AMC0x30R-Q1 是一款精密的電隔離放大器，具有 ±1V 高阻抗輸入和比例式單端輸出。高阻抗輸入針對與高阻抗電阻分壓器或具有高輸出電阻的其他電壓信號源的連接進(jìn)行了優(yōu)化。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：AMC0330R-Q1具有比例式單端輸出的汽車級±1V輸入、基礎(chǔ)型隔離和增強(qiáng)型隔離精密放大器技術(shù)手冊.pdf

隔離柵將在不同共模電壓電平下運(yùn)行的系統(tǒng)器件隔開。該隔離柵抗電磁干擾性能極強(qiáng)。該隔離柵經(jīng)過認(rèn)證，可提供高達(dá) 5kVRMS 的增強(qiáng)型隔離（DWV 封裝）和高達(dá) 3kVRMS 的基礎(chǔ)型隔離（D 封裝）(60s)。

AMC0x30R-Q1 輸出與輸入電壓成正比的單端信號。滿標(biāo)量程輸出由施加到 REFIN 引腳的電壓來設(shè)置。AMC0x30R-Q1 的輸出設(shè)計(jì)為直接連接到 ADC 的輸入端。將 REFIN 連接到與 ADC 相同的基準(zhǔn)電壓，以便匹配 ADC 的動態(tài)輸入電壓范圍。

AMC0x30R-Q1 器件采用 8 引腳、寬體和窄體 SOIC 封裝，額定溫度范圍為 –40°C 至 +125°C。

特性

• 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)：
  • 溫度等級 1：–40°C 至 +125°C，TA
• 線性輸入電壓范圍：±1V
• 高輸入阻抗：1GΩ（典型值）
• 電源電壓范圍：
  • 高側(cè) (VDD1)：3.0V 至 5.5V
  • 低側(cè) (VDD2)：3.0V 至 5.5V
• 單端輸出，與 VREFIN 成比例
  • 基準(zhǔn)輸入：2.7V 至 5.5V
• 低直流誤差：
  • 失調(diào)電壓誤差：±1.5mV（最大值）
  • 溫漂：±20μV/°C（最大值）
  • 增益誤差：±0.25%（最大值）
  • 增益漂移：±40ppm/°C（最大值）
  • 非線性度：0.05%（最大值）
• 高 CMTI：50V/ns（最小值）
• 低 EMI：符合 CISPR-11 和 CISPR-25 標(biāo)準(zhǔn)
• 隔離等級：
  • AMC0230R-Q1：基礎(chǔ)型隔離
  • AMC0330R-Q1：增強(qiáng)型隔離
• 安全相關(guān)認(rèn)證：
  • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
  • UL1577

引腳配置和功能

時序圖

典型應(yīng)用
在典型應(yīng)用中，AMC0x30R-Q1 的高側(cè)電源 (VDD1) 由隔離式直流/直流轉(zhuǎn)換器從低側(cè)電源 (VDD2) 生成。一種低成本的方案基于推挽式驅(qū)動器 SN6501-Q1 和支持所需隔離電壓額定值的變壓器。
AMC0x30R-Q1 無需任何特定的上電時序。高側(cè)電源 (VDD1) 通過與低 ESR、1μF 電容器 (C2) 并聯(lián)的低 ESR、100nF 電容器 (C1) 進(jìn)行去耦。低側(cè)電源 (VDD2) 同樣通過與低 ESR、1μF 電容器 (C4) 并聯(lián)的低 ESR、100nF 電容器 (C3) 進(jìn)行去耦。將所有四個電容器（C1、C2、C3 和 C4）盡可能靠近器件放置。圖 9-1 展示了AMC0x30R-Q1 的去耦圖。

在應(yīng)用中出現(xiàn)的適用直流偏置條件下，電容器提供了足夠的有效電容。在實(shí)際條件下，通常僅使用多層陶瓷電容器 (MLCC) 標(biāo)稱電容的一小部分。在選擇這些電容器時，應(yīng)考慮到這個因素。此問題在低厚度電容器中尤為嚴(yán)重，在該類電容器中，電容器越薄，電介質(zhì)電場強(qiáng)度越大。知名電容器制造商提供了電容與直流偏置關(guān)系曲線，
這大大簡化了元件的選型。