半導體晶圓片切割刃料的制備是一個復雜而精細的過程，以下是一種典型的制備方法：

一、原料準備

首先，需要準備高純度的原料，如綠碳化硅和黑碳化硅。這些原料具有高硬度、高耐磨性和高化學穩(wěn)定性，是制備切割刃料的理想選擇。

二、破碎與篩分

顎式破碎：將原料放入顎式破碎機中進行初步破碎，得到一定粒度的顆粒。

篩分：通過篩分設備將破碎后的顆粒進行分級，篩選出符合要求的粒度范圍。

三、濕法球磨分級

將篩分后的顆粒放入濕法球磨機中進行進一步粉碎和分級。濕法球磨機采用濕式研磨方式，通過研磨介質(zhì)（如球磨珠）和研磨液的共同作用，將顆粒粉碎成更細小的粒子，并通過分級設備將粒子按照粒度大小進行分離。

四、酸洗

將分級后的粒子進行酸洗處理，以去除表面的雜質(zhì)和污染物。酸洗過程中需要控制酸液的濃度、溫度和反應時間，以確保粒子的質(zhì)量和穩(wěn)定性。

五、溢流分級與濃縮脫水

溢流分級：通過溢流分級設備將酸洗后的粒子進行更精細的分級，得到符合切割刃料要求的粒度分布。

濃縮脫水：將分級后的粒子進行濃縮脫水處理，以去除多余的水分和研磨液，得到干燥的粒子。

六、烘干與混配

烘干：將濃縮脫水后的粒子進行烘干處理，以去除殘留的水分和揮發(fā)性物質(zhì)。

混配：根據(jù)切割刃料的配方要求，將不同粒度、不同種類的粒子進行混配，得到均勻的切割刃料。

七、精篩與包裝

精篩：對混配后的切割刃料進行精篩處理，以去除不符合要求的粒子和大顆粒雜質(zhì)。

包裝：將精篩后的切割刃料進行包裝，以便儲存和運輸。

八、質(zhì)量檢測

在制備過程中，需要對切割刃料進行質(zhì)量檢測，包括粒度分布、純度、硬度等指標。通過質(zhì)量檢測可以確保切割刃料的質(zhì)量和穩(wěn)定性，滿足半導體晶圓片切割的要求。

綜上所述，半導體晶圓片切割刃料的制備過程包括原料準備、破碎與篩分、濕法球磨分級、酸洗、溢流分級與濃縮脫水、烘干與混配、精篩與包裝以及質(zhì)量檢測等多個步驟。這些步驟需要嚴格控制工藝參數(shù)和條件，以確保切割刃料的質(zhì)量和穩(wěn)定性。

九、高通量晶圓測厚系統(tǒng)

高通量晶圓測厚系統(tǒng)以光學相干層析成像原理，可解決晶圓/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，總厚度偏差）、BOW（彎曲度）、WARP（翹曲度），TIR（Total Indicated Reading 總指示讀數(shù)，STIR（Site Total Indicated Reading 局部總指示讀數(shù)），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等這類技術(shù)指標；

高通量晶圓測厚系統(tǒng)，全新采用的第三代可調(diào)諧掃頻激光技術(shù)，傳統(tǒng)上下雙探頭對射掃描方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片，一次性測量所有平面度及厚度參數(shù)。

1,靈活適用更復雜的材料，從輕摻到重摻 P 型硅 (P++)，碳化硅，藍寶石，玻璃，鈮酸鋰等晶圓材料。

重摻型硅（強吸收晶圓的前后表面探測）

粗糙的晶圓表面，（點掃描的第三代掃頻激光，相比靠光譜探測方案，不易受到光譜中相鄰單位的串擾噪聲影響，因而對測量粗糙表面晶圓）

低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3)；（通過對偏振效應的補償，加強對低反射晶圓表面測量的信噪比）

絕緣體上硅（SOI)和MEMS，可同時測量多 層 結(jié) 構(gòu)，厚 度 可 從μm級到數(shù)百μm 級不等。

可用于測量各類薄膜厚度，厚度最薄可低至 4 μm ，精度可達1nm。

可調(diào)諧掃頻激光的“溫漂”處理能力，體現(xiàn)在極端工作環(huán)境中抗干擾能力強，一改過去傳統(tǒng)晶圓測量對于“主動式減震平臺”的重度依賴，成本顯著降低。

2，靈活的運動控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片測量。

審核編輯 黃宇