概述
AD22151是一款線性磁場傳感器。該傳感器的輸出是一個電壓，與垂直施加到封裝頂面的磁場成正比。

該傳感器結合了集成體霍爾單元技術和硅基儀表電路，以最大限度地減少與硅霍爾單元特性相關的溫度漂移。其架構充分發揮了單片實現的優勢，只需最少數量的外部組件，即可實現多種應用要求。

主要特性包括動態失調漂移消除功能和內置溫度傳感器。AD22151設計為單5V電源供電，可實現低失調漂移和在 - 40°C至 + 150°C溫度范圍內的增益穩定性，溫度補償功能可適應多種常用于經濟型位置傳感器組件中的磁性材料。

該傳感器可針對特定信號增益進行配置，以滿足各種測量需求。輸出電壓可從全雙極（可逆）磁場操作調整到全單極磁場測量。

電壓輸出可實現接近軌到軌的動態范圍，能夠在各種配置下為大型容性負載提供高達1 mA的輸出電流。
數據表：*附件：AD22151線性輸出磁場傳感器技術手冊.pdf

特性

• 可調失調，支持單極性或雙極性工作
• 在整個溫度范圍內具有低失調漂移
• 寬增益可調范圍
• 在整個溫度范圍內具有低增益漂移
• 可調一階溫度補償
• 與 Vcc成比例

框圖

電路工作原理

AD22151由位于芯片中心的外延霍爾板結構組成。霍爾板通過差分放大器進行正交采樣。兩個放大后的霍爾信號被同步解調，以產生一個殘余失調消除信號（見圖3）。該解調信號通過一個同相放大器進行傳遞，以提供最終的增益和驅動能力。輸出信號的刷新頻率為50kHz。

溫度相關性

AD22151未補償的增益溫度系數（G_{TCU} ）是與硅體霍爾板結構相關的基本物理特性的結果。低摻雜的霍爾板在電流偏置模式下，會因散射機制和相對濃度的作用，表現出由溫度決定的溫度關系。

對磁場的相對靈敏度可通過對硅施加機械力來改變。這種機制主要是硅中電子重新分布的結果。傳感器上的機械力源于封裝引起的應力。封裝材料會使封裝的硅發生變形，改變霍爾單元的增益，偏差為±2%，G_{TCU} 為±200 ppm。圖4顯示了AD22151的典型G_{TCU} 特性。這是觀察到的增益隨溫度的變化，其中引腳3（TC3）保持在恒定的2.5V（未補償）。

如果將永磁體源與傳感器一起使用，傳感器還會表現出固有溫度系數（B_{TC} ），這需要考慮到傳感器組件的總溫度補償中。

圖5和圖6分別展示了在 - 40°C至 + 150°C溫度范圍內，傳感器的典型整體溫度/增益性能以及相對于施加磁場的失調性能。圖5是總漂移（單位為伏特），圖6是相對于25°C的典型百分比增益變化。圖7和圖8展示了B_{TC} = - 200 ppm時的類似數據。