LM2745/8 是高速同步降壓穩(wěn)壓控制器，具有精確的 反饋電壓精度為 ±1.5%。它可以提供簡單的下變頻至低輸出電壓 為 0.6V。雖然 IC 的控制部分的額定電壓為 3 至 6V，但驅(qū)動器部分的額定電壓為 設(shè)計用于接受高達(dá) 14V 的輸入電源軌。自適應(yīng)非重疊 MOSFET 的使用 柵極驅(qū)動器有助于避免潛在的擊穿問題，同時保持高效率。集成電路 旨在提供更具成本效益的選擇，即在兩個 高側(cè)和低側(cè)位置。它感應(yīng)低側(cè)開關(guān)壓降，以提供 簡單、可調(diào)的電流限制。
*附件：LM2745 48同步降壓控制器，帶預(yù)偏置啟動和可選Clk同步數(shù)據(jù)表.pdf

LM2745/8 采用固定頻率電壓模式 PWM 控制架構(gòu)，該架構(gòu) 可通過一個外部電阻器在 50 kHz 至 1 MHz 范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。此外，LM2745 還允許 開關(guān)頻率在 250 kHz 至 1 的范圍內(nèi)與外部時鐘信號同步 兆赫。這種寬開關(guān)頻率范圍為電源設(shè)計人員提供了靈活性 在組件尺寸、成本和效率之間實現(xiàn)更好的權(quán)衡。

功能包括能夠在輸出上預(yù)偏置負(fù)載下啟動、軟啟動、 輸入欠壓鎖定 （UVLO） 和電源正常（基于欠壓和過壓） 檢測）。此外，IC 的關(guān)斷引腳可用于提供啟動延遲，以及 soft-start 引腳可用于實現(xiàn)精確跟蹤，以便進(jìn)行排序 相對于外部導(dǎo)軌。

特性

• 開關(guān)頻率范圍為 50 kHz 至 1 MHz
• 開關(guān)頻率同步范圍 250kHz 至 1MHz（僅限 LM2745）
• 使用預(yù)偏置輸出負(fù)載啟動
• 功率級輸入電壓從 1V 到 14V
• 控制級輸入電壓為 3V 至 6V
• 輸出電壓可調(diào)低至 0.6V
• Power Good 標(biāo)志和關(guān)閉
• 輸出過壓和欠壓檢測
• 在整個溫度范圍內(nèi) ±1.5% 的反饋電壓精度
• 低側(cè)可調(diào)電流感應(yīng)
• 可調(diào)軟啟動
• 具有關(guān)斷和軟啟動引腳的跟蹤和排序
• TSSOP-14 封裝

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：LM2745/LM2748 同步降壓控制器
• ?制造商?：Texas Instruments（TI）
• ?主要特點?：
  • 高速同步降壓調(diào)節(jié)器，具有準(zhǔn)確的反饋電壓精度（±1.5%）
  • 可調(diào)節(jié)開關(guān)頻率范圍：50kHz至1MHz（LM2745）
  • 預(yù)偏置啟動功能
  • 可選外部時鐘同步（LM2745）
  • 電源良好標(biāo)志和關(guān)斷功能
  • 輸出過壓和欠壓檢測

2. 應(yīng)用領(lǐng)域

• 電纜調(diào)制解調(diào)器、DSL和ADSL
• 激光打印機(jī)和噴墨打印機(jī)
• 低壓電源模塊
• DSP、ASIC、核心和I/O電源

3. 功能特性

3.1 PWM 控制與頻率調(diào)節(jié)

• 固定頻率電壓模式PWM控制
• 開關(guān)頻率通過連接在FREQ/SYNC引腳和地之間的外部電阻調(diào)節(jié)
• LM2745允許將開關(guān)頻率同步到外部時鐘信號（250kHz至1MHz）

3.2 啟動與軟啟動

• 具有預(yù)偏置負(fù)載啟動能力
• 軟啟動功能通過SS/TRACK引腳實現(xiàn)，軟啟動時間由連接在該引腳上的電容器決定

3.3 電流限制與保護(hù)

• 通過感應(yīng)低側(cè)MOSFET的漏源電壓來實現(xiàn)簡單的可調(diào)電流限制
• 輸出過壓和欠壓保護(hù)
• 輸入欠壓鎖定（UVLO）

3.4 跟蹤與排序

• SS/TRACK引腳可用于跟蹤另一個電源的輸出電壓，實現(xiàn)精確的電壓排序
• SD引腳可用于實現(xiàn)啟動延遲和排序

4. 封裝與引腳

• ?封裝類型?：TSSOP-14
• ?引腳功能?：包括BOOT、LG、PGND、FB、VCC、SD、PWGD、FREQ/SYNC、SS/TRACK、SGND、EAO等

5. 電氣特性

• ?工作電壓范圍?：控制部分3V至6V，驅(qū)動部分1V至14V
• ?軟啟動源電流?：7μA（典型值），14μA（最大值）
• ?I SEN引腳源電流?：25μA（典型值），55μA（最大值）
• ?高側(cè)和低側(cè)MOSFET驅(qū)動電阻?：上拉和下拉電阻均較低，以提高效率

6. 設(shè)計考慮

• ?輸入和輸出電容器?：選擇具有低ESR和高紋波電流能力的電容器
• ?輸出電感器?：根據(jù)輸出電流紋波和效率要求選擇合適的電感值
• ?MOSFET選擇?：根據(jù)成本、尺寸和效率要求進(jìn)行權(quán)衡
• ?控制環(huán)路補(bǔ)償?：使用III型補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)以實現(xiàn)最佳的帶寬和相位裕度

7. 布局與散熱

• 推薦使用地平面來減少噪聲和電壓降
• 關(guān)鍵引腳（如VIN、VCC、BOOT）需要解耦電容器，并應(yīng)盡可能靠近IC放置
• 注意散熱設(shè)計，以避免IC過熱