GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性，有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸；內(nèi)置ESD保護(hù)功能，有助于實(shí)現(xiàn)高可靠性的設(shè)計(jì)。另外，通過采用通用性高的DFN封裝，不僅散熱性能出色，還非常易于安裝。采用DFN8080K 封裝，屬于 650V 增強(qiáng)型氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET） ，導(dǎo)通電阻 70mΩ，柵極電荷 5.2nC。
*附件：GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊.pdf
主要規(guī)格
- 型號(hào) | GNP1070TC-ZE2
- 封裝 | DFN8080K
- 包裝形態(tài) | Taping
- 包裝數(shù)量 | 3500
- 最小獨(dú)立包裝數(shù)量 | 3500
- RoHS | Yes
特性
- 650V 增強(qiáng)型氮化鎵場效應(yīng)晶體管（E-mode GaN FET）
- 70mΩ 電阻
- 5.2nC 柵極電荷
絕對最大額定值
電氣特性
測量電路和波形
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