UCC27518 和 UCC27519 單通道、高速、低側柵極驅動器器件可以 有效驅動 MOSFET 和 IGBT 功率開關。使用本質上最小化 擊穿電流、UCC27518 和 UCC27519 可以將高峰值電流脈沖源出和吸收到 電容性負載提供軌到軌驅動能力和極小的傳播延遲 通常為 17 ns。

UCC27518 和 UCC27519 提供 4A 拉電流、4A 灌電流（對稱驅動）峰值驅動 VDD = 12 V 時的電流能力。
*附件：ucc27519.pdf

UCC27518 和 UCC27519 設計用于在 4.5 V 至 18 V 的寬 VDD 范圍內工作 以及 –40°C 至 140°C 的寬溫度范圍。 內部欠壓鎖定 （UVLO） 電路開啟 VDD 引腳將輸出保持在 VDD 工作范圍之外的低電平。能夠在低電壓下工作 低于 5 V 的水平以及一流的開關特性特別適合 用于驅動新興的寬帶隙功率開關器件，如 GaN 功率半導體 設備。

UCC27518 和 UCC27519 的輸入引腳閾值基于 CMOS 邏輯，其中 閾值電壓是 VDD 電源電壓的函數。通常輸入高閾值 （V IN-H 系列 ） 為 55% VDD 系列和 Input Low Threshold （V IN-L 系列 ） 為 39% V DD 系列 .寬滯后 （16%） VDD 系列通常）提供出色的噪聲 抗擾度，并允許用戶使用輸入 PWM 信號和 INx 之間的 RC 電路引入延遲 pin 的 intent 的 intent 的

UCC27518 和 UCC27519 在 EN 引腳上還具有可浮動的使能功能。英文 pin 可以保持 no connect 狀態，這允許 UCC27518、UCC27519 和 TPS2828 分別TPS2829。EN 引腳的閾值是固定的 電壓閾值，不隨 V 變化DD 系列pin 偏置電壓。 通常，啟用高閾值 （V EN-H 系列 ） 為 2.1 V，使能為低電平 閾值 （V EN-L 系列 ） 為 1.25 V。

特性

• 低成本、柵極驅動器器件，可出色
  地替代 NPN 和 PNP 分立解決方案
• 與 TI 的 TPS2828 和
  TPS2829 器件引腳對引腳兼容
• 4A 峰值拉電流和 4A 峰值灌電流對稱驅動
• 快速傳播延遲（典型值為 17ns）
• 快速上升和下降時間（典型值為 8ns 和 7ns）
• 4.5V 至 18V 單電源范圍
• 在 VDD UVLO 期間，輸出保持低電平（確保在上電和斷電時
  無毛刺運行）
• CMOS 輸入邏輯閾值 （帶遲滯的電源
  電壓函數）
• 具有高抗噪
  能力的遲滯邏輯閾值
• 用于啟用功能的 EN 引腳（允許為 No
  Connect）
• 當 Input Pins 懸空時 Output Held Low
• 輸入引腳絕對最大電壓電平不受
  VDD 引腳偏置電源電壓限制
• 工作溫度范圍為 –40°C
  至 140°C
• 5 引腳 DBV 封裝 （SOT-23）

參數

方框圖

一、產品概述

• ?型號?：UCC
• ?類型?：單通道、高速、低側柵極驅動器
• ?特點?：
  • 提供A源和A沉電流（對稱驅動）
  • CMOS輸入邏輯閾值，閾值電壓隨VDD變化
  • 寬VDD工作范圍：.V至V
  • 低傳播延遲：典型值ns
  • 輸出在VDD欠壓鎖定（UVLO）期間保持低電平
  • 具有使能（EN）引腳，允許獨立控制輸出

二、應用領域

• 開關模式電源
• DC-DC轉換器
• 數字功率控制器的配套柵極驅動器
• 太陽能電源、電機控制、不間斷電源（UPS）
• 新興寬帶隙功率器件（如GaN）的柵極驅動器

三、引腳配置與功能

• ?EN?：使能輸入，高電平使能輸出，低電平禁用輸出，允許懸空以實現與TPS的引腳兼容。
• ?GND?：地，所有信號參考此引腳。
• ? IN+ ?：非反相輸入，當驅動器工作在非反相配置時，連接此引腳以啟用輸出。
• ?OUT?：驅動器的源/沉電流輸出。
• ?VDD?：偏置供電輸入。

四、電氣特性

• ?VDD工作范圍?：.V至V
• ?輸入閾值?：
  • VIN_H（輸入高閾值）：典型值%VDD
  • VIN_L（輸入低閾值）：典型值%VDD
  • 輸入滯回：典型值%VDD
• ?輸出特性?：
  • 峰值源/沉電流：A
  • 高電平輸出電壓（VOH）：VDD - mV至mV（VDD=V時）
  • 低電平輸出電壓（VOL）：mV至.mV（VDD=V時）
• ?傳播延遲?：
  • IN+到輸出延遲：典型值ns（VDD=V）
  • EN到輸出高電平延遲：典型值ns（VDD=V）
  • EN到輸出低電平延遲：典型值ns（VDD=V）

五、保護功能

• ?UVLO?：欠壓鎖定功能，當VDD電壓低于UVLO閾值時，輸出被拉低。

六、設備功能模式

• ?非反相模式?：當IN+引腳為高電平時，OUT輸出高電平；當IN+引腳為低電平時，OUT輸出低電平。
• ?使能功能?：EN引腳為高電平時啟用輸出，EN引腳為低電平時禁用輸出。

七、典型應用

• 提供了典型應用電路圖，展示了如何使用UCC驅動功率MOSFET。
• 詳細描述了設計要求和設計過程，包括輸入輸出邏輯配置、VDD偏置供電電壓、峰值源和沉電流、傳播延遲、使能功能等考慮因素。

八、布局指南

• 推薦將驅動器盡可能靠近功率MOSFET放置，以最小化柵極驅動回路的電感。
• 推薦在VDD和GND之間放置低ESR/ESL陶瓷電容器，以支持FET開通時的高峰值電流。
• 提供了布局示例和功率耗散考慮因素。