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高共模電壓信號的來源和典型工業要求

德州儀器 ? 來源:德州儀器 ? 2025-05-21 09:21 ? 次閱讀

在上期中,我們探討了使用基于 GaN 的 OBC 應對電動汽車 EMI 傳導發射挑戰。

本期,為大家帶來的是《專為在模擬輸入模塊中實現高共模電壓而設計》,將探討高共模電壓信號的來源和典型工業要求,并介紹信號隔離和信號調節實施。

引言

在惡劣的工廠和工藝環境中,可編程邏輯控制器 (PLC)模擬輸入模塊的可靠性要求需要支持高達數百伏的高共模電壓。該共模電壓來自不同的來源,它是由耦合或線路問題導致的。在存在高共模電壓的情況下保持模擬轉換所需的精度對模塊設計人員而言是一個挑戰。

本文探討了高共模電壓信號的來源和典型工業要求。此外,還介紹了信號隔離和信號調節實施。您可以使用高電壓開關或高電壓多路復用器對整個通道或僅接口應用信號隔離。可通過分立方式或通過集成式差分放大器實現調節。本文對不同的實現方式及其對輸入阻抗、噪聲、帶寬和共模抑制等其他信號鏈參數的影響進行了比較。

共模電壓源及其對可靠性的影響

采用具有隔離接地的PLC 模擬輸入模塊和數據采集卡是很常見的現象,這可以提高模塊的可靠性并使輸入級能夠跟蹤源接地。當通過差分信號將接地點不同的兩個源連接至輸入(如圖 1 所示)時,其中一個輸入通道將經受共模電壓信號。這是高度簡化的說明;實際上,可能存在與機箱接地、大地接地或保護接地和屏蔽電纜的連接,以及電纜屏蔽層的連接(為簡單起見,圖中省略了這一點)。

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圖 1:共模信號絕對輸入范圍(全輸入范圍):差分輸入范圍加共模電壓范圍

根據其來源,共模電壓可能是直流或交流信號。工業設備中的來源可能來自:

線路或接地故障。

由附近電機、機器或大功率瞬變的電磁干擾引起的與電纜或端子電容或電感耦合。

電纜遭受雷擊。

例如,未接地的電線在 50Hz 至 60Hz 下的共模噪聲水平通常為 4V 至 5V。一些化工廠可能會遇到高達 60V 的共模噪聲。眾所周知,船用系統具有高達 35V 的共模噪聲信號。

共模電壓的存在也并非總是無意的。一些應用在設計上具有共模電壓差,例如連接到高壓電池中的電芯的輸入、浸入電解質溶液或熔融金屬熔爐中的裸露熱電偶。

如果模擬輸入模塊不是為高電壓設計的,則高共模電壓可能會導致電壓超過輸入級放大器多路復用器模數轉換器 (ADC) 的絕對最大額定值,從而導致永久性電路損壞。即使輸入受到高壓保護,高共模電壓也可能導致精度下降并導致讀數不可靠。

支持級別

模擬輸入模塊上的高共模電壓有不同的支持級別:

過壓保護。該模塊受到高共模電壓保護,但在發生過壓事件期間不一定運行。發生此類事件期間的讀數有誤。

過壓診斷和故障警報。過壓事件由該模塊檢測并報告給處理器以指示故障。這可以確保所有讀數的可靠性。過壓期間沒有讀數。

正常運行,精度降低。一些模塊可以在發生高共模電壓事件期間運行,但精度會降低。

正常運行,精度不受任何影響。在這種高共模電壓支持級別下,輸入模塊即使在發生此類事件期間也能保持高精度

設計難題是如何在高共模電壓下實現正常運行(精度不受影響或降低)。

支持技術

有三種通用技術可以支持模擬輸入上的高共模電壓,并提供多種拓撲:

接地隔離。

共模阻斷,使用:

– PhotoMOS 開關或

– 高電壓多路復用器

共模調節:

