ADL8142-2 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器，23 GHz至31 GHz技術手冊
ADL8142-2CHIP是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為23 GHz至31 GHz。在27 GHz至31 GHz范圍內，ADL8142-2CHIP提供26.5 dB典型增益、1.8 dB典型噪聲系數和20 dBm典型輸出三階交調截點(OIP3)，采用2 V電源電壓時功耗僅為25 mA。注意，可通過較大的漏極電流改善OIP3。ADL8142-2CHIP還具有交流耦合的輸入和輸出，內部匹配至50 Ω，因而非常適合高容量微波無線電應用。
數據手冊：*附件：ADL8142-2 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器，23 GHz至31 GHz技術手冊.pdf
特性
- 低噪聲系數：1.8 dB（典型值，27 GHz至31 GHz時）
- 單正電源（自偏置）
- 高增益：26.5 dB（典型值，27 GHz至31 GHz時）
- 高OIP3：20 dBm（典型值，27 GHz至31 GHz時）
- 裸片尺寸：0.945 mm × 1.015 mm × 0.100 mm
- 晶圓擴散批次可追溯性
- 輻射基準
- 總電離劑量（TID）：30次碰撞
- 單粒子閂鎖(SEL)：≥62.4 MeV-cm ^2^ /mg
引腳配置和功能描述
外形尺寸
應用
- 衛星通信
- 電信
- 民用雷達
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