晶體管參數(shù)分類(lèi)及說(shuō)明

晶體管參數(shù)可從性能極限、電學(xué)特征、頻率特性等維度劃分，以下是綜合參數(shù)分類(lèi)及關(guān)鍵定義：

一、?極限參數(shù)（最大耐受值）?

?電壓參數(shù)?

?擊穿電壓?：

?VCEOVCEO（集電極-發(fā)射極擊穿電壓）?：基極開(kāi)路時(shí)的最大耐壓值。

?VCBOVCBO（集電極-基極擊穿電壓）?：發(fā)射極開(kāi)路時(shí)集電結(jié)反向耐壓。

?VEBOVEBO（發(fā)射極-基極擊穿電壓）?：防止發(fā)射結(jié)反向擊穿的關(guān)鍵參數(shù)。

?最大反向電壓?：PN結(jié)反向偏置時(shí)的耐壓極限，防止擊穿。

?電流與功率參數(shù)?

?最大集電極電流（ICIC）?：晶體管可持續(xù)承載的最大電流。

?最大功耗（PtotPtot）?：晶體管工作時(shí)允許的最大功率損耗，需結(jié)合散熱設(shè)計(jì)。

?最大峰值電流?：瞬時(shí)脈沖電流的耐受能力（如IGBT短路保護(hù)設(shè)計(jì)）。

?溫度參數(shù)?

?最大封裝溫度（TjmaxTjmax）?：半導(dǎo)體結(jié)允許的最高溫度（通常150°C~175°C）。

二、?電學(xué)性能參數(shù)?

?增益與放大特性?

?電流放大系數(shù)（β/hFEβ/hFE）?：BJT中共發(fā)射極電路的電流放大倍數(shù)。

?轉(zhuǎn)移電導(dǎo)（gmgm）?：FET中柵極電壓對(duì)漏極電流的控制能力。

?導(dǎo)通與漏電特性?

?穿透電流（ICEOICEO）?：基極開(kāi)路時(shí)集電極-發(fā)射極的漏電流，反映熱穩(wěn)定性。

?反向飽和電流（ICBOICBO）?：集電結(jié)反向偏置時(shí)的漏電流，影響噪聲性能。

?開(kāi)關(guān)特性?

?飽和電壓（VCE(sat)VCE(sat)）?：BJT導(dǎo)通時(shí)集電極-發(fā)射極的最小壓降。

?閾值電壓（VthVth）?：MOSFET開(kāi)啟導(dǎo)電溝道所需的最小柵極電壓。

三、?頻率與動(dòng)態(tài)參數(shù)?

?最大頻率（fmaxfmax）?：晶體管可正常工作的最高頻率限值。

?截止頻率（fTfT）?：電流放大系數(shù)降為1時(shí)的頻率，決定高頻放大能力。

?開(kāi)關(guān)時(shí)間（ton/toffton/toff）?：MOSFET從截止到導(dǎo)通/關(guān)斷的延遲時(shí)間。

四、?結(jié)構(gòu)相關(guān)參數(shù)?

?輸入/輸出電阻?：反映晶體管對(duì)前后級(jí)電路的阻抗匹配特性。

?噪聲系數(shù)?：量化信號(hào)傳輸過(guò)程中的噪聲干擾程度（低噪聲放大器設(shè)計(jì)關(guān)鍵）。

?封裝熱阻（RθJCRθJC）?：結(jié)到外殼的熱阻，影響散熱效率

?這些參數(shù)怎樣測(cè)量呢？——SC2020晶體管參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

一、系統(tǒng)概述

SC2020晶體管參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)半導(dǎo)體分立器件電學(xué)參數(shù)測(cè)試專(zhuān)用設(shè)備。該系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì)，滿(mǎn)足半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的測(cè)試需求，包括晶圓中測(cè)（Wafer Probing）、封裝終測(cè)（Final Test），以及整機(jī)廠商IQC來(lái)料檢驗(yàn)、研發(fā)機(jī)構(gòu)失效分析等應(yīng)用場(chǎng)景。

二、系統(tǒng)架構(gòu)

硬件組成

采用臺(tái)式一體化結(jié)構(gòu)，包含測(cè)試主機(jī)與程控計(jì)算機(jī)兩大核心模塊

支持外接Prober接口（晶圓探針臺(tái)）和Handler接口（16Bin分選機(jī)）

可擴(kuò)展測(cè)試夾具庫(kù)，適配不同封裝形式的器件測(cè)試需求

軟件平臺(tái)

基于LabVIEW開(kāi)發(fā)的專(zhuān)用測(cè)試軟件

具備參數(shù)自動(dòng)分檔（Binning）、實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)可視化功能

支持測(cè)試數(shù)據(jù)Excel格式導(dǎo)出及打印輸出

三、核心性能指標(biāo)

測(cè)試能力技術(shù)參數(shù)擴(kuò)展選項(xiàng)電壓測(cè)試范圍0-1400V（可擴(kuò)展至2000V）高壓選件電流測(cè)試范圍0-40A（可擴(kuò)展至500A）大電流選件漏電流分辨率1.5pA-數(shù)據(jù)采集16位ADC，1MS/s采樣率-測(cè)試吞吐量最高10,000件/小時(shí)（連接分選機(jī)）-

四、特色功能

四線制開(kāi)爾文連接法確保測(cè)量精度

支持結(jié)電容參數(shù)測(cè)試（Ciss/Crss/Coss）

符合GJB128等軍工測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

自動(dòng)分類(lèi)存儲(chǔ)功能適配量產(chǎn)測(cè)試需求

五、典型應(yīng)用

半導(dǎo)體制造：晶圓級(jí)參數(shù)篩選、封裝成品測(cè)試

質(zhì)量管控：來(lái)料檢驗(yàn)(IQC)、可靠性驗(yàn)證

研發(fā)支持：器件選型配對(duì)、失效分析

審核編輯 黃宇