概述
HMC774A是一款通用型砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、雙平衡混頻器芯片，可用作7 GHz至40 GHz頻率范圍內的上變頻器或下變頻器。此混頻器無需外部元件或匹配電路。

HMC774A采用經過優化的巴倫結構，提供出色的本振(LO)至射頻(RF)及LO至中頻(IF)抑制性能。該混頻器采用13 dBm的LO驅動電平工作，具備出色的性能。HMC774A還可作為表貼技術形式的HMC774ALC3B提供。
數據表：*附件：HMC774A GaAs MMIC基波混頻器，7-43GHz技術手冊.pdf

應用

• 點對點無線電
• 點對多點無線電和甚小孔徑終端(VSAT)
• 測試設備和傳感器
• 軍用最終用途

特性

• 下變頻器
  • 變頻損耗
    • 10.5 dB（典型值，7 GHz至22 GHz）
    • 11 dB（典型值，22 GHz至40 GHz）
  • LO至RF隔離
    • 34 dB（典型值，7 GHz至22 GHz）
    • 32 dB（典型值，22 GHz至40 GHz）
  • LO至IF隔離
    • 32 dB（典型值，7 GHz至22 GHz）
    • 50 dB（典型值，22 GHz至40 GHz）
  • LO至IF隔離
    • 14 dB（典型值，7 GHz至22 GHz）
    • 29 dB（典型值，22 GHz至40 GHz）
• IP3：20 dBm（典型值）
• IP2：40 dBm（典型值）
• 針對P1dB的輸入功率
  • 11 dBm（典型值，7 GHz至22 GHz）
  • 12 dBm（典型值，22 GHz至40 GHz）
• IF頻率范圍：DC至10
• 無源，無需直流偏置
• 小尺寸：1.38 mm × 0.81 mm × 0.102 mm

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

典型應用電路

圖40展示了HMC774A的典型應用電路。HMC774A是一款無源器件，不需要任何外部組件。本振（LO）引腳和射頻（RF）引腳內部采用交流耦合。當直到直流（dc）才需要中頻（IF）操作時，建議在中頻端口使用一個交流耦合電容。

毫米波砷化鎵單片微波集成電路 （MMIC）的安裝與鍵合技術

使用共晶焊接或導電環氧樹脂將芯片直接連接到接地層。

為了將射頻信號引入和引出芯片，在厚度為0.127毫米（0.005英寸）的氧化鋁薄膜基板上使用50歐姆的微帶傳輸線（見圖42）。

如果使用0.254毫米（0.010英寸）厚的氧化鋁薄膜基板，需將芯片抬高0.150毫米（0.005英寸）， 使芯片表面與基板表面共面。

實現共面的一種方法是將0.102毫米（0.004英寸）厚的芯片連接到0.150毫米（0.005英寸）厚的鉬散熱片（鉬片）上，然后將鉬片連接到接地層（見圖43）。

微帶基板應盡可能靠近芯片，以盡量縮短鍵合線的長度。芯片與基板之間的典型間距為0.076毫米（0.003英寸）。建議使用寬度為0.076毫米（0.003英寸）且最小長度小于0.31毫米（小于0.012英寸）的鍵合線，以盡量減小射頻、本振和中頻端口上的電感 。