CSD86356Q5D NexFET? 電源塊是針對(duì)同步降壓應(yīng)用的優(yōu)化設(shè)計(jì),可在 5 mm × 6 mm 的小型外形中提供高電流、高效率和高頻功能。該產(chǎn)品針對(duì) 5V 柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,提供了一種靈活的解決方案,當(dāng)與來(lái)自外部控制器/驅(qū)動(dòng)器的任何 5V 柵極驅(qū)動(dòng)器配對(duì)時(shí),能夠提供高密度電源。
*附件:CSD86356Q5D 同步降壓 NexFET 電源塊數(shù)據(jù)表.pdf
特性
- 半橋電源塊
- 25 A 時(shí)系統(tǒng)效率為 93.0%
- 高達(dá) 40A 的運(yùn)行電流
- 高頻作(高達(dá) 1.5 MHz)
- 高密度 SON 5mm × 6mm 基底面
- 針對(duì) 5V 柵極驅(qū)動(dòng)進(jìn)行了優(yōu)化
- 低開(kāi)關(guān)損耗
- 超低電感封裝
- 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
- 無(wú)鹵素
- 無(wú)鉛端子電鍍
參數(shù)
方框圖
1. 概述
CSD86356Q5D 是一款同步降壓 NexFET? 電源塊,專為高性能計(jì)算系統(tǒng)和高頻應(yīng)用設(shè)計(jì),提供高電流、高效率和高頻率的同步降壓轉(zhuǎn)換功能。
2. 主要特性
2.1 性能參數(shù)
- ?系統(tǒng)效率?:在25A輸出電流下達(dá)到93.0%的系統(tǒng)效率。
- ?最大操作電流?:高達(dá)40A。
- ?高頻操作?:支持高達(dá)1.5MHz的開(kāi)關(guān)頻率。
- ?封裝?:采用高密度的5mm x 6mm SON封裝。
2.2 電氣特性
- ? 控制FET(Q1) ?:具有低反向恢復(fù)時(shí)間和低柵極電荷。
- ? 同步FET(Q2) ?:具有低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。
- ?熱性能?:提供詳細(xì)的熱信息和功率損耗曲線,支持高溫操作。
2.3 應(yīng)用范圍
- ?同步降壓轉(zhuǎn)換器?:適用于高頻應(yīng)用和高電流、低占空比應(yīng)用。
- ?多相同步降壓轉(zhuǎn)換器?:提高電源轉(zhuǎn)換效率和可靠性。
- ?POL DC-DC轉(zhuǎn)換器?:為處理器和其他高性能組件提供穩(wěn)定電源。
3. 應(yīng)用信息
3.1 等效系統(tǒng)性能
CSD86356Q5D 通過(guò)優(yōu)化功率半導(dǎo)體和封裝技術(shù),提供超越傳統(tǒng)MOSFET芯片組的性能。系統(tǒng)級(jí)性能曲線(如功率損耗、安全操作區(qū)域SOA)和歸一化圖表幫助工程師預(yù)測(cè)產(chǎn)品在實(shí)際應(yīng)用中的性能。
3.2 功率損耗曲線
提供詳細(xì)的功率損耗曲線,幫助工程師在設(shè)計(jì)過(guò)程中簡(jiǎn)化計(jì)算。曲線包括負(fù)載電流、輸入電壓、輸出電壓、開(kāi)關(guān)頻率和輸出電感對(duì)功率損耗的影響。
3.3 安全操作區(qū)域(SOA)曲線
SOA曲線提供了關(guān)于操作系統(tǒng)溫度邊界的指導(dǎo),通過(guò)結(jié)合熱阻和系統(tǒng)功率損耗,確保在給定負(fù)載電流下的安全操作。
4. 典型應(yīng)用
提供設(shè)計(jì)示例,包括如何計(jì)算功率損耗和SOA調(diào)整,以及推薦的電路圖和PCB設(shè)計(jì)概述。
5. PCB設(shè)計(jì)指南
5.1 電氣性能
- ?輸入電容器放置?:應(yīng)盡可能靠近VIN和PGND引腳,以最小化節(jié)點(diǎn)長(zhǎng)度。
- ?驅(qū)動(dòng)IC放置?:應(yīng)相對(duì)靠近電源塊的柵極引腳,以減少信號(hào)路徑長(zhǎng)度。
- ?輸出電感放置?:應(yīng)相對(duì)靠近電源塊的VSW引腳,以減少PCB傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)噪聲。
5.2 熱性能
- ?熱通孔使用?:通過(guò)熱通孔將熱量從器件傳遞到系統(tǒng)板,以提高熱性能。
- ?焊料空洞和可制造性問(wèn)題?:通過(guò)適當(dāng)?shù)暮副P設(shè)計(jì)、通孔填充和遮蔽策略來(lái)最小化這些問(wèn)題。
6. 封裝與可訂購(gòu)信息
提供詳細(xì)的封裝尺寸、引腳配置、焊盤推薦和模板設(shè)計(jì)指南,以及可訂購(gòu)部件號(hào)和包裝信息。
7. 注意事項(xiàng)
-
電源
+關(guān)注
關(guān)注
185文章
18274瀏覽量
255011 -
電流
+關(guān)注
關(guān)注
40文章
7116瀏覽量
134207 -
控制器
+關(guān)注
關(guān)注
114文章
16972瀏覽量
182922 -
開(kāi)關(guān)頻率
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
179瀏覽量
21709 -
柵極驅(qū)動(dòng)器
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
1059瀏覽量
39518
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
CSD86356Q5D 同步降壓 NexFET? 電源塊
25V N溝道 NexFET? 功率MOSFET CSD16321Q5數(shù)據(jù)表

25V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET CSD16401Q5數(shù)據(jù)表

30V N 溝道NexFET? 功率MOSFET CSD17556Q5B數(shù)據(jù)表

N 通道 NexFet 功率 MOSFET CSD16325Q5數(shù)據(jù)表

同步降壓 NexFET?電源塊CSD87350Q5D數(shù)據(jù)表

CSD86336Q3D 25V、N 通道同步降壓 NexFET? 功率 MOSFET,SON 3mm x 3mm 電源塊,20A技術(shù)手冊(cè)

CSD88584Q5DC 40V、N 通道同步降壓 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)

CSD18512Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)

CSD18511Q5A 40V、N通道 NexFET? 功率 MOSFET,單 SON 5mm x 6mm,2.3mOhm技術(shù)手冊(cè)

評(píng)論