TPS2400 過壓保護控制器與外部 N 溝道 MOSFET 配合使用 將敏感電子元件與破壞性的電壓尖峰和浪涌隔離開來。它具體 旨在防止與汽車環(huán)境相關(guān)的大電壓瞬變（負(fù)載突降） 防止損壞敏感電路。當(dāng)檢測到潛在的破壞性電壓電平時 TPS2400在發(fā)生任何損壞之前斷開電源與負(fù)載的連接。
*附件：tps2400.pdf

內(nèi)部電路包括修整帶隙基準(zhǔn)、振蕩器、齊納二極管、電荷 pump、comparator 和 control logic。TPS2400 器件設(shè)計用于外部 N 溝道 MOSFET，可在各種電壓下輕松獲得。

特性

• 高達 100V 的過壓保護
• 6.9V 過壓關(guān)斷閾值
• 3V 欠壓關(guān)斷閾值
• 過壓關(guān)斷時間 小于 1 μs
• 由
  內(nèi)部電荷泵驅(qū)動的外部 N 溝道 MOSFET
• 1mA 最大靜態(tài)電源電流
• 5 引腳 SOT–23 封裝
• –40°C 至 85°C 環(huán)境溫度范圍
• 2.5kV 人體模型 500V CDM
  靜電放電保護

參數(shù)

方框圖

. 產(chǎn)品概述

TPS是一款過壓保護控制器，用于在檢測到潛在的破壞性電壓尖峰或浪涌時，通過外部N溝道MOSFET快速隔離敏感電子設(shè)備。它適用于需要保護負(fù)載免受高電壓瞬態(tài)影響的場景，如汽車環(huán)境（如負(fù)載突降）。

. 主要特性

• ?高電壓保護?：支持高達V的過壓保護。
• ?快速響應(yīng)?：過壓關(guān)斷時間小于μs。
• ?低靜態(tài)電流?：最大靜態(tài)供電電流為mA。
• ?寬工作溫度范圍?：-°C至°C。
• ?靜電放電保護?：符合HBM .kV和CDM V標(biāo)準(zhǔn)。
• ?小型封裝?：采用引腳SOT-封裝。

. 應(yīng)用領(lǐng)域

• 車載電子設(shè)備（如手機、PDA、便攜式PC、媒體播放器、數(shù)字相機、GPS等）。
• 任何需要防止電壓瞬態(tài)損壞敏感負(fù)載的設(shè)備。

. 功能描述

• ?過壓和欠壓保護?：當(dāng)輸入電壓超過設(shè)定的過壓閾值（.V）或低于設(shè)定的欠壓閾值（V）時，TPS將關(guān)閉外部MOSFET，從而隔離負(fù)載。
• ?內(nèi)部電荷泵?：為外部MOSFET的柵極驅(qū)動電路提供所需電壓。
• ?Zener二極管?：限制內(nèi)部電源軌和柵極輸出電壓。
• ?關(guān)斷MOSFET?：在過壓或欠壓事件發(fā)生時，關(guān)閉外部N溝道MOSFET以隔離負(fù)載。

. 典型應(yīng)用

• ?過壓保護電路?：文件提供了使用TPS構(gòu)建過壓保護電路的示例，包括如何連接外部MOSFET、感測電阻、輸入和輸出電容等。
• ?高側(cè)和低側(cè)開關(guān)過壓保護?：詳細(xì)說明了如何配置TPS以驅(qū)動高側(cè)或低側(cè)開關(guān)，從而保護V負(fù)載。

. 設(shè)計指南

• ?輸入電壓范圍?：推薦在.V至.V之間操作，但VIN引腳可耐受高達V的電壓。
• ?感測電阻選擇?：根據(jù)所需的電流限制和TPS的內(nèi)部參考電壓選擇合適的感測電阻值。
• ?布局考慮?：避免GATE引腳到GND的泄漏路徑，以減小對GATE輸出電流的影響。

. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：SOT-（引腳）。
• ?封裝尺寸?：.mm x .mm。

. 文檔支持

• 提供了詳細(xì)的數(shù)據(jù)手冊，包括引腳配置、電氣特性、典型特性曲線、應(yīng)用信息和布局指南。
• 提供了相關(guān)的應(yīng)用筆記和社區(qū)資源鏈接，以幫助用戶更好地理解和使用TPS。