概述

HMC7950是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)。HMC7950是一款寬帶低噪聲放大器，工作頻率范圍為2 GHz至28 GHz。該放大器通常提供15 dB增益、2.0 dB噪聲系數(shù)、26 dBm輸出IP3和16 dBm輸出功率（1 dB增益壓縮），功耗為64 mA（采用5 V電源時(shí)）。HMC7950僅采用單正電源供電時(shí)具有自偏置以實(shí)現(xiàn)64 mA的漏極電流IDD。HMC7950還具有增益控制選項(xiàng)VGG2。HMC7950放大器輸入/輸出內(nèi)部匹配50 Ω，并經(jīng)過(guò)隔直。它采用6 mm × 6 mm、16引腳LCC SMT陶瓷封裝，易于處理和組裝。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC7950 2GHz至28GHz，GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器技術(shù)手冊(cè).pdf

特性

• 針對(duì)1 dB壓縮(P1dB)的輸出功率：16 dBm（典型值）
• 飽和輸出功率(PSAT)：19.5 dBm（典型值）
• 增益：15 dB（典型值）
• 噪聲系數(shù)：2.0 dB（典型值）
• 輸出三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3)：26 dBm（典型值）
• 電源電壓：5 V (64 mA)
• 50 Ω匹配輸入/輸出

應(yīng)用

• 測(cè)試儀器儀表
• 軍事與航天

功能框圖

引腳配置和功能描述

接口示意圖

典型性能特征

HMC7950是一款GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器。其基本架構(gòu)是單電源、偏置共源共柵分布式放大器，漏極集成RF扼流圈。碼分布式架構(gòu)使用由兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)堆疊而成的基本單元，上面FET的源極連接到下面FET的漏極。然后，基本單元被復(fù)制幾次，一條傳輸線將RFIN信號(hào)饋送到較低fet的柵極，另一條單獨(dú)的傳輸線將較高fet的漏極互連，并將放大的信號(hào)路由到RFOUT引腳。圍繞每個(gè)單元的額外電路設(shè)計(jì)技術(shù)優(yōu)化了寬帶工作的整體性能。這種體系結(jié)構(gòu)的主要好處是在整個(gè)帶寬上保持高性能，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)單個(gè)基本單元所能提供的性能。這種結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)化示意圖如圖38所示。

VDD建議采用容性旁路，如圖39所示的典型應(yīng)用電路。通過(guò)向VGc2施加直流電壓，可以實(shí)現(xiàn)增益控制。如果使用增益控制，建議對(duì)Vcs2進(jìn)行容性旁路，如圖所示。如果不使用增益控制，Vss2可以保持開路或容性旁路，如圖39所示。