一、半導體(了解)
1.1 基礎知識
1.2 PN結(jié)
二、二級管
2.1 定義與特性
2.2 二極管的分類
三、三級管
四、MOS管
三、其他元器件管
3.1 電容
3.2 光耦
3.3 發(fā)聲器件
3.4 繼電器
3.5 瞬態(tài)電壓抑制器
前言:本章為知識的簡單復習,不適合運用于考試。
一、半導體(了解)
1.1 基礎知識
導體
其原子結(jié)構中,最外層電子受原子核的束縛力很小,因而極易掙脫原子核的束縛而成為自由電子,而在外電場的作用下,這些電子產(chǎn)生定向漂移運動,從而形成電流,一般為低價元素(銅、鐵、鋁)
絕緣體
其原子結(jié)構中,最外層電子受原子核的束縛力很強,不易掙脫原子核的束縛而成為自由電子,因此導電性能極差,一般為高價元素(氦、氖、氬、氮等惰性氣體)或高分子物質(zhì)(塑料)
半導體
導電性能介于導體與絕緣體之間的物體,一般為四價元素,材料常用硅或鍺,它們的最外層電子數(shù),本身就是對,所以本身就是穩(wěn)定狀態(tài),本征半導體將自然界中的半導體材料進行高溫、高度提煉、使其純度達到99.9999999%,且物理結(jié)構上呈單晶體形態(tài)當受到外界熱、光等作用的,興導電性能將明顯變化,也就是說,當本征半導體的絕對溫度為O時,它是不導電的

電子和空穴
在本征半導體中,一個自由電子對應一個空穴,或者說,自由電子與空穴總是成對出現(xiàn)。
由于沒有多余的自由電子或者空穴,在熱運動下,自由電子一旦碰上并進入一個空穴,此時自由電子與空穴同時消失,稱之為復合運動在一定溫度下,自由電子與空穴的產(chǎn)生和復合同時存在,稱之為“動態(tài)平衡”。

N型半導體
在本征半導體中,摻入微量5價元素,如磷、銻、砷等,則原來晶格中的某些硅(鍺)原子被雜質(zhì)原子代替。由于雜質(zhì)原子的最外層有5個價電子,因此它與周圍4個硅(鍺)原子組成共價鍵時,還多余1個價電子。它不受共價鍵的束縛,而只受自身原子核的束縛,因此,它只要得到較少的能量就能成為自由電子,并留下帶正電的雜質(zhì)離子,它不能參與導電,N型半導體中,自由電子稱為多數(shù)載流子;空穴稱為少數(shù)載流子。
P型半導體
在本征半導體中,摻入微量3價元素,如硼,則原來晶格中的某些硅(鍺)原子被雜質(zhì)原子代替。
1.2 PN結(jié)
單純的雜質(zhì)半導體和本征半導體相比僅僅是提高了導電性能,一般只能制作電阻器件,而無法制成半導體器件。如果采用一定的摻雜工藝,在一塊本征半導體的兩邊分別摻入不同的雜質(zhì),則半導體的一邊成為N型半導體,另一邊就成為P型半導體了。由于兩種雜質(zhì)半導體的相互作用在其交界出形成了一個很薄(數(shù)量級)的特殊導電層,這就是PN結(jié)。PN結(jié)是構成各種半導體器件的基礎。
PN結(jié)單向?qū)щ娦?/strong>
若將電源的正極接P區(qū),負極接N區(qū),則稱此為正向接法或正向偏置。此時外加電壓在阻擋層內(nèi)形成的電場與自建場方向相反,削弱了自建場,使阻擋層變窄,如圖所示。顯然,擴散作用大于漂移作用,在電源作用下,多數(shù)載流子向?qū)Ψ絽^(qū)域擴散形成正向電流其方向由電源正極通過P區(qū)、N區(qū)到達電源負極。
若將電源的正極接N區(qū),負極接P區(qū),則稱此為反向接法或反向偏置。此時外加電壓在阻擋層內(nèi)形成的電場與自建場方向相同,增強了自建場,使阻擋層變寬,如圖此時漂移作用大于擴散作用,少數(shù)載流子在電場作用下作漂移運動,由于其電流方向與正向電壓時相反,故稱為反向電流。由于反向電流是由少數(shù)載流子所形成的,故反向電流很小,而且當外加反向電壓超過零點幾伏時,少數(shù)載流子基本全被電場拉過去形成漂移電流,此時反向電壓再增加,載流子數(shù)也不會增加,因此反向電流也不會增加,故稱為反向飽和電流
