概述

ADPA9007-2CHIP 是一款 2 W 射頻功率放大器，可工作 從 DC 到 28 GHz。RF 輸入和輸出內(nèi)部匹配 和 DC 耦合。ADPA9007-2CHIP 包括一個(gè)集成的 溫度補(bǔ)償 RF 功率檢測器和集成的 溫度傳感器。

ADPA9007-2CHIP 放大器提供 13 dB 的增益，輸出 1 dB 壓縮功率 （OP1dB） 為 32.5 dBm，輸出 8 GHz 至 16 GHz 的三階交調(diào)點(diǎn) （OIP3） 為 43.5 dBm。 該放大器采用 15 V 的典型電源電壓 （V DD ） 工作 具有 500 mA 的典型靜態(tài)漏極電流 （I ~DQ ），即 可調(diào)。

ADPA9007-2CHIP 是在砷化鎵 （GaAs） 上制造的， 假晶高電子遷移率晶體管 （pHEMT） 工藝 額定工作溫度范圍為 ?55°C 至 +85°C。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADPA9007-2直流至28GHz，GaAs，pHEMT，2W功率放大器技術(shù)手冊.pdf
特性

• 寬帶、內(nèi)部匹配、射頻功率放大器
• 直流耦合輸入和輸出
• 集成射頻功率檢測器
• 集成溫度傳感器
• 增益：13 dB（典型值，8 GHz 至 16 GHz 時(shí)）
• OP1dB：8 GHz 至 16 GHz 時(shí)為 32.5 dBm（典型值）
• P SAT ：33.5 dBm（典型值，8 GHz 至 16 GHz）
• OIP3：8 GHz 至 16 GHz 時(shí)為 43.5 dBm（典型值）

應(yīng)用

• 電子戰(zhàn)
• 雷達(dá)
• 測試和測量設(shè)備

框圖

引腳配置

接口示意圖

ADPA9007-2CHIP是一款寬帶分布式GaAs、pHEMT、中等功率放大器。簡化框圖如圖83所示。漏極電流由施加于柵極焊盤VGG1的負(fù)電壓(-1.5 V至0 V)設(shè)置。對于500 mA的Ipo，通常需要-0.6 V的柵極偏置電壓。漏極偏置電壓通過寬帶偏置三通或外部偏置網(wǎng)絡(luò)由RFOUT/VDD焊盤提供。

RF輸出信號(hào)的一部分被定向耦合到射頻二極管，用于檢測RF輸出功率。當(dāng)二極管直流偏置時(shí)，二極管對RF功率進(jìn)行整流，并使其可作為VDET焊盤上的DC電壓進(jìn)行測量。為了實(shí)現(xiàn)VDET的溫度補(bǔ)償，可以通過VREF焊盤使用一個(gè)相同的電路(減去耦合的RF功率)。取VREF - VDET的差值提供一個(gè)與RF輸出功率成比例的溫度補(bǔ)償信號(hào)。