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      英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

      儒卓力 ? 來源：儒卓力 ? 2025-03-15 18:56 ? 次閱讀
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      英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離

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      采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技術的優勢為基礎，加快了系統設計的成本優化，實現高效率、緊湊設計和可靠性。

      第二代產品在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。

      產品型號：

      ■IMZC120R012M2H

      ■IMZC120R017M2H

      ■IMZC120R022M2H

      ■IMZC120R026M2H

      ■IMZC120R034M2H

      ■IMZC120R040M2H

      ■IMZC120R053M2H

      ■IMZC120R078M2H

      產品特點

      RDS(on)=12-78mΩ，VGS=18V，Tvj=25°C

      開關損耗極低

      更大的最大VGS范圍，-10V至+25V

      過載運行溫度最高可達Tvj=200°C

      最大短路耐受時間2μs

      基準柵極閾值電壓4.2V

      應用價值

      更高的能源效率

      優化散熱

      更高的功率密度

      新的穩健性性能

      高可靠性

      容易并聯

      競爭優勢

      性能增強：開關損耗更低，效率更高

      .XT互連技術：熱阻更低，MOSFET溫度更低

      市場上同類最佳的最低RDS(on）

      數據手冊上保證的短路最大承受時間

      獨特的堅固性

      應用領域

      電動汽車充電

      工業電機驅動和控制

      不間斷電源(UPS)

      三相組串逆變器

      聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。 舉報投訴
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      原文標題：英飛凌新品 | 第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

      文章出處：【微信號：儒卓力，微信公眾號：儒卓力】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。

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