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LED封裝器件熱阻測試與散熱能力評估

金鑒實驗室 ? 2025-06-04 16:18 ? 次閱讀

熱阻概念與重要性

熱阻是衡量熱量在熱流路徑上所遇阻力的物理量,它反映了介質或介質間傳熱能力的強弱,具體表現為 1W 熱量引起的溫升大小,單位為℃/W 或 K/W。可以將熱量比作電流,溫差比作電壓,那么熱阻就相當于電阻

LED 器件的實際應用中,其結構熱阻分布涵蓋了芯片襯底、襯底與 LED 支架的粘結層、LED 支架、LED 器件外掛散熱體以及自由空間的熱阻,這些熱阻通道呈串聯關系。


LED 燈具作為新型節能燈具,在照明過程中僅有 30 - 40%的電能轉化為光,其余均轉化為熱能,這就使得 LED 封裝器件的熱阻問題變得至關重要。

通常情況下,LED 的功率越高,熱效應越顯著,由此引發的一系列問題如芯片高溫紅移、結溫過高對芯片的永久性破壞、熒光粉層發光效率降低及加速老化、色溫漂移以及熱應力引起的機械失效等,都會直接影響 LED 的發光效率、波長、正向壓降和使用壽命,散熱問題已然成為 LED 燈具發展的一大瓶頸。


熱阻測試方法及應用

1.封裝器件熱阻測試

測試方法一:在測試熱阻時,封裝產品的散熱路徑一般為芯片 - 固晶層 - 支架或基板 - 焊錫膏 - 輔助測試基板 - 導熱連接材料。通過測試可得出熱阻曲線圖,進而讀出測試產品總熱阻,例如某產品總熱阻為 7.377K/W。該方法需依據測試樣品結構判定曲線中的熱阻分層,以獲得封裝器件的準確熱阻,更適合 SMD 封裝器件。通過金鑒的測試服務,可以幫助客戶優化產品設計,提升產品質量,確保其在激烈的市場競爭中保持領先地位。


測試方法二:與方法一不同,此方法需進行兩次熱阻測試。第一次測量時,器件直接接觸基板熱沉;第二次測量時,器件與基板熱沉間夾有導熱雙面膠。由于兩次散熱路徑僅在器件封裝殼之外改變,結構函數上兩次測量的分界處即代表器件的殼,從而可得出器件的精確熱阻,該方法適用于 COB 封裝器件。


利用結構函數識別器件結構

一般而言,芯片、支架或基板、測試輔助基板或冷板這三層的熱阻和熱容相對較小,而固晶層和導熱連接材料的熱阻和熱容相對較大。

結構函數上越靠近 y 軸的地方代表接近芯片有源區的結構,越遠離 y 軸則代表離有源區較遠的結構。

積分結構函數是熱容 - 熱阻函數,平坦區域代表器件內部熱阻大、熱容小的結構,陡峭區域代表熱阻小、熱容大的結構。微分結構函數中,波峰與波谷的拐點是兩種結構的分界處,便于識別器件內部各層結構。

在結構函數末端,其值趨向于垂直漸近線,此時熱流傳導到空氣層,熱容無窮大,從原點到漸近線之間的 x 值即為結區到空氣環境的熱阻,也就是穩態情況下的熱阻。

封裝器件內部“缺陷”辨認

對比兩個器件的剖面結構,可發現固晶層存在明顯差異。正常產品固晶層規整,而有缺陷的產品固晶層則不規則。固晶層缺陷會導致熱阻增大,影響散熱性能,其影響程度與缺陷大小相關。



結構無損檢測

對同批次產品,選取固晶層完好、邊緣缺陷以及中間缺陷的樣品進行測試。固晶完好的固晶層應為矩形,存在缺陷時則不規則。

測試結果顯示,隨著固晶層損傷程度增加,該結構層的熱阻逐漸變大,這是因為空洞阻塞了有效散熱通道。通過測試不僅能定性找出存在缺陷的結構,還能定量得到缺陷引起的熱阻變化量。



老化試驗表征

以一個高溫高濕老化案例為例,觀察同一樣品不同時期的熱阻曲線。老化前后,從芯片后波峰的移動可清晰看出由于老化造成的分層,導致芯片粘結層熱阻增大。對樣品不同階段的熱阻測試,可得到每層結構的熱阻變化,進而分析老化機理,從而改善產品散熱性能。

接觸熱阻測量

隨著半導體制造技術的成熟,熱界面材料的熱性能成為制約高性能封裝產品的瓶頸。接觸熱阻的大小與材料和接觸質量密切相關。常見的接觸材料或方式有導熱膠、導熱墊片、螺釘連接和干接觸等。測試發現,接觸熱阻的大小不僅取決于接觸材料,還與接觸質量有關。接觸材料的導熱系數越大,接觸熱阻越小;接觸質量越好,接觸熱阻也越小。



熱電參數測試

熱電參數測試包括電壓溫度變化曲線、光通量溫度變化曲線、光功率溫度變化曲線、色坐標溫度變化曲線、色溫溫度變化曲線和效率溫度變化曲線。

例如,某樣品 LED 的電壓隨溫度上升呈線性遞減;光通量也隨溫度上升呈線性遞減;色坐標則會往高色溫方向漂移。這些測試結果有助于全面了解 LED 封裝器件在不同溫度條件下的性能表現,為產品的優化和改進提供重要依據。


總結

通過上述多種測試方法和手段,能夠全面、深入地評估 LED 封裝器件的熱阻和散熱能力,進而為 LED 產品的研發、生產和應用提供有力的技術支持,推動 LED 照明行業的發展。

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