概述
LT5578 混頻器是一款高性能上變頻混頻器，專為 0.4GHz 至 2.7GHz 范圍內的頻率而優化。 單端 LO 輸入和 RF 輸出端口簡化了電路板布局，并降低了系統成本。 該混頻器僅需 -1dBm 的 LO 功率，而且，平衡設計產生了至 RF 輸出的低 LO 信號泄漏。 在 1.9GHz 工作頻率條件下，LT5578 提供了 -0.7dB 的轉換增益、24.3dBm 的高 OIP3 和一個 -158dBm/Hz 的低噪聲層 (在 -5dBm RF 輸出信號電平條件下)。

LT5578 提供了無源混頻器的一種高性能替代方案。 與具有轉換損耗并需要高 LO 驅動電平的無源混頻器不同，LT5578 可在低得多的 LO 輸入電平條件下提供轉換增益，而且對 LO 功率電平變化不太敏感。 較低的 LO 驅動電平要求，再加上卓越的 LO 泄漏性能，將降低輸出信號的 LO 信號污染。
數據表：*附件：LT5578 0.4GHz至2.7GHz高線性度上變頻混頻器技術手冊.pdf

應用

• GSM 900PCS/1800PCS 和 W-CDMA 基礎設施
• LTE (長期演進) 和 WiMAX 基站
• 無線轉發器
• 公共安全無線電

特性

• 高輸出 IP3：
  • 27dBm (在 0.9GHz)
  • 24.3dBm (在 1.95GHz)
• 低噪聲層：-158dBm/Hz (POUT = -5dBm)
• 高轉換增益：1.4dB (在 0.9GHz)
• 噪聲系數：8.6dB
• 低 LO 至 RF 泄漏：-43dBm
• 單端 RF 和 LO 端口
• 低 LO 驅動電平：-1dBm
• 單 3.3V 電源
• 5mm x 5mm QFN24 封裝 (引腳與 LT5579 兼容)

引腳配置描述

引腳功能

• GND（引腳1、2、5 - 7、12 - 14、16 - 21、23、24） ：接地引腳。這些引腳內部連接到外露焊盤，應焊接到印刷電路板上的低阻抗射頻地。
• IF?、IF?（引腳3、4） ：差分中頻輸入引腳。共模電壓默認內部設置為565mV。每個引腳的直流電流由外部電阻值決定，每個引腳的最大直流電流為45mA。
• Vcc（引腳8 - 11） ：芯片電源引腳。這些引腳內部相連，典型電流消耗為152mA。這些引腳應通過外部旁路電容（1000pF、100pF和10pF）連接在一起，電容應盡可能靠近引腳放置。
• RF（引腳15） ：單端射頻輸出引腳。該引腳連接到內部變壓器繞組，繞組另一端內部接地。可能需要進行阻抗變換以匹配輸出，并且如果下一級有直流偏置電壓，則需要直流去耦電容。
• LO（引腳22） ：單端本振輸入引腳。內部串聯電容起到隔直作用。
• Exposed Pad（引腳25） ：接地引腳，用于整個芯片的電氣和熱連接。該焊盤必須焊接到印刷電路板上的低阻抗射頻地，且此接地還需提供散熱路徑。

框圖

典型應用

以下示例說明了LTC5578在某些特定應用中的實現方式和性能。這些電路是使用圖12所示的電路板布局進行評估的。

450MHz應用

在此應用中，對LTC5578進行評估的條件為：中頻輸入為700MHz，射頻輸出為450MHz，采用高側本振。本振調諧至高側本振注入頻率520MHz。三個端口的匹配網絡如圖8所示。

在中頻輸入處，560pF電容主要用作隔直電容，同時也有助于調諧變壓器的寄生電感。82pF差分電容與3.3nH芯片電感在中頻輸入引腳與變壓器之間形成阻抗變換。相對較低的輸入頻率意味著芯片電感的串聯損耗較小，這一點在圖3中有所體現。測量得到的中頻端口回波損耗包含在圖3中。

射頻端口匹配通過一個串聯12pF電容和一個18nH電感實現。在該應用中，從約430MHz到505MHz的回波損耗優于10dB，如圖7所示。

為了調諧本振端口，使用了一個串聯6.8pF電容和并聯4.7pF電容，如圖5所示。此組合在435MHz至580MHz范圍內提供10dB或更好的回波損耗。串聯電容還為LO輸入處的內部變壓器提供隔直功能。

圖9展示了測量得到的變頻增益、噪聲系數和三階交調截點（OIP3）隨射頻輸出頻率的變化關系。在450MHz時，增益為 - 2.1dB，噪聲系數為9.3dB，OIP3為23.8dBm。

2600MHz應用

在此應用中，優化了射頻端口在2600MHz的阻抗匹配，在2200MHz至2900MHz范圍內具有良好的回波損耗。表5中列出了元件值，典型輸出回波損耗如圖7所示。中頻輸入按照表2中的描述在240MHz進行匹配。本振端口在1.5GHz以上頻率無需外部匹配，因其回波損耗良好。