概述
HMC292A芯片是一款微型、無源、砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、雙平衡混頻器，可用作14 GHz至32 GHz RF頻率范圍內的上變頻器或下變頻器，芯片面積較小。片內巴倫提供出色的隔離性能，無需外部元件和直流偏置。所有數據均采用50 ?測試夾具中的芯片測得，該夾具通過直徑為0.076 mm（0.003英寸）、最小長度小于0.31 mm（小于0.012英寸）的焊線連接。
數據表：*附件：HMC292A 14GHz至32GHz、GaAs、MMIC、雙平衡混頻器技術手冊.pdf

應用

• 微波和甚小孔徑終端(VSAT)無線電
• 測試設備
• 點對點無線電
• 軍事電子戰(EW)、電子對抗(ECM)、以及指揮、控制、通信和情報(C3I)

特性

• 無源： 無需直流偏置
• 轉換損耗（下變頻器）：9 dB（典型值，14 GHz至30 GHz時）
• 單邊帶噪聲指數：11 dB（典型值，14 GHz至30 GHz時）
• 輸入IP3（下變頻器）：20 dBm（典型值，14 GHz至30 GHz時）
• 輸入P1dB壓縮點（下變頻器）：12 dBm（典型值，14 GHz至30 GHz時）
• 輸入IP2：53 dBm（典型值，14 GHz至30 GHz時）
• RF至IF隔離：30 dB（典型值，14 GHz至30 GHz時）
• LO至RF隔離：46 dB（典型值，14 GHz至30 GHz時）
• LO至IF隔離：34 dB（典型值，14 GHz至30 GHz時）
• RF回波損耗：10 dB（典型值，14 GHz至30 GHz時）
• LO回波損耗：9 dB（典型值，14 GHz至30 GHz時）
• 寬IF頻率范圍：DC至8 GHz
• 小尺寸：7焊盤裸片[芯片]

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

應用信息

圖 35 展示了 HMC292A 的典型應用電路。HMC292A 是一款無源器件，不需要任何外部組件。本振（LO）引腳和射頻（RF）引腳在內部進行交流耦合。中頻（IF）引腳在內部進行直流耦合。若不需要直流的中頻操作，使用一個外部串聯電容。選擇一個處于必要中頻頻率范圍內的值。

裝配圖
圖36顯示了組裝圖。

毫米波GaAs單片集成電路的安裝和鍵合技術

安裝與連接技術

使用共晶焊接或導電環氧樹脂將芯片直接連接到接地層。

為了將射頻信號引入或引出芯片，在厚度為0.127毫米（0.005英寸）的氧化鋁薄膜基板上使用50歐姆的微帶傳輸線（見圖37）。

如果必須使用0.254毫米（0.010英寸）厚的氧化鋁薄膜基板，需將芯片抬高0.150毫米（0.006英寸），使芯片表面與基板表面共面。

實現此目的的一種方法是將0.102毫米（0.004英寸）厚的芯片連接到0.150毫米（0.006英寸）厚的鉬散熱片（鉬片）上，然后再將鉬片連接到接地層（見圖38）。

微帶基板應盡可能靠近芯片，以盡量縮短鍵合線的長度。芯片與基板之間的典型間距為0.076毫米（0.003英寸）。建議使用寬度為0.076毫米（0.003英寸）且最小長度小于0.31毫米（小于0.012英寸）的金絲鍵合線，以盡量減小射頻、本振和中頻端口上的電感。