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UCC27425-Q1 具有反相/同相輸入的汽車類 4A/4A 雙通道柵極驅動器數據手冊

科技綠洲 ? 2025-05-21 09:29 ? 次閱讀

UCC2742x-Q1 系列器件是高速雙通道 MOSFET 驅動器,能夠向容性負載提供較大的峰值電流。提供兩種標準邏輯選項:雙反相和雙同相驅動器。它們采用標準 8 引腳 SOIC (D) 封裝。熱增強型 8 引腳 PowerPAD 封裝 MSOP 封裝 (DGN) 大大降低了熱阻,從而提高了長期可靠性。
*附件:ucc27425-q1.pdf

這些驅動器采用一種本質上將擊穿電流降至最低的設計,在 MOSFET 開關轉換期間,在米勒高原區域最需要的地方提供 4A 電流。獨特的雙極和 MOSFET 混合并聯輸出級還允許在低電源電壓下實現高效的電流源和吸收。

UCC2742x-Q1 提供使能 (ENBL) 功能,以更好地控制驅動程序應用的運行。ENBA 和 ENBB 在引腳 1 和 8 上實現,而這些引腳以前在行業標準引腳分配中未使用。它們在內部被上拉至 V DD 以實現高電平有效邏輯,并且可以保持開路以進行標準作。

特性

  • 適用于汽車應用
  • 符合 AEC-Q100 標準,結果如下:
    • 器件溫度等級 1:-40°C 至 +125°C 環境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類 2 級
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C6
  • 行業標準引腳排列
  • 為每個驅動程序啟用功能
  • ±4 A 的大電流驅動能力
  • 獨特的雙極和 CMOS True Drive 輸出級在 MOSFET 米勒閾值下提供高電流
  • 輸入不受電源電壓的影響,與 TTL 和 CMOS 兼容
  • 1.8nF 負載時,上升時間為 20ns(典型值),下降時間為 15ns(典型值)
  • 典型傳播延遲時間為 25 ns(輸入下降時)和 35 ns(輸入上升時)
  • 4V 至 15V 電源電壓
  • 雙輸出可并聯以獲得更高的驅動電流
  • 采用耐熱性能增強型 MSOP PowerPAD? 封裝
  • 額定溫度范圍為 –40°C 至 +125°C

參數
image.png

方框圖
image.png

一、產品概述

1. 基本信息

  • ?產品名稱?:UCC5-Q
  • ?功能?:雙通道4A高速低端MOSFET驅動器,帶使能功能
  • ?應用領域?:開關模式電源、DC-DC轉換器電機控制器、線路驅動器、Class-D開關放大器等

2. 主要特點

  • ?AEC-Q認證?:適用于汽車應用
  • ?雙通道設計?:一個通道為反相(inverting),另一個通道為非反相(non-inverting)
  • ?高峰值電流?:每個通道能提供±A的峰值驅動電流
  • ?TrueDrive輸出架構?:采用雙極性和MOSFET晶體管并行結構,提供高效的電流驅動
  • ?TTL和CMOS兼容輸入?:輸入邏輯獨立于電源電壓
  • ?使能功能?:每個通道具有獨立的使能輸入(ENBA和ENBB)
  • ?熱增強型封裝?:提供MSOP PowerPAD封裝,降低熱阻,提高散熱性能

二、引腳配置與功能

1. 引腳配置

  • ?ENBA?(引腳):通道A的使能輸入
  • ?INA?(引腳2):通道A的輸入信號
  • ?GND?(引腳):公共地
  • ?INB?(引腳):通道B的輸入信號
  • ?OUTB?(引腳):通道B的驅動輸出
  • ?OUTA?(引腳):通道A的驅動輸出
  • ?ENBB?(引腳):通道B的使能輸入
  • ?VDD?(引腳6):電源電壓輸入

2. 功能描述

  • ?ENBA/ENBB?:控制對應通道的使能狀態,內部上拉至VDD,高電平啟用,低電平禁用
  • ?INA/INB?:輸入信號,具有邏輯兼容的閾值和遲滯
  • ?OUTA/OUTB?:驅動輸出,能夠提供高達4A的峰值驅動電流至MOSFET柵極

三、電氣特性

1. 靜態工作電流

  • 不同條件下的靜態工作電流范圍為數百微安至數毫安

2. 輸入和輸出特性

  • ?輸入閾值電壓?:VIH為1.6V至.V,VIL為.V至1.5V
  • ?輸出電流?:每個通道能提供±4A的峰值驅動電流
  • ?輸出電阻?:高電平輸出電阻為.Ω至2.5Ω,低電平輸出電阻為0.7Ω至.Ω

3. 開關特性

  • ?上升時間?:典型值為ns,最大值為ns
  • ?下降時間?:典型值為ns,最大值為ns
  • ?傳播延遲時間?:輸入上升時為ns至ns,輸入下降時為5ns至0ns

四、應用與實現

1. 應用信息

  • 適用于需要高速度、高電流驅動的應用場景,特別是在MOSFET開關轉換期間提供高效的電流驅動

2. 典型應用

  • 提供了在驅動兩個獨立MOSFET時的典型應用電路圖

3. 設計要求

  • 在選擇柵極驅動器時,需考慮輸入到輸出配置、輸入閾值類型、電源電壓、峰值源電流和沉電流、使能功能、傳播延遲、功率耗散和封裝類型等設計參數

五、布局與熱考慮

1. 布局指南

  • 推薦將驅動器盡可能靠近功率MOSFET,以最小化寄生電感和噪聲
  • 使用低ESR的旁路電容來減少高頻噪聲
  • 優化電流環路路徑,以最小化環路電感

2. 熱考慮

  • 強調了熱設計的重要性,特別是對于高功率應用
  • 提供了不同封裝選項的熱阻和功率耗散評級,推薦使用MSOP PowerPAD封裝以提高散熱性能

六、封裝與訂購信息

1. 封裝選項

  • ? SOIC-(D) ?:標準小外形集成電路封裝
  • ? MSOP-PowerPAD(DGN) ?:熱增強型微型小外形功率焊盤封裝

2. 訂購信息

  • 提供了不同封裝選項的訂購信息,包括狀態、材料類型、封裝尺寸、載帶和卷盤信息、RoHS狀態等
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