概述

HMC524ALC3B是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q混頻器，采用符合RoHS標準的無引腳SMT陶瓷封裝。 該器件可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。 該混頻器采用兩個標準雙平衡混頻器單元和一個90度混合器件，均采用GaAs MESFET工藝制造。 低頻正交混合器件用于產生100 MHz IF輸出。 該產品為混合型鏡像抑制混頻器和單邊帶上變頻器組件的小型替代器件。 HMC524ALC3B無需線焊，可以使用表貼制造技術。
數據表：*附件：HMC524ALC3B GaAs MMIC I Q混頻器技術手冊.pdf

特性

• 無源：無需直流偏置
• 轉換損耗： 9 dB
• 鏡像抑制： 20 dB（典型值）
• LO至RF隔離：35 dB（典型值）
• LO至IF隔離：25 dB（典型值）
• IP3：18 dBm（典型值）
• P1dB：17 dBm（典型值）
• 中頻引腳頻率：DC ? 4.5 GHz
• 12引腳、3 mm × 3 mm SMT陶瓷封裝

應用

• 點對點和點對多點無線電
• VSAT
• 測試設備和傳感器
• 軍用最終用途

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

應用信息

圖80展示了HMC524ALC3B的典型應用電路。為選擇合適的邊帶，需要一個外部90°混合耦合器。對于不需要直流工作的應用，使用片外隔直電容。對于需要抑制輸出端本振信號的應用，如圖80所示，使用偏置三通或射頻饋電。確保每個中頻(IF)端口用于本振抑制的源電流或灌電流小于2毫安，以防止損壞器件。每個中頻端口的共模電壓為0V。

若用作上變頻器來選擇上邊帶，將IF1引腳連接到混合耦合器的90°端口，IF2引腳連接到混合耦合器的0°端口。若選擇下邊帶，將IF1引腳連接到混合耦合器的0°端口，IF2引腳連接到混合耦合器的90°端口。輸入來自混合耦合器的差端口，并接50Ω終端。

若用作下變頻器且本振處于低端（low - side LO）來選擇上邊帶，將IF1引腳連接到混合耦合器的0°端口，IF2引腳連接到混合耦合器的90°端口。若本振處于高端（high - side LO）來選擇下邊帶，將IF1引腳連接到混合耦合器的90°端口，IF2引腳連接到混合耦合器的0°端口。輸出來自混合耦合器的和端口，差端口接50Ω終端。

應用中使用的EVHMC524ALC3B評估印刷電路板（PCB）必須采用射頻電路設計技術。信號線必須具有50Ω阻抗，并將封裝接地引腳和外露焊盤直接連接到接地層，如圖82所示。使用足夠數量的過孔連接頂層和底層接地層。圖82中的評估電路板可根據需求從亞德諾半導體（Analog Devices, Inc.）獲取。

布局

將HMC524ALC3B底面的外露焊盤焊接到具有低熱阻和低電阻抗的接地平面上。此焊盤通常焊接到評估板上的外露開口阻焊層上。將這些接地過孔連接到所有其他接地層，并連接封裝接地引腳和外露焊盤，以實現最大散熱效果。圖81展示了EVHMC524ALC3B評估板的PCB焊盤圖形和封裝尺寸。
圖81. EVHMC524ALC3B的PCB焊盤圖形和封裝尺寸