ISO5852S-EP 器件的電壓為 5.7kV RMS 、增強(qiáng)型隔離柵極 用于具有分離輸出、OUTH 和 OUTL 的 IGBT 和 MOSFET 驅(qū)動器，提供 2.5A 拉電流和 5A 灌電流 當(dāng)前。輸入側(cè)由 2.25V 至 5.5V 單電源供電。輸出側(cè)允許 電源范圍從最小 15V 到最大 30V。兩個互補的 CMOS 輸入控制輸出 gate driver 的狀態(tài)。76 ns 的短傳播時間提供了對 output 階段。
*附件：iso5852s-ep.pdf

內(nèi)部去飽和 （DESAT） 故障檢測可識別 IGBT 何時處于 overcurrent 條件。檢測到 DESAT 后，靜音邏輯會立即阻止 隔離器并啟動軟關(guān)斷程序，禁用 OUTH 引腳并拉動 OUTL 引腳 在 2 μs 的時間跨度內(nèi)變?yōu)榈碗娖健．?dāng) OUTL 引腳相對于最大負(fù)值達(dá)到 2 V 時 電源電位，V EE2 系列 ，柵極驅(qū)動器輸出被用力拉到 VEE2 系列電位，它會立即關(guān)閉 IGBT。

當(dāng)去飽和有效時，故障信號通過隔離柵牽引發(fā)送 輸入側(cè)的 FLT 輸出為低電平，并阻塞隔離器輸入。靜音 logic 通過 soft-OFF period 激活。FLT 輸出條件 被鎖存，并且只能在 RDY 引腳變?yōu)楦唠娖胶笸ㄟ^ RST 輸入端的低有效脈沖進(jìn)行復(fù)位。

當(dāng) IGBT 在雙極輸出電源正常工作期間關(guān)閉時， 輸出為 V 硬鉗位 EE2 系列 .如果輸出電源為單極，則 Active 可以使用米勒箝位，允許米勒電流通過低阻抗路徑吸收，該路徑 防止 IGBT 在高壓瞬態(tài)條件下動態(tài)導(dǎo)通。

柵極驅(qū)動器的運行準(zhǔn)備情況由兩個控制 用于監(jiān)視輸入側(cè)和輸出側(cè)電源的欠壓鎖定電路。如果任一側(cè) supply 不足，RDY 輸出變?yōu)榈碗娖剑駝t此輸出為高電平。

ISO5852S-EP 器件采用 16 引腳 SOIC 封裝。設(shè)備作為 額定溫度范圍為 –55°C 至 +125°C 環(huán)境溫度。

特性

• V 時的最小共模瞬態(tài)抗擾度 （CMTI） 為 100kV/μs 厘米 = 1500 伏
• 分離輸出，可提供 2.5A 峰值拉電流和 5A 峰值灌電流
• 短傳播延遲：76 ns（典型值）、110 ns（最大值）
• 2A 有源米勒箝位
• Output Short-Circuit Clamp
• 短路期間的軟關(guān)斷 （STO）
• 去飽和檢測時的故障警報在 FLT 上發(fā)出信號，并通過 RST 復(fù)位
• 輸入和輸出欠壓鎖定 （UVLO），帶就緒 （RDY） 引腳指示
• 有源輸出下拉和默認(rèn)低電平輸出，具有低電源或浮動輸入
• 2.25V 至 5.5V 輸入電源電壓
• 15V 至 30V 輸出驅(qū)動器電源電壓
• CMOS 兼容輸入
• 抑制短于 20 ns 的輸入脈沖和噪聲瞬變
• 工作溫度：-55°C 至 +125°C 環(huán)境溫度
• 浪涌抗擾度 12800-V PK （根據(jù) IEC 61000-4-5）
• 安全相關(guān)認(rèn)證：
  • 8000 伏PKV物聯(lián)網(wǎng)和 2121-VPKVIORM符合 DIN V VDE V 0884-10 （VDE V 0884-10）：2006-12 的增強(qiáng)隔離
  • 5700 伏RMS隔離 1 分鐘，符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)
  • CSA 組件驗收通知 5A、IEC 60950-1、IEC 60601-1 和 IEC 61010-1 終端設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)
  • 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 認(rèn)證
  • 所有認(rèn)證均按照 UL、VDE、CQC、TUV 完成，并計劃通過 CSA 認(rèn)證

