MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)在開關(guān)過程中易產(chǎn)生電壓尖峰，可能引發(fā)器件損壞或電磁干擾問題。為有效抑制電壓尖峰，需從電路設(shè)計(jì)、器件選型、布局布線及保護(hù)措施等多維度進(jìn)行優(yōu)化，以下為具體解決方案：

1. 優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

驅(qū)動(dòng)電阻調(diào)整：在MOS管柵極串聯(lián)合適電阻(如10Ω~100Ω)，可減緩柵極電壓變化速率，抑制開關(guān)瞬態(tài)電流。需平衡開關(guān)速度與尖峰幅度，避免電阻過大導(dǎo)致開關(guān)損耗增加。

柵極驅(qū)動(dòng)芯片選型：選用具備米勒鉗位(Miller Clamp)或負(fù)壓關(guān)斷功能的驅(qū)動(dòng)芯片。米勒鉗位在關(guān)斷時(shí)將柵極電壓拉低至負(fù)壓，防止米勒電容效應(yīng)引發(fā)誤開通;負(fù)壓關(guān)斷(如-5V)可加速關(guān)斷過程，減少電壓過沖。

驅(qū)動(dòng)電路布局：縮短?hào)艠O驅(qū)動(dòng)回路路徑，降低寄生電感。采用同層鋪銅、減小走線長度等措施，減少驅(qū)動(dòng)信號(hào)與功率回路的耦合。

2. 降低電路寄生參數(shù)

PCB布局優(yōu)化：功率回路(如漏極-源極)走線應(yīng)寬且短，避免環(huán)路面積過大。例如，將輸入電容、MOS管、負(fù)載三者緊密排列，減少電流路徑的寄生電感。

吸收電路設(shè)計(jì)：在漏極-源極間并聯(lián)RC緩沖電路(如10Ω電阻+100pF電容)或RCD鉗位電路。RC緩沖電路吸收開關(guān)瞬態(tài)能量，RCD鉗位電路將電壓尖峰限制在安全范圍內(nèi)。

去耦電容配置：在電源輸入端并聯(lián)高頻去耦電容(如0.1μF陶瓷電容)，降低電源阻抗，抑制電壓波動(dòng)。

3. 器件選型與參數(shù)匹配

選擇低寄生參數(shù)器件：選用封裝寄生電感小的MOS管(如DFN封裝)，并匹配低ESL的輸入電容。

電壓與電流裕量設(shè)計(jì)：MOS管耐壓值應(yīng)高于工作電壓的1.5~2倍，電流額定值需滿足峰值電流需求，避免過載導(dǎo)致電壓尖峰。

4. 軟開關(guān)技術(shù)

諧振電路引入：在開關(guān)電路中加入諧振電感與電容，實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)(ZVS)或零電流開關(guān)(ZCS)。例如，LLC諧振變換器通過諧振使MOS管在電壓或電流過零時(shí)切換，消除開關(guān)損耗與尖峰。

通過上述措施，可顯著降低MOS管開關(guān)過程中的電壓尖峰，提升電路可靠性與EMC性能。實(shí)際應(yīng)用中需結(jié)合具體電路參數(shù)進(jìn)行仿真與調(diào)試，確保優(yōu)化效果。

審核編輯 黃宇