本文主要是針對隔離式數(shù)字輸入接收器ISO1212的浪涌防護(hù)方案,采用湖南靜芯研發(fā)的TDS浪涌保護(hù)器件對芯片進(jìn)行浪涌防護(hù),保護(hù)設(shè)備免受電氣系統(tǒng)中的浪涌電壓或浪涌電流的損害,確保設(shè)備的安全性。
一、ISO1212介紹
ISO1212器件是隔離式24V至60V數(shù)字輸入接收器,符合IEC61131-2 1類、2類和3類特性標(biāo)準(zhǔn)。此器件可以在可編程邏輯控制器(PLC)、電機控制、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施和其他工業(yè)應(yīng)用中實現(xiàn)9V至300V直流和交流數(shù)字輸入模塊。不同于具有分立式、不精確電流限制電路的傳統(tǒng)光耦合器解決方案,ISO1212器件提供具有精確電流限制的簡單低功耗解決方案,可實現(xiàn)緊湊型和高密度I/O模塊的設(shè)計。這些器件不需要現(xiàn)場側(cè)電源,可配置為拉電流或灌電流輸入。
二、TDS器件介紹
TDS(平緩鉗位浪涌抑制器)具有精準(zhǔn)且恒定的觸發(fā)電壓、優(yōu)異的鉗位性能及穩(wěn)定的溫度特性,可為系統(tǒng)提供更全面保護(hù)。當(dāng) EOS 事件來臨時,瞬態(tài)電壓攀升至超過集成精密觸發(fā)器所設(shè)定的擊穿電壓(VBR)閾值,觸發(fā)電路精確的開啟內(nèi)置泄流場效應(yīng)晶體管,有效的將瞬態(tài)高壓與大電流安全釋放到地。由于TDS的內(nèi)置泄流場效應(yīng)晶體管具有極低的導(dǎo)通電阻,其鉗位電壓在額定峰值脈沖電流范圍內(nèi)幾乎是恒定的。
在選擇浪涌防護(hù)器件時,許多工程師會優(yōu)先選擇TVS二極管,實際上大電流TDS芯片在成本和性能、面積上比TVS更具優(yōu)勢。TDS器件的優(yōu)勢如下:
在提供相同保護(hù)的情況下,TDS耗散浪涌能量較小,能通過自身特性將過壓與過流事件高效泄放到地,從而避免增加自身熱損耗。
TDS器件體積小巧,結(jié)構(gòu)緊湊,為硬件工程師設(shè)計高度集成型解決方案提供了更優(yōu)選擇。如果應(yīng)用需要超過單個TDS器件所能提供的特定鉗位電壓, 可以將多個TDS器件串聯(lián),提供了更多的靈活性。
TDS器件的鉗位電壓通常比傳統(tǒng)TVS保護(hù)設(shè)備的鉗位電壓低30%,減少了系統(tǒng)的電氣應(yīng)力,可以更好的保護(hù)后端IC,也為系統(tǒng)中的其他組件創(chuàng)造了更大的安全余量。
TDS器件在額定峰值脈沖電流范圍內(nèi)擁有幾乎恒定的鉗位電壓。傳統(tǒng)TVS二極管的箝位電壓隨著峰值脈沖電流的增加而增加,而TDS器件的鉗位電壓在最大峰值脈沖電流之前幾乎保持不變。
TDS器件的鉗位電壓在工作溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定,而傳統(tǒng)TVS二極管的鉗位電壓隨溫度變化。TDS器件擁有卓越的耐用性,在工作規(guī)格內(nèi)性能不會下降,仍能保證低漏電和高鉗位電壓。
三、應(yīng)用方案
圖1?應(yīng)用方案
上圖部分詳細(xì)介紹了使用數(shù)字輸入接收器ISO1212設(shè)計電壓等級為24-V或48-V的二進(jìn)制輸入。這是一個帶集成電源的隔離數(shù)字輸入接收器,簡化了整個系統(tǒng)設(shè)計。24-V輸入端使用由兩個工作電壓為33V的浪涌抑制器ESTVS3300DRVR反向串聯(lián)形成的雙向瞬態(tài)抑制器來防止過電壓和瞬態(tài);48-V輸入端由兩個工作電壓為55V的浪涌抑制器反向串聯(lián)形成的雙向瞬態(tài)抑制器來防止過電壓和瞬態(tài),工作電壓為55V的器件是由一個工作電壓33V的浪涌抑制器ESTVS3300DRVR和一個工作電壓22V的浪涌抑制器ESTVS2200DRVR正向串聯(lián)而成。
ESTVS2200DRVR和ESTVS3300DRVR是湖南靜芯新推出的TDS平緩浪涌抑制器,均符合IEC 61000-4-2 (ESD)規(guī)范,在 ±30kV(空氣)和 ±30kV(接觸)下提供瞬變保護(hù),采用小型 DFN 2mm x 2mm x 0.68mm 6引腳封裝。其中ESTVS2200DRVR通常用于保護(hù)工作電壓為20V、22V、24V的系統(tǒng),器件的觸發(fā)電壓典型值為25.6V,額定瞬態(tài)峰值脈沖電流可達(dá)70A(tp=8/20μs),鉗位電壓VC為30V以內(nèi);ESTVS3300DRVR通常用于保護(hù)工作電壓為28V、33V、36V的系統(tǒng)。觸發(fā)電壓為38.7V,額定瞬態(tài)峰值脈沖電流可達(dá)50A(tp=8/20μs),鉗位電壓VC為40V以內(nèi)。
