LMQ61460 是一款高性能 DC-DC 同步降壓轉(zhuǎn)換器,集成了旁路電容器。借助集成的高壓側(cè)和低壓側(cè) MOSFET,可在 3.0 V 至 36 V 的寬輸入范圍內(nèi)提供高達(dá) 6 A 的輸出電流;可承受 42 V 電壓,簡(jiǎn)化輸入浪涌保護(hù)設(shè)計(jì)。該器件實(shí)現(xiàn)了從 dropout 的軟恢復(fù),消除了輸出上的過(guò)沖。
*附件:lmq61460.pdf
該器件專(zhuān)為實(shí)現(xiàn)最低 EMI 而設(shè)計(jì)。該器件集成了偽隨機(jī)擴(kuò)頻、集成旁路電容器、可調(diào)節(jié)的 SW 節(jié)點(diǎn)上升時(shí)間、具有低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴的低 EMI VQFN-HR 封裝,以及易于使用的優(yōu)化引腳排列。開(kāi)關(guān)頻率可在 200 kHz 和 2.2 MHz 之間同步,以避免噪聲敏感頻段。此外,可以選擇頻率以提高低工作頻率下的效率,或在高工作頻率下選擇更小的解決方案尺寸。
自動(dòng)模式在輕負(fù)載下運(yùn)行時(shí)支持頻率折返,允許的空載電流消耗僅為 7 μA(典型值)和高輕負(fù)載效率。PWM 和 PFM 模式之間的無(wú)縫轉(zhuǎn)換,以及極低的 MOSFET 導(dǎo)通電阻和外部偏置輸入,確保了整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)的出色效率。
特性
- 功能安全
- 針對(duì)超低 EMI 要求進(jìn)行了優(yōu)化
- Hotrod? 封裝最大限度地減少了開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴
- 內(nèi)部旁路電容器可降低 EMI
- 并行輸入路徑可較大限度地降低寄生電感
- 擴(kuò)頻降低峰值排放
- 可調(diào)開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)上升時(shí)間
- 專(zhuān)為惡劣應(yīng)用而設(shè)計(jì)
- 支持 42V 瞬態(tài)
- 0.4V 壓差,4A 負(fù)載(典型值)
- 所有負(fù)載下的高效功率轉(zhuǎn)換
- 13.5V 時(shí)空載電流為 7μA
在、3.3 伏外 - 1 mA、13.5 V 時(shí) PFM 效率為 90%
在、5 V外 - 低 MOSFET 導(dǎo)通電阻
- R
DS_ON_HS= 41 mΩ(典型值) - R
DS_ON_LS= 21 mΩ(典型值)
- R
- 13.5V 時(shí)空載電流為 7μA
- 用于提高效率的外部偏置選項(xiàng)
- 引腳兼容:
- LM61460(36 V,6 A)
參數(shù)
方框圖
1. 概述
LMQ61460是一款高性能、低EMI的同步降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器,支持寬輸入電壓范圍(3V至36V),最大輸出電流可達(dá)6A。該轉(zhuǎn)換器專(zhuān)為需要高效率和低電磁干擾的工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì),如USB Type-C、工業(yè)機(jī)器人、工業(yè)PC等。
2. 主要特性
- ?寬輸入電壓范圍?:3V至36V,可承受42V的瞬態(tài)電壓。
- ?高輸出電流?:最大6A輸出電流。
- ?低EMI設(shè)計(jì)?:集成偽隨機(jī)擴(kuò)頻、低EMI VQFN-HR封裝、可調(diào)SW節(jié)點(diǎn)上升時(shí)間等特性。
- ?高效率?:在多種負(fù)載條件下均能保持高效率,如90%的PFM效率(1mA負(fù)載,13.5V輸入,5V輸出)。
- ?多種保護(hù)功能?:包括過(guò)流保護(hù)、短路保護(hù)(打嗝模式)、熱關(guān)斷保護(hù)等。
- ?快速瞬態(tài)響應(yīng)?:支持無(wú)縫的PWM和PFM模式切換,確保負(fù)載瞬態(tài)時(shí)的快速響應(yīng)。
- ?易用性?:與LM61460引腳兼容,提供TPSM63606模塊以加快上市時(shí)間。
3. 應(yīng)用
- USB Type-C
- 工業(yè)機(jī)器人CPU板
- 工業(yè)PC單板計(jì)算機(jī)
- 測(cè)試和測(cè)量?jī)x器
- 通用寬輸入降壓應(yīng)用
4. 功能描述
- ?偽隨機(jī)擴(kuò)頻?:減少峰值排放,降低EMI。
- ?可調(diào)SW節(jié)點(diǎn)上升時(shí)間?:通過(guò)外部電阻調(diào)整,進(jìn)一步優(yōu)化EMI性能。
- ?軟恢復(fù)功能?:從掉電狀態(tài)恢復(fù)時(shí)消除過(guò)沖。
- ?頻率同步?:可將開(kāi)關(guān)頻率同步到系統(tǒng)時(shí)鐘,避免敏感頻率帶。
- ?Auto模式?:輕載時(shí)自動(dòng)切換到PFM模式,提高效率。
- ?外部偏置選項(xiàng)?:通過(guò)外部偏置輸入提高整體效率。
5. 電氣特性
- ?輸入電壓范圍?:3V至36V,可承受42V瞬態(tài)。
- ?輸出電壓范圍?:可調(diào),最低可達(dá)0.6V。
- ?開(kāi)關(guān)頻率范圍?:200kHz至2.2MHz。
- ?無(wú)負(fù)載電流?:典型值7μA(13.5V輸入,3.3V輸出)。
- ?效率?:高效率覆蓋所有負(fù)載范圍,如90%的PFM效率(輕載條件)。
6. 封裝與尺寸
- VQFN-HR封裝,14引腳,尺寸為4.00mm x 3.50mm。
7. 典型應(yīng)用電路
文檔提供了詳細(xì)的典型應(yīng)用電路圖,包括輸入電容、輸出電容、電感、反饋電阻等組件的選擇和設(shè)計(jì)指南。
8. 布局指南
文檔強(qiáng)調(diào)了PCB布局對(duì)EMI性能和整體效率的重要性,并提供了布局建議,如輸入和輸出電容的放置、反饋分壓器的位置、地層和電源層的處理等。
9. 文檔與支持
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電容器
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MOSFET
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219096 -
同步降壓轉(zhuǎn)換器
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12923 -
浪涌保護(hù)
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