行業背景

隨著新能源汽車、5G、AI等新型應用領域爆發，MOS管在電機驅動等場景需求也隨之激增，國產替代加速，對MOS管的工藝和性能提出了更高的要求。作為重要的分立元器件之一，如此微小而精密的電子元器件是如何生產的呢?其中又涉及到哪些高科技工藝?今天合科泰帶您進入MOS管的微觀世界。

MOS管的構成與原理

MOS管全稱是MOSFET，核心結構包括半導體基地、絕緣層、柵極、源極與漏極、寄生二極管。通過電場調控和半導體特性協同，可以實現高效的電能控制與信號放大功能。半導體基地(襯底)作為載體，柵極施加電壓后，絕緣層下方電場可在襯底表面形成導電溝道;源極注入載流子，漏極收集載流子導通電流，通過寄生二極管固定封裝極性，簡化電路設計。

MOS管制造工藝流程

MOS管的制作流程復雜且精密，主要涉及到8個大的流程，襯底準備、氧化層形成、光刻與柵極制作、源漏區摻雜、退火處理、金屬化與互連。根據不同結構的制作內容進行分類說明如下：

1、材料選擇：選擇高純度的單晶硅，使用機械拋光和化學清洗的方式去除表面雜質。

2、預處理：去除雜質的硅片需經過退火以及氧化處理，可形成初始氧化層增強表面的穩定性，比如二氧化硅。

3、熱氧化：把硅片放置到高溫爐，其中通入氧氣和水蒸氣，可以生成通常厚度為20-300nm的二氧化硅絕緣層。

4、化學氣相沉積CVD：通過氣體反應物在硅的表面沉積二氧化硅，可以用在形成柵氧化層或者場氧化層。

5、多晶硅沉積：用CVD或者PVD的方法在在絕緣層上沉積厚度約200-300nm的多晶硅層。

6、光刻與刻蝕：涂覆光刻膠并曝光掩膜圖案，顯影后保留柵極區域的多晶硅;干法刻蝕去除多余多晶硅，形成柵極結構。

7、離子注入：通過光刻定義源漏區窗口，注入磷(N型)或硼(P型)離子，形成低摻雜濃度區域(LDD區)高溫退火(約1000℃)激活摻雜劑并修復晶格損傷

8、高摻雜：在源漏區邊緣進行二次離子注入，形成高摻雜濃度區域(如N+或P+)，降低接觸電阻

合科泰MOS管推薦

基于上述精密工藝，合科泰建立了一套標準化、流程化的品質管理體系，全方位保證產品的質量，覆蓋多場景應用需求的MOS管產品。以下是合科泰精選在導通電阻、開關速度、耐壓能力等關鍵指標具有顯著優勢的MOS管，詳細參數如下：

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公司介紹

合科泰成立于1992年,是一家集研發、設計、生產、銷售一體化的專業元器件高新技術及專精特新企業。

產品包括：

1、半導體封裝材料;2、被動元件，主要有：電阻、電容、電感;3、半導體分立器件，主要有：MOSFET、TVS、肖特基、穩壓管、快恢復、橋堆、二極管、三極管及功率器件，電源管理IC及其他集成電路等。

合科泰設有兩個智能生產制造中心：

1、中國華南地區的制造中心，位于惠州市博羅縣的合科泰科技智能制造園區，建筑面積75000㎡，擁有先進設備及檢測儀器1000多臺，在當地配套集團物流配送中心，而東莞塘廈生產中心為目前生產基地;

2、中國西南地區的制造中心，位于四川省南充市順慶區科創中心，廠房面積35000㎡，擁有先進設備和檢測儀器儀表約2000臺;

2024年合科泰全面拓寬產品線，在四川南充成立三家子公司，分別是順芯半導體、南充安昊、南充晶科，主要負責研發生產半導體封裝材料;產品線拓寬后將最大程度滿足客戶需求。

合科泰堅持客戶至上、品質第一、創新驅動、以人為本的經營方針，為客戶提供一站式應用解決方案服務。同時合科泰提供半導體芯片和分立器件封裝測試OEM代工等綜合性業務。合科泰在集成電路設計、芯片測試、分立器件工藝設計、可靠性實驗等方面積累了豐富核心技術儲備，擁有國家發明專利、實用新型專利等100多項。

合科泰通過了ISO9001、ISO14001、IATF16949體系認證。

產品廣泛應用于電源、照明、醫療電子、小家電、通信、安防儀器、工控、汽車電子等領域。