日前，長江存儲以“芯存長江，智儲未來”為主題，慶賀存儲器基地正式移入生產(chǎn)設備。目前，長江存儲新建的廠房已經(jīng)完成廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)的安裝。只要生產(chǎn)設備搬入并完成調(diào)試之后，就可以量產(chǎn)NAND Flash芯片，打響中國在存儲芯片領域的第一槍。

不過，正如“八一”南昌起義后，中國人民徹底推翻“三座大山”用了20多年，中國存儲芯片要擊敗三星、SK海力士、東芝、閃迪、西數(shù)、英特爾等國外大廠，也要經(jīng)歷比較漫長的過程。

長江存儲武漢工廠量產(chǎn)存儲芯片僅僅是一個開始

自2016年第四季度開始，存儲芯片價格一路上揚，在三星、SK海力士、東芝、閃迪等企業(yè)大發(fā)橫財?shù)耐瑫r，中國消費者和華為、聯(lián)想、小米、OPPO、VIVO等電子產(chǎn)品整機廠卻深受其害。

而且隨著物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、大數(shù)據(jù)等行業(yè)的發(fā)展，對于存儲芯片的需求會與日俱增，如果在這方面受制于人，完全依賴美國、日本和韓國廠商，對于中國IT產(chǎn)業(yè)的發(fā)展而言非常不利。

為了實現(xiàn)在存儲芯片方面不再受制于人，紫光集團整合了武漢新芯、西安華芯等在存儲芯片方面有一定積累的內(nèi)資企業(yè)，并在國家的扶持下，投入巨資發(fā)展存儲芯片。本次在武漢即將量產(chǎn)NAND Flash的工廠，則是紫光近年來努力的成果。

根據(jù)紫光公布的資料，國家存儲器基地一期規(guī)劃投資240億美元，占地面積1968畝，建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND閃存生產(chǎn)廠房。在2018年4月實現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)32層64G存儲芯片，2019年實現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。到2020年，存儲器基地一號項目總產(chǎn)能將達到每月30萬片。

趙偉國曾透露，目前已經(jīng)籌集1800億人民幣，其中800億人民幣投資武漢的存儲工廠，并計劃用另外1000億人民幣在成都、南京再建兩個存儲工廠。力爭讓中國企業(yè)進入世界內(nèi)存企業(yè)的第一梯隊，到2020年，計劃把中國芯片制造自產(chǎn)率從 8%提升到40%。

境外企業(yè)對中國大陸高度技術封鎖

近5年來，紫光在全球范圍內(nèi)掀起了一股并購狂瀾，一系列資本運作更是讓人眼花繚亂。

2013年底，紫光先以18億美元收購展訊通信，后以9.1億美元收購銳迪科，將中國大陸前三的兩家芯片設計公司整合到一起。

2014年，紫光將紫光展銳20%股份以15億美元的價格出售給了英特爾。隨后又獲得了集成電路大基金100億元人民幣的投資和國開行200億元貸款。

2015年，紫光以25億美元收購華三公司51%的股權。

紫光在大陸收購企業(yè)成功率頗高，但在境外的收購往往因各種原因無疾而終。

在2015年，紫光計劃投資230億美元收購鎂光，以及計劃投資38億美元收購西部數(shù)據(jù)15%股權，進而由西部數(shù)據(jù)出資190億美元收購閃迪。這項計劃顯然是為了通過收購鎂光，或借助西部數(shù)據(jù)持有閃迪的股票，進而獲得進軍存儲芯片市場的入場券。不過，兩筆收購都沒能成功，紫光收購西部數(shù)據(jù)15%的股份還因為美國外資投資委員會的審查而告吹。

在2015年底，紫光計劃分別出資111.33億元、23.94億元、36億元收購***硅品精密約24.9%的股權、南茂科技約25%的股權和力成科技約25%的股份。紫光此舉立即引爆***輿論，有臺企負責人稱此舉如“引清兵入關”。蔡英文表示“務必小心處理”，要求“經(jīng)濟部”投審會不得讓紫光并購案審查通過。

雖然紫光近年來“買買買”的行為為其招致很多非議，但收購境外存儲芯片大廠，是介入一個領域的最快途徑，如果紫光同時注重技術引進和消化吸收，就可以在存儲芯片行業(yè)復制高鐵模式。

畢竟中國中車（南車、北車）也曾經(jīng)從龐巴迪、川崎重工、西門子、阿爾斯通那里買技術。紫光的做法就和當年中車從國外買技術類似，都是著眼于引進境外技術，提升本土技術實力。只是由于美國及其盟友對華技術封鎖，收購沒能成功。

另外，紫光在收購的同時，也沒有放棄自主研發(fā)，高薪聘請了***有“存儲教父”之稱的高啟全等一大批技術人員，與中國大陸工程師共同開發(fā)存儲芯片。本次即將小規(guī)模量產(chǎn)的32層NAND芯片就是自主研發(fā)的技術成果。

因此，網(wǎng)絡上對紫光“買買買”的非議并不客觀，而且以偏概全。

三星、東芝、鎂光掀起新一輪建廠大潮

近期，三星，東芝，鎂光和SK海力士等境外存儲芯片大廠都在大肆擴建工廠。在2018年3月，三星就在西安舉行了存儲芯片二期項目開工奠基儀式，未來三年將投資70億美元，把晶圓的月產(chǎn)量提升至22萬片。

東芝被貝恩資本收購后，也表示將投資70億美元開建存儲芯片工廠，并計劃在2019年量產(chǎn)96層的3D NAND Flash芯片。

擴建工廠的還有鎂光和SK海力士，鎂光在新加坡的3座存儲芯片工廠也于最近動工，并計劃在2019年底商業(yè)化量產(chǎn)64層或96層3D NAND芯片。SK海力士新建的工廠計劃在2019年投入運營。

從上述情況可以看出，三星、SK海力士、東芝、鎂光等國外大廠新建的工廠大多是在2019年商業(yè)化量產(chǎn)，這個時間點可謂卡的恰到好處。正好是長江存儲開始商業(yè)化量產(chǎn)的時間。在全球NAND Flash產(chǎn)能大幅提升的情況下，存儲芯片的價格有可能會逐漸走低，這對于剛剛開始與國際大廠競爭的長江存儲來說，著實不是一個好消息。在沒有趕上前一輪存儲芯片大漲價的情況下，又即將與國際大廠開始白刃戰(zhàn)，長江存儲在未來幾年可能會遭遇類似京東方早年的長期虧損的局面。

此外，正如一句俗話錢不是萬能的，但沒有錢是萬萬不能的，在發(fā)展中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)過程中，必須要有充足資金做后盾。像韓國三星在2017年就投入了超過了600億美元用于半導體上的技改和研發(fā)。如果國內(nèi)企業(yè)一年投入到不了100億美元，是進入不了第一集團的。

想必正是如此，趙偉國計劃再籌集1900億，加上之前籌集到的1800億元，計劃用總計3700億人民幣作為底牌，備足未來5年彈藥，與國外大廠打一場持久戰(zhàn)。