寬電壓范圍是指設備或系統能夠在較寬的電壓區間內正常工作的能力。這意味著,當電網電壓或供電電壓在一定范圍內波動時,具備寬電壓范圍的設備仍能保持穩定運行,不會因電壓的波動而損壞或影響性能。這種特性對于保障設備的持續、穩定工作至關重要!
針對寬輸出電壓應用場合,為了滿足VDD的寬電壓應用需求,往往需要添加額外的電路或者輔助繞組,導致系統功耗和電路成本的增加。氮化鎵電源ic U8722AH集成了Boost供電技術,僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可,在輸出電壓較低時,Boost電路啟動工作,維持VDD電壓在VBOOST_REG (典型值10V/10.2V),當輸出電壓升高,輔助繞組電壓高于VBOOST_REG時,Boost電路停止工作,VDD由輔助繞組供電。
氮化鎵電源ic U8722AH采用SOP-7封裝,腳位如下:
2 FB P 系統反饋輸入管腳
3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳
6 VDD P 芯片供電管腳
4 SW P Boost 電路內置 MOS 的漏極管腳
5 GND P 芯片參考地
7 DRAIN P 內置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳
氮化鎵電源ic U8722AH主要特性:
1.集成700V E-GaN
2.集成高壓啟動功能
3.超低啟動和工作電流,待機功耗<30mW
4.谷底鎖定模式, 最高工作頻率兩檔可調(220kHz,130kHz)
5.集成EMI優化技術
6.驅動電流分檔配置
7.集成 Boost 供電電路
8.集成完備的保護功能:VDD 過壓/欠壓保護(VDD OVP/UVLO)、輸出過壓保護(OVP)、輸入欠壓保護(BOP)、片內過熱保護(OTP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過流保護(AOCP)、短路保護(SCP)、過載保護 (OLP)、過流保護(SOCP)、前沿消隱(LEB)、CS管腳開路保護。
氮化鎵電源ic U8722AH集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率,芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路,驅動電壓為VDRV(典型值6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點,為此U8722AH通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值,可以選擇不同檔位的驅動電流,進而調節GaN FET的開通速度,系統設計者可以獲得最優的EMI性能和系統效率的平衡。
穩定的電壓是保障電子設備正常工作的基礎。深圳銀聯寶科技的氮化鎵電源ic U8722AH,集成高壓啟動電路,可獲得快速啟動功能和超低的工作電流,實現小于30mW的超低待機功耗,提供穩定的電壓輸出,降低電子設備受電壓波動的影響。
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原文標題:穩定運行中的HSOP-7封裝氮化鎵電源ic U8722AH
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