四、器件電氣特性表
At TA = 25℃ unless otherwise noted
Parameter | Symbol | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Units |
Reverse Stand-off Voltage | VRWM | -0.5 | 22 | V | ||
Reverse Breakdown Voltage | VBR | IT=1mAfrom VDD/IO to GND | 24.6 | 25.6 | 26.6 | V |
Reverse Leakage Current | IR | VRWM=22Vfrom VDD/IO to GND | 0.5 | 60 | nA | |
Forward Voltage | VF | IT=1mA from GND to VDD/IO | 0.25 | 0.5 | 0.7 | V |
Forward Clamp Voltage | VFC | IPP=10A; tp=8/20μs | 1 | 2.7 | 5 | V |
Clamping Voltage | VC | IPP=10A; tp=8/20us | 25.6 | 26.1 | V | |
IPP=20A; tp=8/20us | 26 | 26.5 | V | |||
IPP=40A; tp=8/20us | 26.4 | 26.9 | V | |||
IPP=70A; tp=8/20us | 27.6 | 28.1 | V | |||
Dynamic Resistance | RDYN | tp=8/20us | 35 | mΩ | ||
Junction Capacitance | CJ | VR=22V; f=1MHz T=25℃ | 115 | pF |
表1 ESTVS2200DRVR電氣特性表
Parameter | Symbol | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Units |
Reverse Stand-off Voltage | VRWM | -0.5 | 33 | 36 | V | |
Reverse Breakdown Voltage | VBR | IT=1mAfrom VDD/IO to GND | 38 | 38.7 | 39.4 | V |
Reverse Leakage Current | IR | VRWM=33Vfrom VDD/IO to GND | 0.5 | 100 | nA | |
Forward Voltage | VF | IT=1mAfrom GND to VDD/IO | 0.517 | V | ||
Clamping Voltage | VC | IPP=24A; tp=8/20us | 38.2 | 38.7 | V | |
IPP=35A; tp=8/20us | 38.2 | 38.7 | V | |||
IPP=50A; tp=8/20us | 38.6 | 39.1 | V | |||
Dynamic Resistance | RDYN | tp=8/20us | 30 | mΩ | ||
Junction Capacitance | CJ | VR=25V; f=1MHz T=25℃ | 113 | pF |
表2ESTVS3300DRVR電氣特性表
五、總結(jié)與結(jié)論
ISO1212作為常用的數(shù)字輸入接收器,浪涌防護(hù)十分關(guān)鍵。靜芯公司推出的系列TDS芯片具有接近理想狀況的ESD和EOS保護(hù)特性,可以廣泛應(yīng)用于USB/雷電接口、工業(yè)機器人、IO-Link接口、工業(yè)傳感器、IIoT設(shè)備、可編程邏輯控制器(PLC)和以太網(wǎng)供電(PoE)等領(lǐng)域,可為系統(tǒng)提供更全面以及更可靠的保護(hù)。目前公司推出來ESTVS2200DRVR、ESTDS2211P、ESTVS3300DRVR、ESTDS3311P等型號,歡迎客戶前來咨詢選購。
審核編輯 黃宇
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