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TPS24750 2.5V 至 18V、3mΩ、0.01-12A 電子保險(xiǎn)絲,帶用于外部阻斷 FET 和閉鎖的驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-12 14:49 ? 次閱讀
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TPS2475x 為 2.5 V 至 18 V 應(yīng)用提供高度集成的負(fù)載保護(hù)。這些器件在單個(gè)封裝中集成了熱插拔控制器和功率 MOSFET,適用于小尺寸應(yīng)用。這些器件可保護(hù)源極、負(fù)載和內(nèi)部 MOSFET 免受潛在的破壞性事件的影響。在啟動(dòng)期間,負(fù)載電流和 MOSFET 功率耗散被限制在用戶選擇的值。啟動(dòng)后,將允許高于用戶選擇限值的電流流動(dòng),直到編程超時(shí) - 除非在極端過載事件中負(fù)載立即與電源斷開。
*附件:tps24750.pdf

可編程 FET SOA 保護(hù)確保內(nèi)部 MOSFET 始終在其安全工作區(qū) (SOA) 內(nèi)運(yùn)行,并且負(fù)載以定義的斜坡速率啟動(dòng)。這增強(qiáng)了內(nèi)部 MOSFET 性能,同時(shí)提高了系統(tǒng)可靠性。提供電源正常、故障和電流監(jiān)控輸出,用于系統(tǒng)狀態(tài)監(jiān)控和下游負(fù)載控制。

這些器件采用 36 引腳、7mm × 3.5mm QFN (RUV) 封裝,額定工作結(jié)溫范圍為 –40°C 至 +125°C。

特性

  • 2.5 V 至 18 V 總線作
  • 連續(xù)電流高達(dá) 12 A
  • 帶 R 的集成 MOSFET DS(開) 3 mΩ(典型值)
  • 可編程電流限制
  • 可編程 FET SOA 保護(hù)
  • 高 I限制精度從 10 mA 到 12 A
  • 可編程故障定時(shí)器
  • 用于短路保護(hù)的快速斷路器
  • 可編程 VOUT 轉(zhuǎn)換速率、UV 和 OV
  • 電源正常和故障輸出
  • 模擬負(fù)載電流監(jiān)視器
  • 熱關(guān)斷

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

1. 產(chǎn)品概述

TPS24750是一款12A eFuse電路保護(hù)器,集成了熱插拔控制器和功率MOSFET,適用于2.5V至18V的應(yīng)用。該器件提供高度集成的負(fù)載保護(hù),防止源、負(fù)載和內(nèi)部MOSFET受到潛在損壞事件的影響。

2. 主要特性

  • ?高集成度?:集成了熱插拔控制器和功率MOSFET,適用于小型封裝應(yīng)用。
  • ?寬電壓范圍?:支持2.5V至18V的總線操作。
  • ?大電流能力?:連續(xù)電流高達(dá)12A。
  • ?可編程特性?:包括電流限制、FET安全工作區(qū)保護(hù)、故障定時(shí)器等。
  • ?快速保護(hù)?:具有短路保護(hù)的快速斷路器功能。
  • ?系統(tǒng)監(jiān)控?:提供電源良好、故障和負(fù)載電流監(jiān)控輸出。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

4. 功能描述

4.1 保護(hù)功能

  • ?熱插拔保護(hù)?:在啟動(dòng)期間限制負(fù)載電流和MOSFET功耗。
  • ?短路保護(hù)?:檢測到短路時(shí)快速關(guān)斷MOSFET。
  • ?過壓和欠壓保護(hù)?:通過可編程閾值提供過壓和欠壓保護(hù)。

4.2 監(jiān)控功能

  • ?電源良好輸出?:當(dāng)內(nèi)部FET的漏源電壓低于150mV時(shí),PGb引腳拉低。
  • ?故障輸出?:在過載或短路故障期間,F(xiàn)LTb引腳拉低。
  • ?負(fù)載電流監(jiān)控?:通過IMON引腳提供模擬負(fù)載電流監(jiān)控。

4.3 可編程特性

  • ?電流限制?:通過R_SET和R_IMON電阻可編程。
  • ?FET安全工作區(qū)保護(hù)?:確保內(nèi)部MOSFET始終在其安全操作區(qū)域內(nèi)工作。
  • ?故障定時(shí)器?:通過TIMER引腳連接的電容可編程,控制過載故障的超時(shí)時(shí)間。

5. 封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:36引腳VQFN封裝(RUV)
  • ?尺寸?:7.00mm x 3.50mm

6. 典型應(yīng)用電路

  • 提供了詳細(xì)的典型應(yīng)用電路圖,包括元件選擇和設(shè)計(jì)步驟,以幫助用戶實(shí)現(xiàn)所需的功能和保護(hù)特性。

7. 設(shè)計(jì)指南

  • ?元件選擇?:根據(jù)應(yīng)用需求選擇合適的R_SET、R_IMON、R_PROG和C_TIMER等元件值。
  • ?布局建議?:關(guān)鍵信號路徑應(yīng)盡可能短,以減少寄生電感和電阻。旁路電容應(yīng)盡可能靠近VCC和OUT引腳。
  • ?熱設(shè)計(jì)?:確保TPS24750的結(jié)溫不超過最大允許值,通過適當(dāng)?shù)纳嵩O(shè)計(jì)和布局來實(shí)現(xiàn)。

8. 文檔與支持

  • 提供了相關(guān)的技術(shù)文檔、設(shè)計(jì)資源、應(yīng)用筆記、社區(qū)支持和工具鏈接,以幫助用戶更好地設(shè)計(jì)和應(yīng)用TPS24750。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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