoHS標準
- 集成雙通道SPDT
- 低插入損耗: <0.5 dB (2 GHz)
- 正控制電壓: 0/+5V、0/+3V
- 超小型MSOP8封裝: 14.8 mm2
框圖
外形圖
典型應用電路
備注:
1.將A/B控制設置為0/+5V,Vdd = +5V,并使用HCT系列邏輯來提供TTL驅動器接口。
2 .控制輸入A/B可以直接用CMOS邏輯(HC)驅動,將Vdd = 5至7伏施加于CMOS邏輯門。
3 .如圖所示,每個RF端口都需要DC隔直電容。電容值決定最低工作頻率。
4 . Vdd =+7V且A/B設置為0/+7V時,可實現最高RF信號功率。
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