功率器件是管理和降低各種電子設備電能功耗以及實現碳中和社會的重要元器件。由于與比硅材料相比，碳化硅具有更高的電壓和更低的損耗，因此碳化硅（SiC）被廣泛視為下一代功率器件的材料。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器，但其具有極為廣泛的應用前景，包括車輛電氣化和工業設備小型化。然而，可靠性問題一直制約著SiC器件的普及和市場發展。 因此，

東芝第3代SiC MOSFET具有以下特點。 內置肖特基勢壘二極管（SBD）降低正向電壓VDSF，抑制導通電阻RDS(ON)波動 降低代表導通損耗與開關損耗之間關系的性能指標RDS(ON)×Qgd 寬柵源額定電壓VGSS范圍 東芝第3代SiC MOSFET推出電壓分別為650V和1200V的兩款系列產品，可降低服務器、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器等各種應用的電源損耗。 東芝第3代SiC
東芝第3代SiC MOSFET具有以下特點。 內置肖特基勢壘二極管（SBD）降低正向電壓VDSF，抑制導通電阻RDS(ON)波動 降低代表導通損耗與開關損耗之間關系的性能指標RDS(ON)×Qgd 寬柵源額定電壓VGSS范圍 東芝第3代SiC MOSFET推出電壓分別為650V和1200V的兩款系列產品，可降低服務器、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器等各種應用的電源損耗。 東芝第3代SiC MOSFET具有以下特性。

第3代SiC MOSFET特性 1.內置肖特基勢壘二極管 (SBD) 降低VDSF，抑制導通電阻RDS(ON)波動 東芝第3代SiC MOSFET內置與漏極和源極之間PN二極管并聯的肖特基勢壘二極管（SBD），可將反向導通正向電壓VDSF降低至1.35V（典型值）。 SBD通電時，我們可抑制因SiC晶體缺陷擴散而引起的漏極和源極之間導通電阻RDS(ON) 的波動。 當從源極到漏極施加250A/cm2電流密度1000小時時，在體二極管通電作用下，無內置SBD的SiC MOSFET導通電阻RDS(ON)最大達42%。 然而內置SBD的第3代SiC MOSFET，由于SBD可以通電，我們能夠將導通電阻RDS(ON) 的波動抑制在最大3%。需要詳細了解，建議聯系技術支持王工以及查看數據手冊東芝王工V；wdylsq）確認封裝尺寸和熱阻參數，以確保與設計匹配。

審核編輯 黃宇