在IGBT功率模塊的動態測試中，夾具的雜散電感（Stray Inductance,Lσ）是影響測試結果準確性的核心因素。雜散電感由測試夾具的layout、材料及連接方式引入，會導致開關波形畸變、電壓尖峰升高及損耗測量偏差。

一、雜散電感對動態測試的影響機制

開關損耗與電壓尖峰

●導通階段：雜散電感與電流變化率（di/dt）相互作用，在導通瞬間產生感應電壓（Lσ?di/dt），導致IGBT的集-射極電壓（VCE）壓降增大。高雜感會降低導通di/dt，減少導通損耗（Eon），但可能引發振蕩，加劇電磁干擾（EMI）。

●關斷階段：關斷時的高di/dt在雜感上產生反向電壓尖峰（Vpeak=Lσ?di/dt+VDC），可能超過模塊的反向偏置安全工作區（RBSOA）限制。例如，當雜感從23nH增至50nH時，VCE峰值可升高15%~20%，需增大關斷柵極電阻（RG(off)）以抑制過沖。

二、雜感測量與夾具設計優化

1. 雜感測量方法

●雙脈沖測試法：通過測量IGBT導通或關斷時的電壓降（ΔV）與電流變化率（di/dt），計算雜感值（Lσ=ΔV/di/dt）。導通暫態因干擾較少，更適合精確測量。

2.低感夾具設計原則

●對稱布局與層疊結構：采用對稱母排布局（如鏡像對稱或星型布局）可抵消部分磁場，降低環路電感。

●低阻抗材料：使用低電阻探針，減少導體自身電感。同時，縮短電流回路長度，避免銳角走線以降低分布電感。

●柵極驅動優化：根據雜感調整柵極電阻（RG）。

夾具雜散電感是IGBT動態測試的核心干擾源，直接影響開關損耗、電壓應力。通過低感夾具設計、柵極參數優化及標準化測試流程，可顯著提升測試精度與模塊評估可靠性。未來需進一步探索雜感與多物理場耦合機制，推動測試技術向高精度、高魯棒性方向發展。