參數(shù)

方框圖

概述

ISO2S-EP是一款由Texas Instruments（TI）生產(chǎn)的隔離型IGBT和MOSFET柵極驅(qū)動器，具有2.5A峰值源電流和5A峰值沉電流，適用于工業(yè)電機(jī)控制、工業(yè)電源供應(yīng)、太陽能逆變器、混合動力和電動汽車功率模塊以及感應(yīng)加熱等應(yīng)用。

主要特性

• ? 高共模瞬態(tài)免疫（CMTI） ?：最小CMTI為0kV/μs（在VCM=V時）。
• ?分裂輸出?：提供.A源電流和5A沉電流。
• ?短傳播延遲?：典型值為6ns，最大值為ns。
• ?有源米勒鉗位?：2A有源米勒鉗位，防止寄生開通。
• ?輸出短路鉗位?：保護(hù)電路免受過流損壞。
• ?軟關(guān)斷功能?：短路時實現(xiàn)軟關(guān)斷。
• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：輸入和輸出UVLO保護(hù)，帶就緒（RDY）引腳指示。
• ?寬工作溫度范圍?：-°C至+5°C。
• ?高隔離電壓?：0V RMS隔離電壓，符合多項安全認(rèn)證。

應(yīng)用領(lǐng)域

• ?工業(yè)電機(jī)控制驅(qū)動器?
• ?工業(yè)電源供應(yīng)?
• ?太陽能逆變器?
• ?混合動力和電動汽車功率模塊?
• ?感應(yīng)加熱?

功能描述

輸入與輸出

• ?CMOS兼容輸入?：可與微控制器直接接口。
• ?分裂輸出?：OUTH和OUTL分別提供正柵極驅(qū)動電壓和負(fù)柵極驅(qū)動電壓。
• ?故障報警?：檢測到脫飽和時，F(xiàn)LT引腳輸出低電平報警信號。

保護(hù)功能

• ?脫飽和檢測?：內(nèi)部脫飽和故障檢測電路，防止IGBT過流。
• ?軟關(guān)斷?：檢測到故障時，實現(xiàn)IGBT的軟關(guān)斷，防止損壞。
• ?輸出短路鉗位?：在短路事件期間，鉗位輸出電壓以防止損壞。
• ?UVLO保護(hù)?：輸入和輸出UVLO保護(hù)，確?？煽康臇艠O驅(qū)動。

隔離與認(rèn)證

• ?高隔離電壓?：提供V RMS的隔離電壓，符合多項國際安全標(biāo)準(zhǔn)。
• ?安全認(rèn)證?：通過VDE、UL、CSA、CQC和TUV等多項安全認(rèn)證。

典型應(yīng)用

ISO2S-EP適用于需要高隔離電壓、高CMTI和強(qiáng)大保護(hù)功能的IGBT和MOSFET柵極驅(qū)動應(yīng)用。典型應(yīng)用包括三相逆變器、電機(jī)控制器和工業(yè)電源供應(yīng)等。

布局指南

• ?多層PCB設(shè)計?：建議使用至少四層PCB，以實現(xiàn)低EMI設(shè)計。
• ?信號層與電源層分離?：將高速信號層與電源層分離，以減少干擾。
• ?旁路電容?：在輸入和輸出供電引腳附近放置旁路電容，以支持高速開關(guān)操作。
• ?布局緊湊?：將柵極驅(qū)動器和功率器件緊密布局，以減小環(huán)路電感。