儲能電壓將從1500V提升到2000V，儲能系統中關鍵部件的絕緣耐壓水平需要提高，對其中的非晶納米晶材料提出什么要求？維愛普又是如何滿足的？

十五年前，600V 的系統電壓是組件的主流產品。五年前至今，1500V 的系統電壓成為了儲能產業的系統電壓標準。陽光電源、上能電氣、華為等企業已經相繼布局1500V高壓儲能系統，并且延續向更高壓（如2000V）演進的態勢。

如何提高儲能銷量、確保儲能的安全性和可靠性是當前儲能產業鏈企業面臨的重要問題。就材料選型而言，需要選擇耐高壓、低損耗、高可靠性、高飽和磁感應強度的材料。

儲能集裝箱圖源：包圖網

一、非晶納米晶材料在儲能領域的應用現狀及難點

在高壓儲能領域，行業內使用軟磁鐵氧體和金屬軟磁粉芯比較多，但鐵氧體的飽和磁感應強度（Bs）僅0.4-0.5T，且溫度穩定性差，在80℃以上時Bs值衰減超過30%，導致高溫工況下儲能器件體積需額外增大40%以上。金屬軟磁粉芯材料高頻損耗較大，且鐵芯繞線時容易碎裂。

而非晶納米晶材料在高頻低損耗、高功率密度（Bs高）、寬溫域等方面具有顯著優勢，逐漸成為高壓儲能領域的新興材料。該材料在儲能領域的應用集中于電力電子轉換的核心環節，主要包括：

一是DC-DC 變換器的濾波電感與共模電感：用于抑制高頻噪聲，提升系統穩定性；

二是LLC 電路變壓器 / 電感：通過高飽和磁感應強度（Bs）和低損耗特性，優化能量傳輸效率；

三是輸入輸出端電感：在高壓化趨勢下，需承受更大電流應力，非晶納米晶材料的抗飽和能力顯著優于傳統材料。

然而，非晶納米晶材料在儲能領域的規模化應用仍存在多維度挑戰，主要體現在：

在高頻損耗與熱管理方面，高壓化導致開關頻率提升，材料需在高頻下保持低損耗，避免過熱失效。

在抗飽和與環境穩定性方面，大功率場景下，材料易因不平衡電流進入飽和狀態，需兼顧高Bs 與抗直流偏置能力。

在環境適應性方面，需通過鹽霧腐蝕、溫濕度循環（-40℃~+85℃，濕度 95% RH）等測試，確保材料在復雜工況下長期穩定運行。

在異形結構適配方面，儲能模塊小型化要求磁芯結構多樣化（如E-I 型、階梯式或組合型），非晶納米晶材料難以滿足復雜結構需求。

在與新型器件的協同優化方面，SiC/GaN 器件開關速度達 100V/ns，需材料高頻響應能力（截止頻率 > 1MHz）與之匹配。納米晶材料的高電阻率（1.2μΩ?cm）可有效降低渦流損耗。

“實際上，納米晶材料現在在很多場景的性能都是有冗余的，相較于性能能做得多么好，我們目前更關注如何提高材料穩定性，降低客戶的生產成本。我們的優勢是在高磁導率狀態下，依然保持良好的溫度穩定性，并且繞線后的性能衰減明顯更小?！惫駛ケ硎?。

相比于材料本身的限制，非晶納米晶行業目前的主要痛點在于：納米晶材料的標準化難度較大，且客戶對納米晶材料的了解有限，許多仿真軟件中甚至未包含納米晶材料的選項。并且在設計端印象中納米晶材料價格比較高，設計的時候不會考慮。

實際上，盡管納米晶材料的初始成本相對較高，但由于其能夠有效減少元件體積、降低銅線用量，并減少散熱處理成本，綜合來看其成本可能更具優勢。

他補充道：“因此，相較于單純追求性能的極致提升，當前我們的戰略更傾向于拓寬材料的應用范圍，提高材料的穩定性，使其適用于更多場景，從而更好的發揮納米晶材料的優勢，為客戶解決設計上的實際問題?！?/p>

二、雙低納米晶儲能解決方案

維愛普作為一家專業電磁兼容服務商，儲能一直是其重點關注市場。在高壓儲能領域，維愛普的非晶納米晶產品主要應用在以下幾個部位：

1.高頻LLC電感：軟磁材料Bs（飽和磁感應強度）越高，磁芯抗飽和能力越強；Hc（矯頑力）越低，磁滯損耗越小。納米晶環形磁芯（Bs=1.2T@25℃/1kHz）較Mn-Zn鐵氧體（Bs=0.4T）提升3倍，配合低矯頑力（Hc<0.5A/m），在 100kHz/0.2T工況下鐵損低于50kW/m3，實現體積減少40%、效率提升2.3%以上。通過環氧樹脂粉末靜電涂裝提升絕緣強度（耐壓>5kV），適配1500V高壓系統。