PN結(jié)特性曲線
PN結(jié)加正向電壓,處于導通狀態(tài);加反向電壓,處于截止狀態(tài),即PN結(jié)具有單向?qū)щ娞匦浴?/p>
PN結(jié)處于反向偏置時,在一定電壓范圍內(nèi),流過PN結(jié)的電
流是很小的反向飽和電流。但是當反向電壓超過某一數(shù)值(UB)后,反向電流急劇增加,這種現(xiàn)象稱為反向擊穿,如圖所示。UB稱為擊穿電壓。
PN結(jié)的擊穿分為雪崩擊穿和齊納擊穿。
雪崩擊穿
當反向電壓足夠高時,阻擋層內(nèi)電場很強,少數(shù)載流子在結(jié)區(qū)內(nèi)受強烈電場的加速作用,獲得很大的能量,在運動中與其它原子發(fā)生碰撞時,有可能將價電子“打”出共價鍵,形成新的電子、空穴對。這些新的載流子與原先的載流子一道,在強電場作用下碰撞其它原子打出更多的電子、空穴對,如此鏈鎖反應,使反向電流迅速增大。這種擊穿稱為雪崩擊穿。
齊納擊穿
所謂“齊納”擊穿,是指當PN結(jié)兩邊摻入高濃度的雜質(zhì)時,其阻擋層寬度很小,即使外加反向電壓不太高(一般為幾伏),在PN結(jié)內(nèi)就可形成很強的電場(可達2×106 V/cm),將共價鍵的價電子直接拉出來,產(chǎn)生電子-空穴對,使反向電流急劇增加,出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象?!?/p>
二、二級管
2.1 定義與特性
定義:
二極管就是半導體材料被封裝之后,在PN結(jié)兩端加上兩個正負極引線制作而成。
符號與實物:
特性:
單向?qū)щ娦裕蔡匦?/p>
電路中二極管導通之后,所分電壓值為0.7V。
發(fā)光二極管導通之后為分壓值1 ~ 2v,電流范圍為5 ~ 20mA
2.2 二極管的分類
能夠穩(wěn)定一定電壓的二極管,其工作在反向擊穿狀態(tài),反向電壓應大于穩(wěn)壓電壓
multisim仿真:
②整流二極管
用于把交流電變成脈動直流電
multisim仿真:
功能:
它是電路上為進行“開”、“關”作用而特殊設計的二極管。它由導通變?yōu)榻刂够蛴山刂棺優(yōu)閷ㄋ璧臅r間比一般二極管短
應用:
在電路中主要防止反向電流燒壞一些精密器件起保護作用。
例如:
當電路遭遇反向電流時,電流可以通過右邊的開關二級管形成回路,從而保護左邊的電路。
三、三級管
定義:
由半導體組成具有三個電極的晶體管
特性:
輸入電流控制輸出電流
工作狀態(tài):
放大狀態(tài) – 發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏(UB>UE,UC>UB)
飽和狀態(tài) – 發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為正偏。
截止狀態(tài) – 發(fā)射結(jié)反偏或兩端電壓為零。
主要公式:
Ie = Ic + Ib = (1+β)Ib
Ic = βIb
截至狀態(tài):集電極和發(fā)射極之間相當于開路
放大狀態(tài):上面的公式
飽和狀態(tài):Ib與Ic都很大,沒有倍數(shù)關系,UCE很小,相當于導線,工程上我們認為硅飽和導通的UCE的壓降為0.3V,鍺管為0.1V
multisim仿真:
四、MOS管
MOS管相當于另一種三極管,只有一種載流子(多子)參與導電,被稱為單極型三極管,又因為這種管子是利用電場效應來控制電流的半導體器件(被看成是電壓控制器件),因此也稱為場效應管(簡稱FET)。
場效應管可以分為結(jié)型場效應管(簡稱JFET)和絕緣柵場效應管(簡稱IGFET)兩類。
