LM6x4xx-Q1 降壓穩壓器系列是專注于汽車的穩壓器，可提供固定或可調輸出電壓，該輸出電壓可設置為預期輸入電壓的 1V 至 95%。這些穩壓器可在 3 至 36V 的寬輸入電壓范圍內工作，并具有高達 42 V 的瞬態容差。

該系列專為低 EMI 而設計。該器件集成了引腳可選的擴頻和可調節的 SW 節點上升時間。雙隨機擴頻 （DRSS） 跳頻設置為 ±4%（典型值），通過三角調制和偽隨機調制的組合大幅降低峰值發射，并采用先進的技術來減少擴頻調制引起的輸出電壓紋波。
*附件：lm61495-q1.pdf

漏極開路 RESET 輸出具有濾波和延遲釋放功能，可真實地指示系統狀態。在自動模式下，該器件可在固定頻率脈寬調制 （FPWM） 和脈沖頻率調制 （PFM） 工作模式之間自動轉換，允許的空載電流消耗僅為 5 μA（典型值）。電氣特性規定在 –40°C 至 +150°C 的結溫范圍內。

特性

• 符合 AEC-Q100 標準，適用于汽車應用：
  • 溫度等級 1：–40°C 至 +125°C，T一個
• 功能安全
  • 提供有助于功能安全系統設計的文檔
• 輸入電壓范圍為 3 V 至 36 V
• 帶濾波器和延遲釋放的 RESET 輸出
• 專為低 EMI 而設計：
  • 符合 CISPR 25 5 類標準的 EVM
  • 引腳可配置的擴頻
  • 可調 SW 節點上升時間
  • 高于和低于 AM 頻段作：引腳可配置 400 kHz 和 2.2 MHz，固定或在 200 kHz – 2.2 MHz 范圍內可調
  • 低 EMI 對稱引腳排列
  • 輕負載模式可通過引腳進行配置，以實現恒定頻率或脈沖頻率調制 （PFM）
• 高效解決方案
  • 8A 負載的效率為 95%
  • 在自動模式下空載時，輸入電流為 5μA
  • <1μA 關斷電流（典型值）
• 高功率密度
  • 內置補償、軟啟動、電流限制、熱關斷和 UVLO
  • 4.5 mm × 3.5 mm 可濕性側面 QFN 封裝
  • ? 賈 = 21.6°C/W，在 LM61495RPHEVM 上測量

參數

方框圖

1. 產品概述

1.1 主要特點

• ?高電流能力?：提供10 A的持續輸出電流。
• ?寬輸入電壓范圍?：支持3 V至36 V的輸入電壓，瞬態耐受電壓高達42 V。
• ? 低電磁干擾（EMI） ?：符合CISPR 25 class 5標準，支持引腳可配置的擴頻調制。
• ?高效率?：在8 A負載下效率高達95%，輕載模式下輸入電流僅為5 μA（典型值）。
• ?高功率密度?：采用4.5 mm × 3.5 mm的濕側翼QFN封裝，熱阻θJA為21.6°C/W。

1.2 應用領域

• ?汽車信息娛樂系統?
• ?儀表板?
• ? 高級駕駛輔助系統（ADAS） ?

2. 功能描述

2.1 控制與保護特性

• ? 自動模式（Auto Mode） ?：在輕載時自動在固定頻率PWM和脈沖頻率調制（PFM）之間切換，以提高效率。
• ?引腳可配置的擴頻調制?：減少峰值發射，提高EMI性能。
• ?RESET輸出?：具有濾波和延遲釋放功能的開漏RESET輸出，提供系統狀態的真實指示。
• ?過流和短路保護?：包括過流限制、短路保護和打嗝（Hiccup）保護。
• ?熱關機?：防止設備因過熱而損壞。

2.2 其他功能

• ?軟啟動?：在啟動過程中限制浪涌電流，保護輸入電源和負載。
• ?輸出電壓調整?：支持固定和可調輸出電壓，可調版本允許通過外部電阻分壓器設置輸出電壓。
• ? 輸入欠壓鎖定（UVLO） ?：確保在輸入電壓過低時關閉設備，保護負載。

3. 技術規格

3.1 絕對最大額定值

• ?輸入電壓?：VIN對AGND、PGND為-0.3 V至42 V。
• ?SW節點電壓?：SW對AGND、PGND為-0.3 V至VIN + 0.3 V。
• ?結溫?：-40°C至150°C。

3.2 推薦工作條件

• ?輸入電壓?：3 V至36 V。
• ?輸出電壓?：可調版本為1 V至95%的輸入電壓。
• ?輸出電流?：最大10 A。

3.3 熱信息

• ?熱阻?：RθJA為51.3°C/W（JEDEC標準51-7），在LM61495RPHEVM上為21.6°C/W。

3.4 電氣特性

• ?工作頻率?：固定400 kHz、固定2.2 MHz或可調（200 kHz至2.2 MHz）。
• ?高側MOSFET導通電阻?：在1 A負載下為21 mΩ至39 mΩ。
• ?低側MOSFET導通電阻?：在1 A負載下為13 mΩ至25 mΩ。

4. 應用與實施

4.1 典型應用電路

• ?電路圖?：提供了固定和可調輸出電壓的典型應用電路圖。
• ?設計步驟?：包括選擇開關頻率、設置輸出電壓、選擇電感和輸出電容等關鍵元件的詳細步驟。

4.2 布局指南

• ?關鍵元件布局?：建議將輸入電容放置在靠近VIN引腳的位置，輸出電容放置在靠近SW和VOUT引腳的位置。
• ?接地和散熱?：使用多層PCB，確保良好的接地和散熱路徑。

5. 設備與文檔支持

5.1 設備支持

• ?WEBENCH? Power Designer?：支持使用TI的WEBENCH? Power Designer工具進行自定義設計。

5.2 文檔支持

• ?相關文檔?：提供了與熱設計、PCB布局、EMI濾波等相關的文檔支持。

5.3 支持資源

• ?TI E2E?支持論壇?：提供快速、經驗證的答案和設計幫助。

6. 包裝與訂購信息

6.1 封裝選項

• ? VQFN-HR (RPH) ?：16引腳，4.5 mm × 3.5 mm，0.5 mm間距。