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TPS54116-Q1 具有 4A、2MHz VDDQ 直流/直流轉換器、1A VTT LDO 和 VTTREF 的汽車類 DDR 電源解決方案數據手冊

科技綠洲 ? 2025-04-26 10:13 ? 次閱讀

TPS54116-Q1 器件是一款功能齊全的 6V、4A 同步降壓轉換器,具有 兩個集成 MOSFET 和 1A 灌/拉雙數據速率 (DDR) VTT 端接穩壓器,具有 VTTREF 緩沖基準輸出。

TPS54116-Q1 降壓穩壓器通過集成 MOSFET 和 以高達 2.5MHz 的開關頻率減小電感器尺寸。開關頻率可設定 高于中波無線電頻段,適用于噪聲敏感型應用,可與 外部時鐘同步整流使整個輸出負載的頻率保持固定 范圍。通過集成的 25mΩ 低側和 33mΩ 高側 MOSFET 實現效率最大化。 逐周期峰值電流限制可在過流情況下保護器件,并且 可通過 ILIM 引腳上的電阻器進行調節,以針對較小的電感器進行優化。
*附件:tps54116-q1.pdf

VTT 終端穩壓器可在僅 2 × 10μF 的電流下保持快速瞬態響應 陶瓷輸出電容減少了外部元件數量。TPS54116-Q1 使用遙感 的 VTT 最佳監管。

使用使能引腳進入關斷模式可將電源電流降至 1μA。下 電壓鎖定閾值可通過任一 Enable 引腳上的 Resistor 網絡來設置。VTT 和 使用 ENLDO 禁用時,VTTREF 輸出將放電。

完全集成,通過 4 mm × 4 mm 的小型散熱增強最大限度地減少了 IC 占用空間 WQFN 軟件包。

特性

  • 符合 AEC-Q100 標準,結果如下:
    • 器件溫度等級 1:-40°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類 2 級
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C6
  • 單芯片 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內存電源解決方案
  • 4A 同步降壓轉換器
    • 集成 33mΩ 高壓側和 25mΩ 低壓側 MOSFET
    • 固定頻率電流模式控制
    • 可調頻率范圍為 100 kHz 至 2.5 MHz
    • 可同步至外部時鐘
    • 0.6V ±1% 電壓基準,整個溫度范圍內
    • 可調的逐周期峰值電流限制
    • 單調啟動至預偏置輸出
  • 具有 ±20mV 直流精度的 1A 拉電流/灌電流終端 LDO
    • 使用 2 × 10μF MLCC 電容器保持穩定
    • 10mA 拉電流/灌電流緩沖參考輸出調節至 VDDQ 的 49% 至 51% 范圍內
  • 具有可調 UVLO 和遲滯的獨立使能引腳
  • 熱關斷
  • –40°C 至 150°C 工作 TJ
  • 24 引腳、4mm × 4mm WQFN 封裝

參數
image.png

方框圖
image.png

1. 產品概述

  • ?功能?:TPS54116-Q1是一款6V輸入、4A同步降壓(Buck)轉換器和1A源/沉DDR終止調節器,專為DDR2、DDR3及DDR3L內存電源解決方案設計。
  • ?封裝?:采用24引腳、4mm x 4mm的WQFN熱增強型封裝。
  • ?AEC-Q100認證?:適用于汽車級應用,環境溫度范圍為-40°C至+125°C。

2. 主要特性

  • ?集成MOSFETs?:內置33mΩ高側和25mΩ低側MOSFETs,提高轉換效率。
  • ?固定頻率電流模式控制?:頻率可調范圍從100kHz至2.5MHz,支持外部時鐘同步。
  • ?DDR VTT終止調節器?:提供1A源/沉電流能力,±20mV DC精度,快速瞬態響應。
  • ?獨立使能引腳?:具有可調欠壓鎖定(UVLO)和遲滯功能。
  • ?熱關斷保護?:防止芯片過熱損壞。
  • ?電源良好(PGOOD)指示?:用于指示輸出電壓是否達到穩定狀態。

3. 應用領域

  • DDR2、DDR3、DDR3L及DDR4內存電源供應
  • SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135、SSTL_12和HSTL終止
  • 信息娛樂和儀表集群
  • 高級駕駛輔助系統(ADAS)

4. 電氣特性

  • ?輸入電壓范圍?:2.95V至6V
  • ?輸出電壓范圍?:Buck轉換器輸出可低至0.6V,DDR VTT終止調節器輸出根據VDDQSNS設定
  • ?效率?:高達90%以上,具體取決于輸入電壓、輸出電壓和負載電流
  • ?靜態電流?:非切換狀態下,LDO和Buck均啟用時典型值為650μA

5. 功能描述

  • ?固定頻率PWM控制?:通過誤差放大器比較反饋電壓與內部電壓參考,控制開關占空比。
  • ?BOOT電壓與低壓差操作?:集成BOOT充電電路,支持接近100%占空比操作。
  • ?誤差放大器?:具有可編程的電流感應和電壓調節功能。
  • ?軟啟動與跟蹤?:通過SS/TRK引腳實現軟啟動和電源排序功能。
  • ?過流保護?:具有周期性的峰值電流限制功能,防止過流損壞。
  • ?過壓瞬態保護?:在輸出過壓時自動關閉高側MOSFET,減少電壓過沖。

6. 布局指南

  • ?輸入電容?:應在PVIN和PGND引腳附近放置高質量的陶瓷旁路電容。
  • ?輸出電容?:Buck輸出和VTT輸出應分別放置足夠的陶瓷電容,以確保穩定性和瞬態響應。
  • ?熱設計?:利用WQFN封裝的熱焊盤和多層PCB設計來改善熱耗散。
  • ?敏感信號布線?:控制信號(如RT/SYNC、SS/TRK、COMP、FB、ILIM)應遠離高噪聲信號,保持短而寬的布線。

7. 設計資源

  • 提供了詳細的應用信息、典型應用電路、布局示例以及電源供應耦合和大容量電容的指導。
  • 用戶可訪問TI的E2E在線社區獲取更多技術支持和設計幫助。

8. 封裝與訂購信息

  • ?封裝類型?:WQFN-24,熱增強型,4mm x 4mm,0.5mm引腳間距。
  • ?訂購選項?:提供了不同數量和生態計劃(如RoHS豁免和綠色封裝)的訂購選項。
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