– 使用電阻分壓器和儀表放大器 (INA)。

– 分立式或集成式差分放大器。

接地隔離可為每個通道創建具有單獨本地接地的完全隔離通道。通道之間的共模差可以與隔離器件的隔離柵一樣高。

該技術通常可達到幾千伏范圍內的可能最大共模電壓。

使用共模阻斷技術,有源通道通過信號鏈,并將負極端子假定為接地端(模塊接地被隔離)。所有其他通道都通過具有高阻斷電壓的開關進行阻斷。

在共模調節技術中,通過放大器之前或周圍的無源衰減來降低高共模電壓,從而避免超過放大器電壓限制。阻斷和調節技術都可以實現基于器件和電源的中低共模電壓支持。

通道間隔離拓撲

該拓撲可實現更大的共模范圍。該拓撲依賴于在電隔離島中構建單獨的輸入通道,每個島具有單獨的懸空接地,如圖 2 所示。ADC 通過數字信號隔離器連接至處理單元。通過隔離式功率級對模擬前端和 ADC 進行供電。ISO6742等數字隔離器可實現 5kVRMS 隔離電壓,可能高于現成變壓器隔離電壓(1.5kVRMS 至 5kVRMS)。如果一個通道所需的功率低于 0.5W,ISOW7741等集成式電源和數據隔離器可幫助節省空間和成本。

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圖 2:通道間隔離拓撲

通道間隔離拓撲要求每個通道具有單獨的模擬前端、轉換器、隔離器和功率級。該拓撲成本更高,功耗更高,占用的板面積也更大。該拓撲還可以實現更高的共模電壓范圍、更佳的性能和更高的可靠性。

高電壓多路復用器

高電壓多路復用器是支持高共模電壓的極具吸引力的解決方案。它們不會影響輸入阻抗,并能實現快速開關和寬帶寬。它們相對較新,是高電壓金屬氧化物半導體技術最近取得進展的結果。它們需要涵蓋共模電壓范圍和輸入差分信號的電源。此外,需要為模擬信號鏈中的其他器件(例如放大器)提供保護,使其免受可能的高電壓的影響。

圖 3 顯示了TMUX81094 比 1 差分高電壓多路復用器。除 ±10V 的典型差分輸入之外,該 100V 多路復用器還可以支持 80V 的共模電壓差。通過在多路復用器之后使用過壓保護放大器(例如圖 3 所示的INA823),可以消除對外部保護二極管的需求,并且支持使用典型電壓信號鏈(例如 ±15V)。

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圖 3:高電壓多路復用器拓撲方框圖

將信號接地(通常在模擬輸入模塊中隔離)連接到活動通道(圖 3 中的 CH1)的負輸入可確保活動通道正確地偏置模塊信號鏈。通道之間的切換時間受放大器開關時間的限制,對于 0.001% 穩定,該時間約為 14μs。如果可以在板上生成高電壓電源,則高電壓多路復用器支持 50V 至 80V 范圍內的共模電壓差。請注意,每個電源軌所需的高電壓電源電流低于 0.5mA。如果只需要高阻斷電壓,請考慮具有多通道輸入的高電壓開關,例如TMUX8212,如圖 4 所示。

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圖 4:高電壓開關拓撲方框圖

PhotoMOS 開關

可以安排單極單擲 photoMOS 開關來創建差分 N 比 1 多路復用器,也可以將其用作開關,如圖 3 和圖 4 所示。由于 photoMOS 開關具有高阻斷電壓(60V 至 300V),因此產生的多路復用器類似于高電壓多路復用器。

photoMOS 開關的主要優點是這些開關不需要高電壓電源即可工作,而且這些開關通常具有低阻抗(其范圍僅為幾 ?)。不過,這些開關也有缺點;這些開關在控制引腳上需要相對較高的電流(差分輸入雙路開關約為 7mA),在關閉狀態下具有相對較高的漏電流(可以達到 1μA),并且開關時間較長(幾毫秒)。

一個電阻分壓器和 INA

圖 5 展示了一個電阻分壓器,后跟INA826INA。分壓器可以降低共模電壓,但也可以調節差分輸入信號。為了盡可能擴大動態范圍,INA 可以放大差分信號,使其恢復到原始信號電平。