2.抗飽和濾波電感：針對高壓化趨勢，開發μ=＜500低磁導率納米晶磁芯，通過恒溫、恒速度、恒張力退火工藝精準調控磁導率，在 100A 直流偏置下電感量下降 < 10%，滿足并網標準對電流紋波的要求。

3.EMI濾波共模電感/線束磁環：閉環磁芯結構配合寬頻阻抗特性（10kHz-10MHz），有效濾除高頻噪聲，提升系統EMC性能。

針對前文提到的難題，維愛普有以下方案：

1.高頻低損耗磁環技術開發

采用0.018mm以下厚度的納米晶薄帶化設計，降低渦流損耗。同時通過精確退火，將晶粒尺寸控制在10~15nm，可使磁滯損耗降低20%左右。

2.熱管理與應力穩定性

雖然納米晶的居里溫度比較高（550℃以上），但目前的納米晶磁環125℃以上時普遍會有20%左右的磁導率衰減，超過了材料本身磁導率溫度衰減（125℃衰減6%左右）。

3.耐高壓與環境穩定性

傳統的非晶、納米晶磁環一般需要加外殼、噴漆或者是環氧樹脂粉末靜電噴涂來保護磁環和提供絕緣強度，近年來因為小型化、集成化的問題，裝盒的占比減少。而噴漆會有環保的問題，所以噴涂的占比越來越高。

維愛普開創性的使用了高分子鍍膜方式代替傳統的噴漆和噴涂，在涂層厚度不超過0.1mm的情況下可達到6kV以上耐壓，并且膜層的環境適應性更強，已通過鹽霧腐蝕（ISO 9227）、溫濕度循環（-40℃~+85℃，濕度 95% RH）等測試，可確保磁環在復雜工況下長期穩定運行。

數據來源于網絡

從左到右依次是：未處理過磁環、鍍膜后磁環、裝外殼磁環

三、高低溫下感量變化≤12%

如何應對高壓高頻挑戰

在高電壓趨勢下，儲能領域對非晶納米晶的需求呈現出以下三種趨勢：

一是高頻化與小型化：隨著SiC/GaN器件的普及，儲能系統工作頻率提升至MHz級別，要求材料具備更低損耗和更高磁導率。同時要配合元件集成的要求，縮小磁環體積。

二是低成本化：隨著規?；瘧茫瑢Υ旁痛怒h廠家的成本控制要求也更嚴格。

三是環境穩定性：極端環境下磁導率波動需控制在±20%以內；需要通過鹽霧試驗。

目前，儲能系統正朝高壓化趨勢發展（如2000V系統），這對非晶納米晶材料提出了新要求。

首先，2000V系統對磁芯絕緣層的耐壓要求顯著提升，2000V系統磁芯絕緣需通過6kV/1min工頻耐壓測試，并且需要通過濕熱循環測試（85℃/85% RH，持續1000小時）。

其次，由于2000V系統母線電流可高達數百安培，材料的抗飽和能力也需要進一步強化，并且要求具備低磁致伸縮系數（小于2ppm），以有效減少振動和噪聲。

此外，磁環的形狀不再局限于傳統的環形，還需要滿足更多樣化的適配性要求。

針對上述趨勢，通過材料創新、工藝革新及產業協同等方式，全面布局應對儲能高壓化、高頻化挑戰。

在材料創新方面，公司正著手開發適用于3MHz以上高頻場景的超低損耗納米晶材料，同時持續改良工藝，推動國內納米晶磁環的高溫穩定性達到國際先進水平，并規劃探索下一代復合磁材技術，包括探索Fe-Co基非晶/納米晶復合材料（Bs＞1.6T）、石墨烯復合技術以及其他軟磁材料復合技術等。

在工藝革新上，引入磁性能預測模型，優化退火工藝參數，有效縮短研發周期。

此外，在標準化與生態協同方面，聯合頭部企業制定高壓儲能磁芯的行業標準，涵蓋耐壓等級、高頻損耗測試方法等，并與半導體廠商聯合開發高頻磁-電協同設計方案，以提升系統能效。

四、結語

建設儲能系統不僅可以實現峰谷套利，還能有效平抑電網供需波動，該市場已成為眾多資本競相布局的熱點領域。而我們的技術布局不僅著眼于滿足當前市場需求，更致力于通過3-5年的前瞻性研發，為行業未來發展提供堅實支撐。

展望未來，具備高頻低損耗、耐高壓、高穩定性以及低成本特性的非晶納米晶材料企業，有望在市場競爭中脫穎而出，贏得更多發展機遇。

審核編輯 黃宇