概述
HMC545A和HMC545AE均為低成本SPDT開關(guān),采用6引腳SOT26塑料封裝,適用于要求極低插入損耗和極小尺寸的通用開關(guān)應(yīng)用。 這些器件具有0.25 dB的典型損耗,可控制頻率范圍為DC至3.0 GHz的信號,尤其適合IF和RF應(yīng)用,包括蜂窩/3G、ISM、汽車和筆記本電腦。 該設(shè)計提供出色的插入損耗性能,非常適合濾波器和接收機開關(guān)應(yīng)用。 “關(guān)斷”狀態(tài)下,RF1和RF2反射短路。 兩個控制電壓所需的直流電流非常小,并與CMOS和一些TTL邏輯系列兼容。
數(shù)據(jù)表:*附件:HMC545A GaAs MMIC SPDT開關(guān),DC-3GHz技術(shù)手冊.pdf
應(yīng)用
HMC545A / HMC545AE適合:
- 蜂窩/3G基礎(chǔ)設(shè)施
- 專用移動無線手機
- WLAN、WiMAX和WiBro
- 汽車遠程信息系統(tǒng)
- 測試設(shè)備
特性
- 低插入損耗: 0.27 dB
- 高輸入IP3: +54 dBm
- 低直流功耗
- 正控制電壓: 0/+3V至0/+8V
- 小型封裝: SOT26
框圖
外形圖
典型應(yīng)用電路
備注:
1.將邏輯門Vdd = +3V至+5V,并使用HCT系列邏輯來提供TTL驅(qū)動器接口。
2 .可以用CMOS邏輯(HC)直接驅(qū)動控制輸入A/B,將+3V至+8V的Vdd施加于CMOS邏輯門。
3 .如圖所示,每個RF端口都需要DC隔直電容。電容值決定最低工作頻率。
4 . Vdd =+8V且A/B設(shè)置為0/+8V時,可實現(xiàn)最高RF信號功率。
引腳描述
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