隨著服務器和人工智能應用的發展，CPU/GPU的功率越來越高，為了降低傳輸損耗，傳統供電架構已經從12V升級到48V。受限于服務器內的空間尺寸，需要高功率密度的電源幫助實現從48V到12V的供電轉換。

英諾賽科針對48V架構開發了兩款行業領先的降壓電源方案（四相2kW交錯降壓電源方案），為更高效、節能的數據中心賦能。

“小身板、大能量” 優勢盡顯

英諾賽科此次推出的兩款降壓電源方案利用氮化鎵高頻高效的優勢和四相交錯Buck拓撲結構，實現了高功率密度的緊湊設計，內置超小體積氮化鎵半橋驅動 IC INS2002 和雙面散熱低壓氮化鎵 INN100EA035A，效率高達98%，功率部分面積68mmx30mm，僅為智能手機（iphone 15）的1/5大小。

InnoGaN+Driver IC：小體積、低損耗的關鍵

與Si MOS相比，GaN具備更優越的開關特性和更低的開關損耗, 可以帶來更高的轉換效率，更高的開關頻率，更小的磁性器件尺寸和濾波電容的體積，以及更高的功率密度。此次發布的兩款2kW 四相交錯降壓電源方案均采用4顆英諾賽科100V氮化鎵半橋驅動 IC（INS2002FQ）和16顆100V雙面散熱的低壓氮化鎵功率晶體管（INN100EA035A）。

INS2002FQ 采用英諾自研的 FCQFN 3mmx3mm 封裝，專為驅動GaN打造，十分適合高功率和高頻率應用。該產品具備如下特點：

內置自舉電路BST鉗位電路，能夠保護GaN柵極在安全的驅動電壓范圍內工作

單獨的驅動上拉和下拉輸出引腳，可分別調節開通和關斷速度

支持3態PWM輸入，可以通過調節外部配置電阻靈活調節死區時間

和競品驅動相比，驅動能力更強，傳播延遲更低

100V 氮化鎵增強型功率晶體管INN100EA035A，采用En-FCLGA3.3x3.3封裝，具備超低的導通電阻和雙面散熱特性，可以使能量損耗大幅降低的同時提升散熱能力，是實現高功率密度方案的關鍵。

四相交錯 Buck，提升系統效率

英諾賽科2kW四相交錯降壓電源方案采用四相交錯Buck拓撲，每相使用1顆INS2002FQ和4顆INN100EA035A實現功率傳輸。

兩款方案分別采用雙耦合/四耦合電感，將傳統Buck方案中的分立電感替換為低耦合系數的耦合電感，有效降低了電感紋波電流，同時降低電感和電容體積，有助于提升系統功率密度，同時具有十分靈活的拓展功能。

在輸入40Vdc-60Vdc，輸出12V/167A的條件下，兩款方案的最大輸出功率2000W。其中采用雙耦合電感的峰值效率為98%@1200W，滿載效率為97.6%@2000W；采用四耦合電感的峰值效率為98.1%@1000W，滿載效率為97.7%@2000W。功率級尺寸均為68*30*18mm。峰值效率和滿載效率均比市面上最好性能的Si MOSFET高1%以上。

“高效率、低損耗” 行業領先

四相交錯 Buck 拓撲，生態成熟，拓展性靈活；

效率超98%，峰值效率和滿載效率均比最優的Si MOSFET高1%以上；

高開關頻率、高功率密度，且大幅降低能耗，滿載無風條件下器件熱點溫度比最優的Si MOSFET低15度以上

多領域適配，助力系統升級

英諾賽科此次開發的兩款降壓電源方案可應用于數據中心領域的服務器48V供電系統、新能源汽車48V供電架構，以及工業和通信的電源模塊，借助氮化鎵的性能降低系統損耗，大幅提升效率，幫助實現低碳、節能發展。

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