概述
LTC5569 雙通道有源下變頻混頻器專為要求低功率和小尺寸的分集和 MIMO 接收機應用而優化。 每個混頻器包括一個獨立的 LO 緩沖器放大器、有源混頻器內核以及偏置電路和使能引腳。 該 IC 的對稱性可確保給每個混頻器施加一個相位和幅度相干的 LO。

RF 輸入在 1.4GHz 至 3.3GHz 的范圍內 50Ω 匹配，并可利用簡單的外部匹配處理輕松實現針對較高或較低 RF 頻率的匹配。 LO 輸入在 1GHz 至 3.5GHz 的范圍內 50Ω 匹配，即使在一個混頻器被停用或者兩個混頻器均被停用的情況下也不例外。 利用簡單的外部匹配處理可很容易地使 LO 輸入實現針對較高或較低頻率 (低至 350MHz) 的匹配。 低電容差分 IF 輸出可在高達 1.6GHz 的頻率條件下使用。
數據表：*附件：LTC5569 300MHz至4GHz 3.3V雙通道有源下變頻混頻器技術手冊.pdf

應用

• 無線基礎設施分集接收機
• MIMO (多輸入多輸出) 基礎設施接收機
• 遠程射頻單元

特性

• 高 IIP3：26.8dBm (在 1950MHz)
• 2dB 轉換增益
• 低噪聲指數：11.7dB (在 1950MHz)
• 在 5dBm 隔離條件下噪聲指數 (NF) 為 17dB
• 44dB 通道隔離
• 低功率：3.3V/600mW 總值
• 非常小的解決方案外形尺寸
• 用于每個混頻器的使能引腳
• 寬 IF 頻率范圍
• 在所有模式中 LO 輸入 50Ω 匹配
• -40℃ 至 105℃ 工作溫度范圍
• 16 引腳 (4mm x 4mm) QFN 封裝

典型應用

引腳配置

引腳功能

• RFA/RFB（引腳1/引腳4） ：分別為A混頻器和B混頻器的單端射頻輸入引腳。這些引腳內部連接到集成射頻變壓器的初級繞組，其初級繞組對地直流電阻較低。當射頻信號源存在直流電壓時，需使用串聯隔直電容。在混頻器啟用的情況下，射頻輸入在1.4GHz至3.3GHz范圍內為50Ω阻抗匹配。使用外部匹配時，工作頻率低至300MHz或高達4GHz也是可行的。
• GND（引腳2、3、10，外露焊盤引腳17） ：接地引腳。這些引腳必須焊接到電路板上的射頻接地層。封裝的外露焊盤金屬層可提供與接地層的電氣連接，并且有助于良好的散熱。
• LO（引腳11） ：單端本振輸入引腳。該引腳內部連接到集成變壓器的初級繞組，其初級繞組對地直流電阻較低。需使用串聯隔直電容，以避免損壞內部變壓器。該輸入在1GHz至3.5GHz范圍內為50Ω阻抗匹配，即使兩個混頻器都禁用也如此。使用外部匹配時，工作頻率低至350MHz或高達4500MHz也是可行的。
• ENA/ENB（引腳12/引腳9） ：分別為A混頻器和B混頻器的使能引腳。當輸入電壓大于2.5V時，混頻器啟用；當輸入電壓小于0.3V時，混頻器禁用。典型的輸入電流小于30μA。這些引腳內部有下拉電阻。
• VccA/VccB（引腳13/引腳8） ：分別為A混頻器和B混頻器的電源引腳。這些引腳必須連接到經過穩壓的3.3V電源，并在引腳附近連接旁路電容。每個引腳的典型直流電流消耗為34mA。
• IFA+/IFA-（引腳15/引腳14），IFB+/IFB-（引腳6/引腳7） ：分別為A混頻器和B混頻器的集電極開路差分中頻輸出引腳。這些引腳必須通過阻抗匹配電感或變壓器中心抽頭連接到Vcc電源。每個引腳的典型直流電流消耗為28mA。
• BIASA/BIASB（引腳16/引腳5） ：這些引腳可用于調整混頻器的直流電源電流，A混頻器和B混頻器對應的典型開路直流電壓分別為2V和2.2V。為獲得最佳性能，這些引腳應開路。

框圖

應用信息

簡介

LTC5569集成了兩個相同、對稱的雙平衡有源混頻器，具有公共本振（LO）輸入、獨立的射頻（RF）輸入和獨立的中頻（IF）輸出。有關每個引腳功能的描述，請參見“引腳功能”和“框圖”部分。圖1展示了測試電路原理圖，其中包含了實現數據手冊規定性能所需的所有外部組件。可能會使用一些額外的組件來調整直流電源電流或頻率響應，具體將在以下部分討論。

LO和RF輸入均為單端輸入，IF輸出為差分輸出。可采用低側或高側LO注入。如圖1所示的測試電路，利用了一個帶通IF輸出匹配電路和一個8:1變壓器，以實現50Ω單端IF輸出。評估板布局如圖2所示。

RF輸入

A通道混頻器RF輸入的簡化原理圖如圖3所示。B通道與之相同，為簡潔起見未展示。如圖所示，集成RF變壓器初級繞組的一端連接到引腳1，另一端在內部直流接地。因此，如果RF信號源存在直流電壓，則需要一個串聯隔直電容（C1）。初級繞組的直流電阻約為4Ω。RF變壓器的次級繞組內部連接到RF緩沖放大器。

在1400MHz至3300MHz范圍內，RF輸入通過每個輸入上的2.7pF串聯電容實現50Ω匹配。通過添加圖3中所示的并聯電容C3，可輕松實現對更高頻率的RF匹配。對于低于500MHz的RF頻率，需使用串聯電容。