51內(nèi)核的單片機有個比較惱人的特性就是復(fù)位期間，IO口呈高電平狀態(tài)，萬一IO口控制的設(shè)備是使用高電平觸發(fā)的話，在復(fù)位的瞬間會造成設(shè)備觸發(fā)。

總結(jié)一下接觸過的解決方法：

1、把MCU換成別的體系的，譬如AVR、PIC等，這些單片機復(fù)位時IO口呈浮空高阻狀態(tài)，不會造成觸發(fā)。

2、使用反相驅(qū)動，MCU輸出低電平反相成高電平再去控制設(shè)備。復(fù)位時的高電平反相后變成低電平，不會觸發(fā)。這是比較常用的方法，穩(wěn)定，但布線復(fù)雜了不少。

3、使用光耦隔離。光耦隔離后MCU也是輸出低電平打開光耦再驅(qū)動被控設(shè)備，復(fù)位時的高電平不會打開光耦，不會造成誤觸發(fā)。

4、使用多余的IO口鎖定，這種方法比較奇怪，在沒用的IO口里挑一個出來接到NPN管的基極，再把NPN管的發(fā)射極接到被控的IO口，復(fù)位時所有的IO口呈高電平，NPN管導(dǎo)通，把被控的IO口強行拉低，相當于把被控IO口的電平鎖定為低，避免觸發(fā)被控的設(shè)備。這種方法必須配合軟件，復(fù)位完畢后必須軟件把接NPN管基極的那根IO置低電平，釋放被控的IO口。這種方法比較少用，畢竟需要有多余的IO口，還必須加上三極管、電阻，布線復(fù)雜了不少，成本也增加不少。

5、使用濾波電容。在被控IO口對地之間接一uF級電容及K級電阻，類似緩沖作用。開機瞬間IO口通過電阻向電容充電，電平有一個逐漸上升的過程。只要電容及電阻的參數(shù)選擇得當，那么復(fù)位時由于緩沖作用IO口還沒來得及觸發(fā)設(shè)備時那么MCU已經(jīng)復(fù)位完畢把電平拉低了，這樣也就避免了誤觸發(fā)。這種方法有一定限制，會造成設(shè)備的響應(yīng)速度變慢，因此被控的IO口電平不能變化太快，否則由于電容的緩沖作用，設(shè)備無法有效控制。