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圖 5:一個電阻分壓器后跟 INA 的拓撲

方程式 1 和方程式 2 分別表示增益系數 G1 和 G2。

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方程式 1 和方程式 2

該拓撲的權衡包括:

共模范圍與輸入噪聲。高 Ri 與 Rf 比可增大共模電壓范圍,但也會使輸入信號衰減,并在被再次放大 G2 時增加輸入噪聲。

輸入阻抗與輸入噪聲。高 Ri和 Rf 可以增加輸入阻抗,但也會增加輸入噪聲。

精密高阻值電阻器并不容易獲得,這會將輸入阻抗的實際上限設置為約 1MΩ。

如果使用 ±15V 電源,則 G1 = 0.249 且 G2 = 4.01 會產生 ±36V 的共模電壓范圍。

該拓撲的共模抑制比 (CMRR)是電阻器精度的函數,其范圍通常為 70dB 至 80dB。失調電壓取決于共模。由于無法補償增益漂移(電阻器溫度系數)和取決于共模的失調電壓,因此該拓撲的不準確下限高于滿量程的 0.1%。

分立式差分放大器

圖 6 顯示的分立式差分放大器可在保持差分輸入信號的同時抑制共模信號。放大器增益由方程式 3 表示。

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方程式 3

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圖 6:分立式差分放大器拓撲

對于 ±15V 電源,該拓撲的共模電壓范圍計算結果為 ±36V。該拓撲具有與電阻分壓器拓撲類似的缺點 – 在某些方面更糟糕。最重要的權衡是輸入阻抗與帶寬。在高輸入阻抗的情況下,高 Rf 以及放大器的輸出電容極大地限制了級帶寬。1MΩ 輸入阻抗和 G = 1 會導致帶寬小于 10kHz。出于實際考慮,輸入阻抗通常限制為 1MΩ。

集成式差分放大器

圖 7 所示的INA148放大器等集成器件可以顯著消除分立式差分放大器的缺點。集成電阻器后,可以將電阻器之間的匹配度修整至更高的值。由于可以精確修整到任意的電阻器阻值,因此能夠實現使用較低阻抗的更復雜的反饋結構,從而極大地擴展差動放大器的帶寬。

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圖 7:集成式差分放大器

憑借復雜的反饋結構,可在 ±15V 電源下實現 ±200V 的共模范圍、超低的增益誤差(小于 0.1%)和超高的 CMRR(大于 86dB)。該拓撲可以在通道間實現后實現更高的共模電壓范圍。

選擇合適的拓撲

不要因拓撲種類繁多而不知所措。影響拓撲選擇的主要參數是共模電壓范圍、信號帶寬、是否需要快速開關(多路復用系統)、所需的輸入阻抗和總成本。阻斷拓撲是多路復用的,可減少 ADC 通道數量并降低系統成本。其他拓撲要求每通道采用一個放大器,但通常提供更寬的帶寬,在同步采樣的情況下這是強制性的。

表 1 比較了不同的拓撲。

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表 1:不同的拓撲

如果您需要超高的共模范圍(大于 200V),則通道間隔離式拓撲是唯一的選擇。對于 50 和 200 之間的共模范圍,您可以選擇photoMOS 開關(如果可以接受非常慢的開關)或為每個通道提供一個集成分立式放大器。對于小于 50V 的共模范圍,請選擇高電壓多路復用器。如果需要高輸入阻抗,則可以在多路復用系統中使用多路復用器拓撲,速率高達 50kSPS。

當需要同步采樣或仍將使用多通道 ADC 時,請選擇基于放大器的方法。集成式差分放大器具有更高的性能,而分立放大器具有更低的性能,但其成本更低。電阻分壓器在性能和成本方面都處于中間位置。

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原文標題:模擬芯視界 | 專為在模擬輸入模塊中實現高共模電壓而設計

文章出處:【微信號:tisemi,微信公眾號:德州儀器】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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