概述

HMC717A是一款GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器，非常適合固定無線和LTE/WiMAX/4G基站前端接收機，工作頻率范圍為4.8至6.0 GHz。 該放大器經過優化，采用+5V單電源時提供1.1 dB的噪聲系數、16.5 dB的增益和+31.5 dBm的輸出IP3。

提供出色的輸入和輸出回損性能，LNA僅需極少的外部匹配和偏置去耦元件。 HMC717A可在+3V與+5V之間進行偏置，提供外部可調電源電流，設計人員可針對每個應用調整LNA的線性度性能。
數據表：*附件：HMC717A低噪聲放大器，采用SMT封裝，4.8-6.0 GHz技術手冊.pdf

應用

• 固定無線和LTE/WiMAX/4G
• BTS和基礎設施
• 中繼器和毫微微蜂窩
• 公共安全無線電
• 接入點

特性

• 噪聲系數： 1.1 dB
• 增益： 16.5 dB
• 輸出IP3： +31.5 dBm
• 單電源： +3V至+5V
• 16引腳3x3mm QFN封裝： 9 mm2

框圖

外形圖

引腳描述

HMC717A是一款砷化鎵(GaAs)、單片微波集成電路(MMIC)、贗晶(pHEMT)、低噪聲放大器。HMC717A放大器使用兩個串聯增益級，放大器的基本原理圖如圖3所示，構成一個低噪聲放大器，工作頻率范圍為4.8 GHz至6 GHz，噪聲系數性能出色。

HMC717A具有單端輸入和輸出端口，在4.8 GHz至6 GHz頻率范圍內，其阻抗標稱值等于50歐姆。因此，它可以直接插入50歐姆系統，不需要阻抗匹配電路，這也意味著多個HMC717A放大器可以背對背級聯，無需外部匹配電路。輸入和輸出阻抗相對于溫度和電源電壓的變化足夠穩定，不需要阻抗匹配補償。請注意，為確保穩定工作，必須為背面裸露焊盤提供極低電感的接地連接。為實現HMC717A的最佳性能并防止器件損壞，不得超過絕對最大額定值。

上圖顯示了操作HMC717A的基本連接。用1.2電容交流耦合輸入。HMC717A的RF輸出具有片內DC隔直電容，無需外部耦合電容。使用第6頁的絕對偏置電阻范圍和推薦偏置電阻值表中給出的適當Rbias電阻值。前面列出的偏置條件(VDD = 5V，Rbias = 825Q，VDD = 3 V，Rbias = 5.76kQ)是實現最佳性能的推薦工作點。本數據手冊中使用的數據是在推薦的偏置條件下獲得的。在不同偏置條件下使用HMC717A時，可能會產生與典型性能特性部分所示不同的性能。提高Vdd電平并將Rbias電阻更改為推薦值，通常可以提高增益、IP3和噪聲系數，但會降低功耗。這種行為可以在典型的性能特征圖上看到。
應用電路