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手機高溫禁區突圍!英麥科半導體薄膜電感160℃·1000H極限實驗可靠性實證報告

科技數碼 ? 來源:科技數碼 ? 作者:科技數碼 ? 2025-04-17 14:47 ? 次閱讀


手機心臟的"烤"驗戰場

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5G手機主板局部溫度突破95℃(快充芯片/射頻前端/圖像處理器區域)


"當你的手機:

邊快充邊玩《悟空》時→電感溫度飆升至110℃

4K視頻連續拍攝時→電感持續工作在85℃+

地鐵刷劇1小時后→主板形成局部高溫區

傳統電感正在經歷材料疲勞的隱形崩塌..."


1. 實驗標準對比(嚴于車載產品標準)


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2. 實驗前后形態對比(產品內、外部無開裂情形)


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3、性能驗證:同規格產品與某臺系規格參數比對試驗后平均降幅小


·L值測試設備:Keysight E4980A LCR表(精度0.05%)

·DCR值測試設備:Keysight E4980A LCR表(精度0.05%)

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vs


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4、技術解析:為何能通過地獄級考驗?


①材料革命

160℃高溫測試材料磁導率變化曲線:(250H~1000H材料變化率低)

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②成型工藝對比


英麥科-液態等靜壓成型工藝

全方位溫度壓力控制:

外層/核心層:200℃快速固化→形成保護殼,消除內應力

VS

臺系品牌-機械模壓成型工藝

傳統機械式模壓

成型壓力:6噸、20噸、30噸、60噸

單顆產品受力約400~500kg,受模具影響,

產品受力不均,線圈易變形,且居中度不佳


③ 材料對比


英麥科—耐高溫介質材料

玻璃化轉變溫度(Tg):280℃(競品180℃)

熱膨脹系數(CTE):2.8ppm/℃(競品5.5ppm/℃)

VS

其他品牌——常規材料,磷化工藝搭配樹脂混合使用


可靠性提升公式

MTBF(XX) = e^(ΔT/10) × MTBF(常規)

(ΔT=驗證溫差35℃ → 理論壽命提升32倍)

審核編輯 黃宇

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