CSD86356Q5D NexFET? 電源塊是針對同步降壓應用的優化設計,可在 5 mm × 6 mm 的小型外形中提供高電流、高效率和高頻功能。該產品針對 5V 柵極驅動應用進行了優化,提供了一種靈活的解決方案,當與來自外部控制器/驅動器的任何 5V 柵極驅動器配對時,能夠提供高密度電源。
*附件:CSD86356Q5D 同步降壓 NexFET 電源塊數據表.pdf
特性
- 半橋電源塊
- 25 A 時系統效率為 93.0%
- 高達 40A 的運行電流
- 高頻作(高達 1.5 MHz)
- 高密度 SON 5mm × 6mm 基底面
- 針對 5V 柵極驅動進行了優化
- 低開關損耗
- 超低電感封裝
- 符合 RoHS 標準
- 無鹵素
- 無鉛端子電鍍
參數
方框圖
1. 概述
CSD86356Q5D 是一款同步降壓 NexFET? 電源塊,專為高性能計算系統和高頻應用設計,提供高電流、高效率和高頻率的同步降壓轉換功能。
2. 主要特性
2.1 性能參數
- ?系統效率?:在25A輸出電流下達到93.0%的系統效率。
- ?最大操作電流?:高達40A。
- ?高頻操作?:支持高達1.5MHz的開關頻率。
- ?封裝?:采用高密度的5mm x 6mm SON封裝。
2.2 電氣特性
- ? 控制FET(Q1) ?:具有低反向恢復時間和低柵極電荷。
- ? 同步FET(Q2) ?:具有低柵極電荷和低導通電阻。
- ?熱性能?:提供詳細的熱信息和功率損耗曲線,支持高溫操作。
2.3 應用范圍
3. 應用信息
3.1 等效系統性能
CSD86356Q5D 通過優化功率半導體和封裝技術,提供超越傳統MOSFET芯片組的性能。系統級性能曲線(如功率損耗、安全操作區域SOA)和歸一化圖表幫助工程師預測產品在實際應用中的性能。
3.2 功率損耗曲線
提供詳細的功率損耗曲線,幫助工程師在設計過程中簡化計算。曲線包括負載電流、輸入電壓、輸出電壓、開關頻率和輸出電感對功率損耗的影響。
3.3 安全操作區域(SOA)曲線
SOA曲線提供了關于操作系統溫度邊界的指導,通過結合熱阻和系統功率損耗,確保在給定負載電流下的安全操作。
4. 典型應用
提供設計示例,包括如何計算功率損耗和SOA調整,以及推薦的電路圖和PCB設計概述。
5. PCB設計指南
5.1 電氣性能
- ?輸入電容器放置?:應盡可能靠近VIN和PGND引腳,以最小化節點長度。
- ?驅動IC放置?:應相對靠近電源塊的柵極引腳,以減少信號路徑長度。
- ?輸出電感放置?:應相對靠近電源塊的VSW引腳,以減少PCB傳導損耗和開關噪聲。
5.2 熱性能
- ?熱通孔使用?:通過熱通孔將熱量從器件傳遞到系統板,以提高熱性能。
- ?焊料空洞和可制造性問題?:通過適當的焊盤設計、通孔填充和遮蔽策略來最小化這些問題。
6. 封裝與可訂購信息
提供詳細的封裝尺寸、引腳配置、焊盤推薦和模板設計指南,以及可訂購部件號和包裝信息。
7. 注意事項
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