特點:
它是一種電壓控電流的器件。它有三個電極柵極(G),漏極(D),源級(S),符號如下:
N溝道場效應管
P溝道場效應管
電壓電流關系
工作區(qū)
1)可變電阻區(qū)
(特點:當UDS比較小時,ID,隨UGS的變化而變化)
2)恒流區(qū)
(特點: ID不隨UDS變化,只隨UGS增大而增大)
3)截止區(qū)
(特點:UGS小于1.5V,ID=0,場效應管不導通)
4)擊穿區(qū)
(特點:當UDS增大到一定值時,場效應管被擊穿,ID突然增大,如無限流措施,管子將燒壞,在場效應管使用中一定要注意,防止管子擊穿)
5)過損耗區(qū)
特點:如果長時間工作在此區(qū)域,沒有很好的散熱措施,很可能由于功率較大,造成管子燒壞。所以在使用中也要注意。管子的散熱和最大功率
MOS管與三極管的比較
不同類型的MOS管
multisim仿真:
三、其他元器件管
3.1 電容
定義:
它有兩個電極板,和中間所夾的介質(zhì)封裝而成,具有特定功能的電子器件。
作用:
旁路、去耦、濾波、和儲能的作用。
①旁路電容
使輸入電壓均勻化,減小噪聲對后級的影響。
進行儲能,當外界信號變化過快時,及時進行電壓的補償。
②去耦電容
去耦電容和旁路電容的作用是差不多的,都有濾除干擾信號的作用,只是旁路電容針對的是輸入信號,而去耦電容針對的是輸出信號。
去耦電容一般比較大10uF或更大,旁路電容一般根據(jù)諧振頻率是0.1uF或0.01uF。
③濾波和儲能的電容
濾除雜波,大電容濾低頻,小電容濾高頻
收集電荷
④實際場景下的電容
鋁電容的長腳為正極,短接為負極,或者電容上標有銀色的一邊為負極,瓷片電容和獨石電容無極性,但設備生產(chǎn)中也有工藝要求。
總結(jié):
電源上的電容作用一般是濾除電源電壓的波動。
小電容濾高頻,大電容濾低頻,并且還提供一定的電壓儲備,以備后續(xù)電路的需要對于一些千擾性強的環(huán)境,電容的加入可以減少很多電路控制上不必要的麻煩,在使用電容時,還要注意耐壓值和反接問題。
電容使用的取值大小可以參考別人的一些電路,很多都是工程上的一些經(jīng)驗
3.2 光耦
定義:
光耦實現(xiàn)了是一種“電-光-電”的轉(zhuǎn)換。
實物與符號:
multisim仿真:
3.3 發(fā)聲器件
定義:
作為電子訊響器,運用其發(fā)聲特性,作為提示或播放等功能。
實物圖:
圖1為喇叭,無極性器件(沒有正負之分),無源蜂鳴器(內(nèi)部沒有振蕩源),所以直流不能驅(qū)動,需要2KHZ~5KHZ的方波才能使其發(fā)出聲響
圖2為蜂鳴器,有極性(長腳為正,短接為負),有源蜂鳴器(內(nèi)部含有震蕩源),當給予1.5V~15V的電壓后,就會發(fā)出聲響。
3.4 繼電器
定義:
它是一種“自動開關”,通過低電壓、小電流去控制高電壓、大電流。
繼電器術語:
常開觸點與常閉觸點
實物圖:
觀察的數(shù)值:
驅(qū)動電壓
可以承受的控制信號量值
multisim仿真:
3.5 瞬態(tài)電壓抑制器
定義:
它是一種二極管形式的高效能的保護器件,防止瞬態(tài)高能量時沖擊時,保護精密器件免受各種浪涌脈沖的損壞。
作用:
加在信號和電源線上,能防止微處理器,人體靜電、交流浪涌或噪聲,導致處理器的失靈。
能釋放超過10000V,60A以上的脈沖,并能持續(xù)10ms,而一般的TTL器件,遇到30ms的10V脈沖時,便會導致?lián)p壞,所以利用TVS是既可以防止器件損壞,也可以防止總線之間開關引起的干擾。
將TVS放置在信號線和地之間,能避免數(shù)據(jù)及控制總線受到不必要噪聲的影響。
典型電路:
實物:
-- END --
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