光子集成技術有助于提升新一代光學互連的帶寬和能效。

美國加利福尼亞圣克拉拉，（2018 年 3月 14日）—— 今天，格芯揭示硅光子路線圖的新信息，推動數(shù)據(jù)中心和云應用的新一代光學互連。格芯已經(jīng)用300 mm晶圓認證了行業(yè)首個90 nm制造工藝，同時宣布未來的45 nm技術將帶來更大的帶寬和能效。

格芯的硅光子技術旨在應對全球通信基礎設施中的大規(guī)模數(shù)據(jù)增長。不同于利用銅線電信號傳輸數(shù)據(jù)的傳統(tǒng)互連，硅光子技術使用光纖光脈沖，以更高的速度在更遠距離上傳輸數(shù)據(jù)并降低能耗。

“帶寬需求呈現(xiàn)爆炸式增長，現(xiàn)在迫切需要新一代的光學互連。” 格芯ASIC業(yè)務部高級副總裁Mike Cadigan表示，“不管是數(shù)據(jù)中心內(nèi)部芯片之間，還是相隔千里的云服務器之間，我們的硅光子技術都能讓客戶在前所未有的連接水平上傳送大量數(shù)據(jù)。”

格芯的硅光子技術可在單個硅芯片上并排集成微小光學組件與電路。“單芯片”方案利用標準硅制造技術，提高了客戶部署光學互連系統(tǒng)的效率，降低了成本。

現(xiàn)在可使用300 mm晶圓

格芯的當代硅光子產(chǎn)品依托90 nm RF SOI工藝，這項工藝充分發(fā)揮了公司在制造高性能射頻（RF）芯片方面積累的一流經(jīng)驗。平臺可以實施提供30GHz帶寬的解決方案，支持客戶端數(shù)據(jù)傳輸速率達到800 Gbps，同時使數(shù)據(jù)傳輸距離增加到120 km。

這項技術先前使用200 mm晶圓工藝，格芯位于紐約州東菲什基爾的10號晶圓廠現(xiàn)在認證了300 mm直徑的晶圓。采用300 mm晶圓有助于提高客戶產(chǎn)能和生產(chǎn)率，讓光子損失減少2倍，擴大覆蓋范圍，實現(xiàn)效率更高的光學系統(tǒng)。

Cadence Design Systems公司用于E/O/E、協(xié)同設計、極化、溫度和波長參數(shù)的完整PDK支持90 nm技術，并提供差異化光子測試能力，包括從技術認證和建模到MCM產(chǎn)品測試的五個測試部分。

未來路線圖

格芯新一代單芯片硅光子產(chǎn)品將采用45 nm RF SOI工藝，計劃于2019年投入生產(chǎn)。這項技術利用更先進的45 nm節(jié)點，功耗降低，體積減小，用于光學收發(fā)器產(chǎn)品的帶寬更高，可滿足新一代兆兆位應用。

關于格芯

格芯是全球領先的全方位服務半導體代工廠，為世界上最富有靈感的科技公司提供獨一無二的設計、開發(fā)和制造服務。伴隨著全球生產(chǎn)基地橫跨三大洲的發(fā)展步伐，格芯促生了改變行業(yè)的技術和系統(tǒng)的出現(xiàn)，并賦予了客戶塑造市場的力量。